存储芯片板块跟踪报告（八）：海内外厂商业绩持续修复，关注利基产品价格上涨

半导体 半导体 2024年07月05日 投资评级：看好行业走势图 罗通（分析师） 王宇泽（联系人） luotong@kysec.cn wangyuze@kysec.cn 半导体 沪深300 证书编号：S0790522070002 证书编号：S0790123120028 12%0%-12%-24%-36%-48% 本周复盘：价格指数继续下探，静待Q3需求回暖 指数方面：据闪存市场，2024年第27周DRAM指数跌势放缓，NAND指数则继续下探，单周分别-0.17%/-0.82%。价格方面：Flash wafer价格持平不变，DDR价格小幅下跌（环比-0.1%）；渠道市场方面，整体需求承压且抢单情况激烈，渠道SSD和内存价格均小幅下跌；行业市场方面，存储行业SSD和内存条价格持平，上游资源保有一定库存且供应端成本普遍偏高，行业存储厂商备货意愿低； 2023-07 2023-11 2024-03 相关研究报告 嵌入式方面，价格趋稳，现货市场出现少量询单，但市场成交偏少，整体市场观望情绪浓重，部分手机厂商新机将出，或将带来需求回暖。回顾Q2，部分产品线市场流速减缓，持续库存去化；展望Q3，上游原厂和部分终端对于Q3已有初步的涨价预期，市场仍需耐心等待低价库存消耗以及Q3传统需求的回暖。 海外：FY2024Q3美光业绩超预期，三星预计持续调涨DRAM价格 据闪存市场，FY2024Q3美光实现营收68.11亿美元，环比+17%，营业利润率13.8%，环比+10.3 pcts；净利润7亿元，环比+47%。公司业绩表现超预期主要系行业供需持续改善导致的产品价格提升、以及产品组合优化，特别是AI相关产品利润最为可观。美光预计2024年全年价格将继续上涨，公司将持续向高利润产品组合转变从而提高盈利能力。据闪德资讯，三星将在2024Q3把服务器DRAM和企业级NAND价格提高15-20%。此外，由于AI需求激增，对存储芯片的竞争随之加剧，公司预计 H2 业绩将有所改善。业界认为，当前原厂盈利诉求强烈，对产品价格将有强烈支撑，此外，由于原厂正全力发展HBM，挤占DDR3、4产能，有助于该领域供需格局改善，维持产业健康发展态势。 国内：多环节景气提升，看好下半年利基板块厂商业绩复苏 随着产品价格持续修复，国内存储各板块景气度明显提升。芯片厂方面，普冉股份公告显示，公司2024年4-5月实现营收约3.38亿元，同比增长约131%，公司1-5月累计出货约35亿颗，同比翻倍，目前在手订单充足（1.7亿元左右，含税），后续有望助力业绩持续增长。模组厂方面：佰维存储公告显示，公司2024H1预计实现营收31-37亿元，同比增长169.97%-222.22%，表现亮眼。我们认为，随着原厂加速退出DDR3等市场、市场库存逐步去化，下半年利基存储板块供需格局将明显改善，助力产品价格上涨与相关厂商业绩复苏，受益标的： （1）芯片：兆易创新、普冉股份、东芯股份、恒烁股份、北京君正等； （2）接口：澜起科技、聚辰股份等； （3）模组：江波龙、佰维存储、德明利、香农芯创、协创数据、朗科科技等； 风险提示：需求复苏不及预期，行业竞争加剧，公司新品研发进度不及预期。 附表1：存储板块本周热点新闻速递类型 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 2/13 附图1：指数：2024年第27周NAND指数下降0.82% 附图2：指数：2024年第27周DRAM指数下降0.17% 附表2：价格复盘：2024年第27周Wafer价格持平 附表3：价格复盘：2024年第27周DDR价格平均跌幅0.1% 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 3/13 附表4：价格复盘：2024年第27周SSD（渠道市场）价格平均跌幅3.1% 附表5：价格复盘：2024年第27周SSD（行业市场）价格持平 附表6：价格复盘：2024年第27周内存条（渠道市场）价格平均跌幅1.60% 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 4/13 附表7：价格复盘：2024年第27周内存条（行业市场）价格持平 附表8：价格复盘：2024年第27周eMMC价格持平 附表9：价格复盘：2024年第27周eMCP价格持平 附表10：价格复盘：2024年第27周LPDDR价格持平 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 5/13 附表11：价格复盘：2024年第27周UFS价格持平 附表12：价格复盘：2024年第27周uMCP价格持平 附图3：价格预测：2024Q3DRAM价格预计持续上扬 附图4：价格预测：2024Q3 NAND涨幅预计有所收敛 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 6/13 附表13：价格预测：各类型DRAM产品市场情况 附表14：价格预测：各类型NAND Flash产品市场情况 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 7/13 附表15：需求预测：预计2024年三大终端DRAM/NAND单机平均搭载容量将同比增加 附表16：需求预测：2024年智能手机、服务器、PC出货量预计同比增长4%/2%/8% 附图5：供给侧：2024Q1 DRAM市场CR3高达94.0% 附图6：供给侧：2024Q1 NAND市场CR5高达93.0% 附图7：热点赛道：三大原厂HBM3e预计于2024H2逐季放量 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 8/13 附表17：热点赛道：2023-2024 HBM市场竞争格局预计将由三星和SK海力士主导 附图8：热点赛道：2024年HBM产值预计占DRAM产值20.1% 附表18：热点赛道：2024年三星海力士HBM产能规划积极，美光占比提升 附图9：大厂表现：2024Q1行业营收高速增长，美光表现亮眼 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 9/13 附图10：海外大厂：FY2024Q1三星业绩同比高增 附图11：海外大厂：FY2024Q1SK海力士业绩扭亏为盈 附图12：海外大厂：FY2024Q3美光业绩同比持续高增 附图13：海外大厂：FY2023Q4铠侠业绩扭亏为盈 附图14：国内厂商：2024Q1全球存储大厂季度营收环比走势分化 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 10/13 附图15：国内厂商：2024Q1全球多数存储大厂毛利率环比上升 附图16：国内厂商：2024Q1全球多数存储大厂净利率环比修复 附图17：国内厂商： 2023M12 以来，多数中国存储台厂营收同比持续上涨 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 11/13