科技大厂财报系列：海力士24Q2财报解读

证券研究报告 2024年7月25日 【中泰电子|AI全视角】科技大厂财报系列：海力士24Q2财报解读 分析师：王芳S0740521120002，杨旭S0740521120001 1 目录 1、24Q2财务：收入创新高，利润大幅改善 2、24Q3展望：Q3DRAM、NAND出货量有分化 3、下游需求：H2服务器需求依然强劲 4、资本开支：HBM超预期，资本开支高于年初计划 5、高端产品：预计25年推出HBM4 6、投资建议&风险提示 2 1、24Q2财务情况：收入创新高，利润大幅改善 24Q2收入创新高。 收入：24Q2收入为16.42万亿韩元，环比增长32%，同比增长125%，实现季度新高，大幅超过在22Q2创下的13.81万亿韩元记录。收入增长得益于ASP提高、高附加值产品组合的增加以及有利的汇率影响。 AI需求强劲：HBM、eSSD需求表现强势，HBMQ2收入环比增长超过80%，同比增长超过250%，eSSD销售额环比增长约 50%。 分产品：DRAM/NAND收入占比66%/31%，DRAM收入环增43%，NAND收入环增27%。 图表：季度收入、yoy和qoq（十亿韩元）图表：营收构成 DRAMNANDOthers 18000 16000 14000 12000 10000 8000 6000 4000 2000 0 营收yoyqoq 200% 150% 100% 50% 0% -50% 17Q1 17Q2 17Q3 17Q4 18Q1 18Q2 18Q3 18Q4 19Q1 19Q2 19Q3 19Q4 20Q1 20Q2 20Q3 20Q4 21Q1 21Q2 21Q3 21Q4 22Q1 22Q2 22Q3 22Q4 23Q1 23Q2 23Q3 23Q4 24Q1 24Q2 -100% 100% 90% 80% 70% 60% 50% 40% 30% 20% 10% 19Q1 19Q2 19Q3 19Q4 20Q1 20Q2 20Q3 20Q4 21Q1 21Q2 21Q3 21Q4 22Q1 22Q2 22Q3 22Q4 23Q1 23Q2 23Q3 23Q4 24Q1 0% 来源：wind、公司公告，中泰证券研究所3 盈利能力大幅改善，24H1营业利润可填补23年全年亏损。 毛利率：24Q2为46%，qoq+7pcts，yoy+62pcts。 营业利润：24Q2为5.47万亿韩元，qoq+89%，营业利润率达33%，qoq+10pcts，营业利润自2018年以来重回5万亿韩元水平。 净利润：24Q2为4.12万亿韩元，qoq+115%，净利润率为25%，qoq+10pcts。 23年营业利润-7.73万亿韩元，净利润-9.11万亿韩元，24H1营业利润8.4万亿韩元，净利润6.04万亿韩元，24H1营业利润已填补去23年全年的营业利润亏损。 1、24Q2财务情况：收入创新高，利润大幅改善 图表：单季度营业利润（十亿韩元） 图表：单季度净利润（十亿韩元） 图表：单季度毛利率、净利率 8000 6000 4000 2000 0 -2000 -4000 17Q1 17Q2 17Q3 17Q4 18Q1 18Q2 18Q3 18Q4 19Q1 19Q2 19Q3 19Q4 20Q1 20Q2 20Q3 20Q4 21Q1 21Q2 21Q3 21Q4 22Q1 22Q2 22Q3 22Q4 23Q1 23Q2 23Q3 23Q4 24Q1 24Q2 营业利润 6000 5000 4000 3000 2000 1000 0 -1000 -2000 -3000 -4000 -5000 净利润 80% 60% 40% 20% 0% -20% -40% -60% -80% 毛利率营业利润率净利率 来源：wind、公司公告，中泰证券研究所4 24Q2DRAM、NAND量价齐增。 DRAM：DRAM收入环增43%，出货量环增15%~20%，ASP环增15%。 NAND：NAND收入环增27%，出货量环增低个位数（0%~5%），ASP环增15%~20%。 展望24Q3：AI和服务器需求强劲，其他需求疲软+有库存，预计NAND出货量环比下降。 1）DRAM：预计出货量环比低个位数增长（0~5%），并将增加HBM产品的出货量； 2）NAND：预计出货量环比中个位数减少（5%左右），主要是eSSD销量增加，但其他终端需求较疲软，同时客户有库存，预计部分终端出货量出现中个位数的下降，预计Q4随着需求改善、出货量将恢复增长。随着产品结构的优化和平均售价的提高，预计Q3NAND收入继续增长。 2、24Q3展望：Q3DRAM、NAND出货量有分化 图表：DRAM/NAND季度收入环比、APS和出货量环比趋势 2023/01-2023/03 2023/04-2023/06 2023/07-2023/09 2023/10-2023/12 2024/01-2024/03 2024/04-2024/06 2024/07-2024/09 FY23Q1 FY23Q2 FY23Q3 FY23Q4 FY24Q1 FY24Q2 FY24Q3E DRAM收入qoq -36% 53% 34% 21% 3% 出货量qoq -20pcts +30pcts +20pcts +0~5pcts -15pcts +15~20pcts +0~5pcts ASPqoq -15~20pcts +5~10pcts +10pcts +15~20pcts >+20pcts +15pcts NAND收入qoq -29% 31% 12% 34% 33% 出货量qoq -15pcts +50pcts +5pcts -0~5pcts 环比持平 -0~5pcts -5pcts ASPqoq -10pcts -10pcts -0~5pcts >+40pcts >+30pcts +15~20pcts 来源：海力士官网，中泰证券研究所5 存储大市场、强周期，手机、PC和服务器占约80%需求 大市场、强周期：存储是半导体第二大细分市场。2021/2022/2023年全球存储市场规模为1534/1298/923亿美金，占半导体规模的比例为28%/23%/18%，是全球第二大细分品类。从细分市场的同比增速看，存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致，但波动性远大于其他细分品类。另外23年DRAM和NAND分别占半导体存储市场的56%/39%，合计95%。 DRAM下游需求：2023年手机37%/服务器37%/PC13%/图形5%/其他8%；NAND下游需求：手机33%/企业级SSD18%/PCSSD25%/其他24%。 3、下游需求：手机、PC和服务器是存储三大下游 图表：半导体各细分市场占比图表：半导体各细分市场yoy 图表：存储细分市场占比 40.0% 35.0% 30.0% 25.0% 20.0% 15.0% 10.0% 5.0% 0.0% 分立、光电器件、传感器模拟芯片微型元件逻辑芯片 存储器 分立、光电器件、传感器集成电路模拟芯片微型元件 60.0%逻辑芯片 50.0% 40.0% 30.0% 20.0% 10.0% 0.0% 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024e 2025e -10.0% -20.0% 100% 90% 80% 70% 60% 50% 40% 30% 20% 10% 0% DRAMNAND其他 200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023 图表：DRAM下游占比图表：NAND下游占比 100% 80% 60% 40% 20% 0% PCDRAMServerDRAMMobileDRAMGraphicDRAMConsumerDRAMOthers 100% 80% 60% 40% 20% 0% HandsetsPCSSDGameConsoleEnterpriseSSDUFD+MemoryCardOthers 201920202021202220232024E 来源：WSTS/SIA、Trendforce等，中泰证券研究所6 Q2海力士DRAM中服务器贡献占比提升，NAND中SSD贡献占比提升。 DRAM：服务器收入占比持续提升。 NAND：SSD收入占比持续提升。 3、下游需求：H2服务器需求依然强劲 图表：海力士DRAM下游构成图表：海力士NAND下游构成 来源：海力士，中泰证券研究所7 3、下游需求：H2服务器需求依然强劲 H2AI服务器需求依然强劲，传统应用需求有望随着AI手机 /AIPC逐渐复苏。 服务器： 1）AI服务器：需求强劲，科技公司对AI投资支出也不断攀升。2）通用型服务器：2017、2018年的通用服务器到了更换周期，同时AI数据中心推动通用服务器更新，高能耗AI服务器增加，客户将现有通用服务器升级为更低功耗服务器以降低成本。 3）随着AI从训练拓展到推理，AI服务器需求增加，同时通用服务器有更换需求，预计服务器DRAM（不包括HBM）今年和明年的需求有20%左右增长。 手机： 随着支持AI旗舰机型和可折叠手机的推出，预计2024年下半年手机终端需求逐渐改善； 预计24H2-25年AI手机的相继发布将助推存储需求增长，这类 手机对存储的要求更高。 PC： 需求复苏弱于预期 AI技术加持的高规格设备将推动24H2存储需求增长 AIPC将促进使用更高容量和低功耗存储。 图表：下游需求 来源：海力士，中泰证券研究所8 4、资本开支：HBM超预期，资本开支高于年初计划 24年资本开支高于预期，投资HBM和新厂。 M15X晶圆厂和龙仁工厂的建设还在按计划进行 增加基础设施投资以支持HBM，HBM消耗更多晶圆和空间 HBM需求高于预期，预计24年资本开支比此前计划稍高，但会在经营现金流内执行。 根据最终市场需求和盈利能力并保持审慎的投资决策，追求投资效率和财务稳定。 图表：资本开支 9 来源：海力士，中泰证券研究所 5、高端产品：预计25年推出HBM4 HBM HBM3EQ2收入提高；预计HBM3E出货量自Q3超过HBM3；预计24年HBM3E占比超过50%。 5月12层HBM3E已送样，Q3开始量产、Q4规模出货。预计25年12层3E需求大幅增加，预计12层供应量在25H1超过8层。 预计HBM425年发货，首先是12层，预计使用先进MR-MUF量产。HBM416层预计2026年推出。 24年TSV产能是23年的一倍以上，预计今年HBM收入同比增长300%以上。25年大部分资本开支已与客户达成一致，预计出货量同比24年增长一倍以上。 DDR5 256GB模组独家供应商； H2计划发布基于32GbDDR5的服务器模组和MRDIMM。 NAND 23年资本开支向AI倾斜，通用服务器疲软，eSSD需求放缓；24年通用服务器投资比23年更高，eSSD需求超过年初预期，大容量eSSD销量增加，需求增长； 预计24年eSSD收入同比增长4倍； 用高性能低功耗的PCIe5.0cSSD支持AIPC需求。 10 来源：海力士，中泰证券研究所 7、投资建议&风险提示 投资建议 建议关注： 1）上游设计端：兆易创新/普冉股份/东芯股份/北京君正等 2）HBM产业链：香农芯创/赛腾股份/精智达/联瑞新材/华海诚科/雅克科技/深科技等 3）弹性模组端：德明利/江波龙/佰维存储/朗科科技/万润科技等 4）DDR5