高盛 中国AI考察行 长光华芯 688048 董事长调研纪要

长光华芯调研纪要显示，管理层对光网络终端市场需求高度乐观，公司正深化客户渗透并加速产能扩张，以捕捉AI数据中心光网络增长红利。行业技术向高速率、低功耗、高密度/带宽及低时延迁移，规格升级与健康竞争态势明确。长光华芯作为IDM模式的高功率激光芯片厂商，产品覆盖GaAs、GaN及InP，业务从工业拓展至汽车与AI数据中心光网络领域。产能方面，2026年三季度激光器月产能环比增长三位数，四季度再增长三位数，具备InP外延片自主生产能力。产品结构以EML为主导，100G与200G为主，CW激光器为辅。100G EML已量产，200G EML预计2027年随客户向1.6T光模块迁移而出货。100G VCSEL已出货，放量节奏取决于客户CPO推进节奏及短距连接场景的技术路线选择。GaAs VCSEL主要应用于LiDAR，盲点激光雷达预计成为2027年关键增长驱动。

光网络行业技术正向高速率、低功耗、高密度/带宽及低时延迁移，规格升级与健康竞争态势明确。AI数据中心光网络市场增长迅速，为激光芯片厂商带来发展机遇。长光华芯作为IDM模式厂商，产品覆盖GaAs、GaN及InP，业务拓展至汽车与AI数据中心领域。行业供应链方面，InP衬底设备供应偏紧但前期准备充分，后端产能扩张周期约3个月。产品结构以EML为主导，100G与200G为主，CW激光器为辅。100G EML已量产，200G EML预计2027年随客户向1.6T光模块迁移而出货。100G VCSEL已出货，放量节奏取决于客户CPO推进节奏及短距连接场景的技术路线选择。GaAs VCSEL主要应用于LiDAR，盲点激光雷达预计成为2027年关键增长驱动。

报告重点分析了长光华芯的光网络业务和高端激光器业务。光网络业务方面，公司正深化客户渗透并加速产能扩张，2026年三季度激光器（含EML与CW激光器）月产能环比增长三位数，四季度再增长三位数。具备InP外延片自主生产能力，InP衬底设备供应虽偏紧但前期准备充分，后端产能扩张周期约3个月。产品结构以EML为主导，2027年产能以100G与200G为主，CW激光器为辅。高端激光器业务方面，100G EML已量产，200G EML预计2027年随客户向1.6T光模块迁移而出货。主力产品为70mW/100mW CW激光器，400mW产品处于开发阶段。100G VCSEL已出货，放量节奏取决于客户CPO推进节奏及短距连接场景的技术路线选择。GaAs VCSEL主要应用于LiDAR，盲点激光雷达预计成为2027年关键增长驱动。

当前光网络市场呈现高速率、低功耗、高密度/带宽及低时延的技术迁移趋势，规格升级与健康竞争态势明确。AI数据中心光网络市场增长迅速，为激光芯片厂商带来发展机遇。长光华芯作为IDM模式厂商，产品覆盖GaAs、GaN及InP，业务拓展至汽车与AI数据中心领域。产能方面，2026年三季度激光器月产能环比增长三位数，四季度再增长三位数，具备InP外延片自主生产能力。产品结构以EML为主导，100G与200G为主，CW激光器为辅。100G EML已量产，200G EML预计2027年随客户向1.6T光模块迁移而出货。100G VCSEL已出货，放量节奏取决于客户CPO推进节奏及短距连接场景的技术路线选择。GaAs VCSEL主要应用于LiDAR，盲点激光雷达预计成为2027年关键增长驱动。供应链方面，InP衬底设备供应偏紧但前期准备充分，后端产能扩张周期约3个月。

研报未明确提示长光华芯的具体风险，但可从行业和市场角度分析潜在风险。首先，光网络行业技术快速迭代，若公司技术更新不及时可能面临竞争压力。其次，InP衬底设备供应偏紧可能影响产能扩张节奏，需关注供应链稳定性。再次，产品结构以EML为主导，若市场需求波动可能影响业绩表现。此外，100G VCSEL和GaAs VCSEL的放量节奏取决于客户CPO推进节奏及短距连接场景的技术路线选择，存在一定不确定性。最后，汽车电子领域应用拓展需关注市场竞争和政策变化。