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存储芯片板块跟踪报告(三):DDR3供不应求,涨价行情向利基市场扩散

电子设备2024-03-13罗通开源证券Z***
存储芯片板块跟踪报告(三):DDR3供不应求,涨价行情向利基市场扩散

半导体 半导体 2024年03月13日 行业走势图 罗通(分析师) 刘书珣(联系人) luotong@kysec.cn liushuxun@kysec.cn 半导体 沪深300 证书编号:S0790522070002 证书编号:S0790122030106 24%12%0%-12%-24%-36%-48% 本周复盘:现货市场流速缓慢,供需双方博弈激烈 指数方面:据闪存市场数据,2024年第11周存储市场有所分化,NAND指数单周提升0.63%,DRAM指数单周下降0.02%,基本持平。价格方面:NAND Flash Wafer价格持平不变,DDR4 eTT资源跟随实际成交价小幅调涨;渠道市场方面,一季度淡季渠道需求平淡,渠道出现少量抛货现象,而成本端并未下降,因此行情整体变动不大,价格持平不变;行业市场方面,近期行业市场以少量备货需求为主,整体需求较淡,还有延迟提货的迹象,本周行业价格持平不变;嵌入式Flash方面,由于嵌入式资源供应依然有限,伴随现货市场嵌入式产品需求稳固,本周部分嵌入式价格上调:eMCP和uMCP价格全面上涨( 周环比+2.8%/+5.5%), 部分eMMC和UFS价格上调 ( 周环比+1.5%/+1.4%),嵌入式LPDDR价格持平不变。 2023-03 2023-07 2023-11 2024-03 相关研究报告 利基型市场:DDR3供不应求,Q2价格有望调涨20% 供给方面,据闪德资讯报道,三星、SK海力士、美光三大原厂全力抢占HBM、DDR5等新兴市场,新产能均投入相关新品,逐渐退出DDR3市场,利基型DRAM产能供给减少。需求方面,近期随着AI、网通的需求增加,AI技术导入后终端产品对DDR3有容量升级的需求。价格方面,三大原厂已陆续于2023Q4起喊涨DDR3价格,随着市场供不应求,华邦也计划在2024Q2跟进涨价,将DDR3价格调升20%,幅度可观。2023H2以来,主流存储产品价格已明显回暖,随着利基型市场供需结构改善,DDR3等利基型存储产品有望接力上涨,实现存储芯片的全品类复苏,板块景气度持续提升。 大厂近况:开工率逐步提升,中国台厂营收连续多月同比高增 据闪德资讯报道,随着库存调整和智能手机市场需求转好,三星西安工厂稼动率正持续提升,目前已达70%;与此同时,铠侠计划在3月内将NAND稼动率提升至90%,大厂近期稼动率调升动作频繁,反应需求正逐步向好。大厂表现方面,随着价格逐步回暖,韩国2月存储芯片出口额同环比大幅双增(同比+108%/环比+14%),多家中国存储台厂营收连续多月同比上涨,南亚科技、十铨等企业连续三月同比增长30%以上,势头良好。随着板块持续复苏,以及HBM和DDR5等产品的需求增长,相关公司有望充分受益,受益标的: (1)存储芯片:兆易创新、普冉股份、东芯股份、北京君正等; (2)存储模组:江波龙、德明利、协创数据、佰维存储等; (3)存储接口:澜起科技、聚辰股份等; (4)存储封测及HBM产业链:长电科技、通富微电、华天科技、香农芯创等 风险提示:需求复苏不及预期,行业竞争加剧,公司新品研发进度不及预期。 附表1:存储板块本周热点新闻速递类型 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 2/12 附图1:指数:2024年第11周NAND指数提升0.63% 附图2:指数:2024年第11周DRAM指数下降0.02% 附表2:价格复盘:2024年第11周Wafer价格持平 附表3:价格复盘:2024年第11周DDR价格有涨有跌,平均微涨 附表4:价格复盘:2024年第11周SSD(渠道市场)价格持平 附表5:价格复盘:2024年第11周SSD(行业市场)价格持平 附表6:价格复盘:2024年第11周内存条(渠道市场)价格持平 附表7:价格复盘:2024年第11周内存条(行业市场)价格持平 附表8:价格复盘:2024年3月内存条(服务器)价格平均上涨5.1% 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 4/12 附表9:价格复盘:2024年第11周eMMC价格平均上涨1.5% 附表10:价格复盘:2024年第11周eMCP价格平均上涨2.8% 附表11:价格复盘:2024年第11周LPDDR价格持平 附表12:价格复盘:2024年第11周UFS价格平均上涨1.4% 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 5/12 附表13:价格复盘:2024年第11周uMCP价格平均上涨5.5% 附表14:价格预测:预计2024Q1 DRAM产品合约价上涨13%-18% 附表15:价格预测:预计2024Q1NAND FLASH产品合约价上涨15%-20% 附表16:价格预测:2024年DRAM & NAND FLASH产品合约价格全年看涨 附表17:需求预测:预计2024年三大终端DRAM/NAND单机平均搭载容量将同比增加 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 6/12 附表18:需求预测:2024年智能手机、服务器、PC出货量预计同比增长4%/2%/8% 附图3:供给侧:2023Q4 DRAM市场CR3高达96.6% 附图4:供给侧:2023Q4 NAND市场CR5高达94.1% 附表19:供给侧:海外三大原厂集体调升2024Q1-Q2稼动率 附图5:热点赛道:三大原厂HBM3e预计于2024H2逐季放量 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 7/12 附表19:热点赛道:2023-2024 HBM市场竞争格局预计将由三星和SK海力士主导 附图6:整体供需:2024年DRAM位元需求有望增长 附图7:整体供需:2024年NAND位元需求有望增长 附图8:大厂表现:2023Q4行业营收高速增长,三星表现亮眼 附图9:大厂表现:2023Q4多家中国大陆厂商营收同环比增长 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 8/12 附图10:大厂表现:2023Q4多数全球存储大厂季度营收环比上升 附图11:大厂表现:2023Q4全球多数存储大厂毛利率环比上升 附图12:大厂表现:2023Q4全球多数存储大厂净利率环比修复 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 9/12 附图13:大厂表现: 2023M12 以来,多数中国存储台厂营收同比持续上涨 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 10/12