东吴电子|多因素持续催化，重点推荐存储板块
【东吴电子|多因素持续催化，重点推荐存储板块】 1）NVIDIA发布H200，H200是首款提供HBM3e的GPU，借助HBM3e，显存带宽从H100的3.35TB/s增加到了4.8TB/s，提升43%， 141GB显存与H100的80GB相比直接提升76%。 2）当前NandDram涨价明趋势确立，龙头大厂三星预计第四季将NAND芯片价格调涨10％以上，明年一二季度持续涨价 【东吴电子|多因素持续催化，重点推荐存储板块】 1）NVIDIA发布H200，H200是首款提供HBM3e的GPU，借助HBM3e，显存带宽从H100的3.35TB/s增加到了4.8TB/s，提升43%， 141GB显存与H100的80GB相比直接提升76%。 2）当前NandDram涨价明趋势确立，龙头大厂三星预计第四季将NAND芯片价格调涨10％以上，明年一二季度持续涨价10%-20%，存储位元需求提升趋势不可逆。 3）需求端来看手机、笔电、服务器、可穿戴等需求有望环比提升，AI、AR/VR新品、智能汽车等有望持续拉动存储需求。 4）国内两大原厂扩产增资落地，国产厂商DRAM和NAND的技术水平向海外主流水平靠近，份额占比逐步提升，存储国产化主线确立。模组厂库存持续提升，明确备货看好Q4及明年涨价趋势及需求情况。 红包建议关注：香农芯创、同有科技、万润科技、朗科科技、深科技、雅克科技、兆易创新、江波龙、佰维存储、恒烁股份等。
