兆易创新大幅上调2026年DRAM采购额,全年预计从57.11亿元上修至78.54亿元,增幅达37.5%。其中,2026年1-8月采购35.96亿元,后续月份(9月-12月及2027年1-4月)预计采购额分别为42.58亿元和44.11亿元,呈现环比持续提升趋势。这一调整反映了公司对未来市场需求的积极预期,也体现了其在3D DRAM领域的战略布局。
3D DRAM通过TSV、混合键合等先进3D封装技术实现,推动DRAM从标准化器件走向定制化,单GB价值量显著高于标准DRAM,成为新的业绩增长点。该技术通过垂直堆叠方式提升存储密度和性能,适用于AI加速芯片等高需求场景。兆易创新在3D DRAM量产应用中领先,小米玄戒O100为行业首颗采用6nm 3D晶圆级堆叠的AI加速芯片,预计2027年量产上市,标志着3D DRAM技术进入商业化应用新阶段。
报告重点分析了兆易创新在3D DRAM领域的战略布局和业绩增长点。通过上调DRAM采购额,公司不仅展现了对未来市场需求的信心,更突出了其在定制化存储产品方面的投入。报告指出,2027年采购金额增长部分原因来自定制化存储新产品的需求,这表明兆易创新正积极拓展3D DRAM在AI加速芯片等领域的应用,以实现业绩的持续增长。
当前3D DRAM市场正处于快速发展阶段,技术不断成熟,应用场景逐渐拓展。兆易创新作为行业领先者,已成功将3D DRAM技术应用于小米玄戒O100等高端产品中,展现了其技术实力和市场竞争力。随着更多企业加入3D DRAM研发和量产行列,市场竞争将日趋激烈,但同时也为行业带来了更多发展机遇。
研报提示的主要风险包括研发量产进度不及预期等。3D DRAM技术虽然前景广阔,但在研发和量产过程中仍面临诸多挑战,如技术难度大、成本高、良品率不稳定等。此外,市场竞争加剧也可能影响兆易创新的市场份额和盈利能力。因此,投资者需关注公司研发进展和市场动态,以评估潜在风险。