高盛 中国AI考察行 长光华芯 688048 董事长调研纪要 EML与CW激光器产能强劲爬坡

长光华芯的研报主要围绕公司产能扩张和产品结构展开，重点介绍了EML和CW激光器的产能爬坡情况。2026年三季度激光器月产能环比增长三位数，四季度再实现三位数环比增长。公司具备InP外延片自主生产能力，InP衬底设备供应虽偏紧但前期准备充分，后端产能扩张周期约3个月。2027年预期产能以EML为主导（100G占大头，200G同步推进），CW激光器为辅。此外，报告还提及了高端激光器的规格升级与量产节奏，包括100G EML已量产，200G EML预计2027年随1.6T光模块迁移开始出货，CW激光器主力产品为70mW/100mW，400mW产品处于开发阶段，以及100G VCSEL已出货，放量节奏依赖客户CPO推进节奏及短距连接场景的技术路线选择。

光网络行业正朝着高速率、低功耗、高密度/带宽及低时延的方向迁移，规格升级与健康竞争态势明确。长光华芯作为IDM模式的高功率激光芯片厂商，产品覆盖GaAs、GaN及InP，业务正从工业向汽车与AI数据中心光网络领域拓展。行业技术向高速率、低功耗、高密度/带宽及低时延迁移，规格升级与健康竞争态势明确。长光华芯作为IDM模式的高功率激光芯片厂商，产品覆盖GaAs、GaN及InP，业务正从工业向汽车与AI数据中心光网络领域拓展。

报告重点分析了长光华芯在光网络领域的产能扩张和产品结构，特别是EML和CW激光器的产能爬坡情况。2026年三季度激光器（含EML与CW激光器）月产能环比增长三位数，四季度再实现三位数环比增长。公司具备InP外延片自主生产能力，InP衬底设备供应虽偏紧但前期准备充分，后端产能扩张周期约3个月。2027年预期产能以EML为主导（100G占大头，200G同步推进），CW激光器为辅。此外，报告还分析了高端激光器的规格升级与量产节奏，包括100G EML已量产，200G EML预计2027年随1.6T光模块迁移开始出货，CW激光器主力产品为70mW/100mW，400mW产品处于开发阶段，以及100G VCSEL已出货，放量节奏依赖客户CPO推进节奏及短距连接场景的技术路线选择。

目前光网络市场正处于高速发展期，技术向高速率、低功耗、高密度/带宽及低时延迁移，规格升级与健康竞争态势明确。长光华芯作为IDM模式的高功率激光芯片厂商，正加速产能扩张以捕捉AI数据中心光网络增长红利。公司具备InP外延片自主生产能力，InP衬底设备供应虽偏紧但前期准备充分，后端产能扩张周期约3个月。2026年三季度激光器（含EML与CW激光器）月产能环比增长三位数，四季度再实现三位数环比增长。2027年预期产能以EML为主导（100G占大头，200G同步推进），CW激光器为辅。此外，高端激光器如100G EML已量产，200G EML预计2027年随1.6T光模块迁移开始出货，CW激光器主力产品为70mW/100mW，400mW产品处于开发阶段，100G VCSEL已出货，放量节奏依赖客户CPO推进节奏及短距连接场景的技术路线选择。

研报中提示的主要风险包括供应链风险，特别是InP衬底设备供应偏紧，虽然公司前期准备充分，但后端产能扩张周期约3个月，可能存在供应不稳定的风险。此外，光网络行业技术迭代迅速，规格升级频繁，公司需要持续投入研发以保持技术领先，否则可能面临竞争压力。同时，公司业务拓展至汽车与AI数据中心光网络领域，新赛道的市场接受度和客户渗透率存在不确定性，可能影响业绩增长。此外，高端激光器的量产节奏依赖客户CPO推进节奏及短距连接场景的技术路线选择，若技术路线选择发生变化，可能影响公司产品的市场需求。