磷化铟 6英寸衬底的壁垒和需求还没有被ShΙ场

6英寸衬底因1.6T/CPO技术需求，用于高密度CW激光阵列和多通道EML阵列，芯片面积大幅增加，4寸晶圆排布效率低、材料浪费严重。据Yole预测，2026年全球6寸InP衬底需求占比将突破62%，2029年将提升至80%以上。海外龙头新增外延产能均为6英寸，无法向下兼容小尺寸衬底，未来谁能供应6英寸衬底谁将受益于海外需求爆发。

6英寸扩产难点在于：1.原材料高纯铟、高纯红磷采购渠道少，现货少；2.生产磷化铟技术难，良率难以提升；3.客户认证周期长。全球能量产6英寸的企业很少，海外主流厂商日本住友受G oμ内铟出口影响，存在产能减产风险；G oμ内受日本电子级红磷出口限制，扩产原料也受限。

行业共识认为，下一代高端光芯片将默认采用6寸版图，不再开发4寸版本。AI驱动下，磷化铟需求年增速达50%以上，英伟达预测2026-2030年InP晶圆需求将激增约20倍。全球仅光智科技能自供铟和红磷，未来全球6英寸需求大爆发下，能自供原材料并自研设备的企业只有光智科技，产业尚未充分认知到未来6英寸需求爆发和供给短缺问题。

当前存在约束：MOCVD设备和InP长晶炉交期长达2-3年，厂房建设周期长。全球能量产6英寸的企业很少，海外主流厂商日本住友受G oμ内铟出口影响，存在产能减产风险；G oμ内受日本电子级红磷出口限制，扩产原料也受限。目前全球仅光智科技能自供铟和红磷。

6英寸扩产难点在于原材料采购渠道少、现货少，生产技术难度大、良率难以提升，客户认证周期长。海外厂商受G oμ内铟、红磷出口限制影响，存在产能减产风险。产业尚未充分认知到未来6英寸需求爆发和供给短缺问题，存在市场风险。