存储芯片板块跟踪报告（七）：利基存储供需加速扭转，涨价浪潮2.0即将展开

半导体 2024年06月05日 投资评级：看好（维持） 利基存储供需加速扭转，涨价浪潮2.0即将展开 ——存储芯片板块跟踪报告（七） 罗通（分析师）王宇泽（联系人） 行业走势图 luotong@kysec.cn 证书编号：S0790522070002 wangyuze@kysec.cn 证书编号：S0790123120028 12% 0% -12% -24% -36% -48% 半导体沪深300 利基存储：供需格局加速扭转，涨价浪潮2.0即将展开 利基存储芯片主要包含4GbDDR4及以下的DRAM，2DNAND及NORFlash等 品类，是国内存储公司主要参与的市场。由于此前供需格局未出现明显改善，目前利基型产品价格仍在底部，涨价潜力仍未兑现。目前来看，供给侧方面，海外原厂目前正加注投入HBM、DDR5等高端产品，并逐渐退出DDR4、DDR3等市场，利基型存储市场供给侧正加速收缩；需求侧来看，利基存储空间虽不及主 流存储市场，但产品性能特点鲜明，不可替代性较强，市场空间预计将保持稳定。 2023-062023-102024-022024-06 数据来源：聚源 且近期随着行业库存逐渐去化，以及终端消费电子需求大增，DDR3相关需求表 相关研究报告 现较为强劲；价格方面，目前DDR3等产品价格仍处于历史绝对底部，近期涨 价信号频发，我们预计强劲涨势有望于2024H2正式形成；从中国台湾厂商的月 度营收来印证，南亚科、华邦电等公司近期营收表现良好，连续多月实现同比增 《多板块业绩复苏，AI有望拉动半导 体景气持续向上—半导体板块2023年 年报及2024年一季报总结》-2024.5.14 《海内外大厂业绩均超预期，SSD价格景气正盛—行业点评报告》 -2024.4.15 《企业级SSD供不应求，模组厂影响力不断提升—行业点评报告》 -2024.4.8 长，复苏趋势明显，侧面印证利基存储板块景气度正持续提升。 大势已明，国内存储芯片厂商有望乘势而起 随着供需格局扭转推动产品价格持续回升，利基存储板块有望正式迎来上行周期。我们认为我国存储芯片厂商有望充分受益于（1）原厂退出后所迎来的份额提升：复盘NORFlash市场格局演变，2017年前后，海外各大龙头加注投入主 流存储市场，淡出NORFlash市场，中国台湾及大陆厂商趁势抢占份额，迅速成 长为了该领域的绝对龙头。我们认为随着各龙头逐渐淡出DDR3等市场，中国大陆厂商有望复刻在NORFlash的成长之路，迅速提升份额；（2）产品价格提升带来的业绩复苏：海外龙头退出后，市场供给侧将大概率由中国台湾及大陆厂商 主导，由于目前中国台厂目前仍未实现盈利，对提升盈利表现有较大诉求，在本轮周期中预计将全力推高价格上涨，中国大陆厂商业绩表现有望因此受益；（3）产品升级所带来的空间拓宽：利基存储市场规模虽不及主流市场，但仍有约130 亿美金的市场规模，且本轮供给侧收缩情况已外溢至DDR4，预计DDR4将成为利基型厂商竞争的下一个主要方向，利基市场规模有望随之提升。目前国内厂商产品正不断往高端化升级，已有多家厂商在DDR4相关领域形成完善布局，成长空间明显拓宽。 投资建议 随着板块持续复苏，我们认为中国大陆利基型存储芯片厂商有望充分受益于份额提升、业绩复苏、成长空间拓宽等多方面因素，受益标的：兆易创新、普冉股份、东芯股份、澜起科技、聚辰股份、恒烁股份、北京君正。 风险提示：板块复苏不及预期、市场竞争加剧、下游需求复苏不及预期。 行业研究 行业深度报告 开源证券 证券研究报 告 目录 1、利基存储：供需格局加速扭转，涨价浪潮2.0即将展开3 1.1、供需情况：原厂产能转移，供需改善趋势确定性强3 1.2、价格：DDR3涨价信号频发，强劲涨势或于下半年正式形成5 1.3、景气印证：中国台厂营收复苏，上行周期或已正式开启6 2、大势已明，国内存储芯片厂商有望乘势而起7 2.1、份额：复刻NOR成长路径，大陆厂商DDR3份额有望显著提升7 2.2、业绩：中国台厂涨价诉求明确，大陆厂商有望受益8 2.3、空间：产品持续升级，大陆存储厂成长空间明显拓宽9 3、投资建议11 4、风险提示12 图表目录 图1：2023H2以来DXI指数反弹明显3 图2：利基型产品（以DDR3为例）价格仍在历史底部3 图3：DDR3价格仍处于历史绝对底部5 图4：SLCNAND价格仍处于历史绝对底部6 图5：2024M4南亚科连续6月营收同比增长6 图6：2024M4华邦电连续5月营收同比增长6 图7：海外龙头淡出后，中国大陆及台湾厂商占据NORFlash市场主要份额7 图8：三星等海外龙头仍占据DDR3市场主要份额（半导体产业纵横2024M3报道）8 图9：中国台湾厂商净利率仍未转正，涨价诉求明确8 表1：各大原厂纷纷减产、停产DDR34 表2：利基型DRAM仍广泛应用于消费电子、汽车等多个领域，需求稳固4 表3：利基型存储市场空间预计约为130亿美元9 表4：中国大陆存储厂商产品多元布局，多家厂商已成长为国际龙头10 表5：受益标的估值与盈利预测汇总表11 1、利基存储：供需格局加速扭转，涨价浪潮2.0即将展开 价格仍处底部区间，利基存储涨价蓄势待发。利基存储芯片主要包含4GbDDR4及以下的DRAM，2DNAND及NORFlash、EEPROM等品类，具有下游应用广、制程工艺相对成熟等特点，是目前国内存储公司主要参与的市场。价格方面，2023H2以来，海外原厂集体减少产能，主流存储市场供需逆转，产品价格得到明显复苏；反观利基市场，因供需格局未发生明显变化，目前价格仍处于本轮周期底部，涨价潜力尚未兑现。展望未来，随着各家原厂纷纷加注AI，产能正加速转移至HBM、DDR5等相关高端产品，利基型存储市场供给侧明显收缩，产品价格有望开启新一轮景气周期。 图1：2023H2以来DXI指数反弹明显图2：利基型产品（以DDR3为例）价格仍在历史底部 45,000 40,000 35,000 30,000 25,000 20,000 15,000 10,000 5,000 - 4.5 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 DXI指数 现货平均价:DRAM:DDR3(4Gb(512Mx8),1600MHz) 数据来源：Wind、开源证券研究所注：DXI指数是集邦咨询于 2013年创建反映主流DRAM价格的指数 数据来源：Wind、开源证券研究所 1.1、供需情况：原厂产能转移，供需改善趋势确定性强 供给侧：原厂加注HBM投资，利基存储供给收缩趋势已经确立 随着生成式人工智能（AI）市场不断发展，AI芯片的需求持续提升，作为其中的关键器件，HBM（高带宽内存）产品正处于供不应求的局面当中。为扩大自身市场份额与影响力，三星、海力士等存储龙头纷纷加大投资，专注于HBM的产能扩建，并逐渐退出DDR3等利基型市场，供给侧明显收缩。 具体来看：主要原厂DDR3基本停供，DDR4产能明显转移 DDR3：闪德资讯5月13日报道，SK海力士于2023年底将大陆无锡厂的产能由DDR3转向高端产品，不再供货DDR3，三星近期已通知客户在2024Q2停产DDR3，美光、南亚科的DDR3供应量也明显减少。 DDR4：闪存市场5月22日表示，2024Q2以来，存储原厂为应对互联网巨头们的急单需求，开始将部分DDR4产能切换至HBM上，至2024年底，原厂将原有约80%的产能切换至DDR5、HBM等高端产品上，DDR4市场预计也将陷入到供给短缺的局面当中。 表1：各大原厂纷纷减产、停产DDR3 厂商 DDR3减产情况 韩国 三星 通知客户将在2024Q2底停产DDR3 韩国 SK海力士 将无锡厂DDR3产能转移至其他产品，等同于不再供应DDR3 美国 美光 为扩充DDR5、HBM产能，大幅减少DDR3供应量 中国台湾 南亚科 产能开始大幅转向DDR5，DDR3仅接受客户代工订单 资料来源：闪德资讯公众号、开源证券研究所 需求侧：特点鲜明，需求稳固，近期消费电子市场需求激增 利基型存储虽空间不及主流存储，但产品性能特点鲜明，下游需求稳定，不可替代性较强，短期内市场空间无明显收缩趋势。以DDR3为例： （1）传输速率：相较前代产品，DDR3在传输速率方面实现了大幅提升，显著加快了数据的读取和写入速度，有效满足了多任务处理和大规模数据运算的需求； （2）功耗：其低功耗特性显著降低了计算机系统的能耗，进一步提升了电池续航能力，为移动设备用户带来便利； （3）兼容性：DDR3表现出高度的兼容性，可以适配台式机、笔记本电脑，服务器等设备，确保系统运行的稳定性和可靠性。 因功耗低，兼容性强等特点，DDR3至今仍广泛应用于网络通信、电视、监控、机顶盒、工业、智慧家庭等领域，市场规模约为70亿美金。从近期来看，据半导体 产业纵横5月22日报道，随着产业经过逾一年去库存，近期终端消费性电子订单大增，带动DDR3芯片需求显著增长。 下游规模占比应用 表2：利基型DRAM仍广泛应用于消费电子、汽车等多个领域，需求稳固 消费领域79% 工业领域12% WiFi路由器、数字机顶盒、PON等通讯设备、行车记录 仪、家电等 监控系统、POS机系统、智能仪表、人机接口（HMI） 平台 汽车领域9%ADAS、车载娱乐、汽车链接 资料来源：钰创科技官网、半导体产业纵横公众号、开源证券研究所 1.2、价格：DDR3涨价信号频发，强劲涨势或于下半年正式形成 复盘：2022年产品价格大幅下跌，目前位于历史绝对低位。回顾利基存储价格走势，2022年中由于存储市场供过于求，相关产品价格大幅下降，目前仍处于历史绝对低位，未见明显回升。以4Gb(512Mx8)DDR3价格为例，截至2024/5/27，产品价格已从2022年高点下跌64.2%，跌幅较大，多家相关厂商已处于亏损状态，价格基本已无继续下探可能，后续有望随供需结构改善实现显著反弹。 图3：DDR3价格仍处于历史绝对底部 5.0 4.5 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 现货平均价:DRAM:DDR3(4Gb(512Mx8),1600MHz) 数据来源：Wind、开源证券研究所 展望：涨价信号频发，强劲涨势或于2024H2正式形成 从趋势来看，据半导体产业纵横报道，三星和美光等海外龙头已于2023Q4及2024Q1陆续喊涨DDR3，近期中国台厂华邦电也计划将DDR3价格调升20%，随着三星、海力士等龙头将在下半年停供DDR3，市场抢货情况频发，现货价格已开始上扬，下半年预计维持上行趋势。 从节奏上来看，虽然目前三星等厂商已宣布将停产DDR3，但由于公司还存在部分库存，所以目前各家龙头仍处于供货状态，供给侧未产生明显收缩，因此DDR3市场虽有涨势，但幅度不大。我们预计2024H2三星龙头将完成清库动作，供给侧将正式收缩，叠加传统消费旺季需求的拉动，供需格局将正式扭转，带动DDR3等利基型产品价格加速上行。 其他利基产品方面，我们预计SLCNAND、NORFlash价格也将一同上涨，由于供需两侧变动程度不及DDR3市场，预计对应涨幅将相对温和。 SLCNAND：兆易创新4月19日投资者关系活动记录表表示，公司已经看到SLCNAND价格回升的迹象，对应上涨时间预计将比利基型DRAM滞后一个季度，整体涨势相对温和。 NORFlash：据闪德资讯，受益于AI需求全面崛起、车用客户导入量持续增加、AMOLED面板渗透进入中低阶智能手机等因素影响，NORFlash渠道库存水位明显下降，需求有望成倍数增长，2024Q2价格涨幅有望扩大为10%-20% 图4：SLCNAND价格仍处于历史绝对底部 1.40 1.30 1.20 1.10 1.00 0.90 0.80 0.70 现货平均价:Flash:SLC2Gb256MBx8现货平均价:Flash:SLC1Gb128MBx8 数据来