兆易创新 3DDRAM趋势确定 兆易创新已走在前列 大幅上调

该报告指出3D DRAM通过TSV、混合键合等先进封装技术推动DRAM从标准化器件走向定制化，单GB价值量显著提升。兆易创新已布局定制化3D DRAM产品，小米玄戒O100芯片采用6nm 3D晶圆级堆叠技术，预计2027年量产，彰显其行业领先地位。报告还提到长鑫采购金额大幅上调，2026年预计78.54亿元，2027年量价齐升，兆易创新受益于该趋势。

3D DRAM通过TSV、混合键合等先进封装技术，推动DRAM从标准化器件走向定制化，单GB价值量显著提升，成为新的业绩增长点。该技术已成为行业趋势，兆易创新已布局定制化3D DRAM产品，小米玄戒O100芯片采用6nm 3D晶圆级堆叠技术，预计2027年量产，彰显其在行业中的领先地位。未来市场预计将实现量价齐升。

报告重点分析了兆易创新在3D DRAM领域的布局和领先地位。公司已布局定制化3D DRAM产品，小米玄戒O100芯片采用6nm 3D晶圆级堆叠技术，预计2027年量产。报告还提到兆易创新通过定制化新产品采购金额的增长，已提前布局并受益于3D DRAM趋势。

3D DRAM市场通过TSV、混合键合等先进封装技术，推动DRAM从标准化器件走向定制化，单GB价值量显著提升，已成为新的业绩增长点。兆易创新已布局定制化3D DRAM产品，小米玄戒O100芯片采用6nm 3D晶圆级堆叠技术，预计2027年量产，彰显其在行业中的领先地位。长鑫采购金额大幅上调，2026年预计78.54亿元，2027年市场预计将实现量价齐升。

研报提示需关注研发量产进度不及预期的风险因素。3D DRAM技术虽已成为趋势，但实际量产进度可能存在不确定性。兆易创新虽已布局定制化3D DRAM产品，但需关注研发和量产的具体进展，以及市场竞争和客户需求的变化。