根据研报,1.6T/CPO技术需要高密度CW激光阵列和多通道EML阵列,芯片面积大幅增加,4寸晶圆排布效率低、材料浪费严重,只有6寸衬底才有足够空间进行阵列化设计。行业共识认为下一代高端光芯片将默认采用6寸版图。据Yole预测,2026年全球6寸InP衬底需求占比将突破62%,2029年将提升至80%以上。海外龙头新增外延产能均为6英寸,且无法向下兼容小尺寸衬底,未来谁能供应6英寸衬底谁将受益于海外需求爆发。
根据研报,目前6英寸扩产难点在于:1.原材料高纯铟和高纯红磷采购渠道少、现货少;2.生产磷化铟技术难度大、良率难以提升;3.客户认证周期长。全球能量产6英寸衬底的企业很少,海外主流厂商日本住友受国内铟出口影响存在减产风险,国内受日本电子级红磷出口限制,扩产原料也受限。
根据研报,AI驱动下,磷化铟需求年增速达50%以上,英伟达预测2026-2030年InP晶圆需求将激增约20倍。行业共识认为下一代高端光芯片将默认采用6寸版图,不再开发4寸版本。全球唯一能自供铟和红磷的企业是光智科技。未来全球6英寸需求大爆发下,能自供原材料并自研设备的企业只有光智科技,产业尚未充分认知到需求爆发和供给短缺。
根据研报,全球能量产6英寸衬底的企业很少,海外主流厂商日本住友受国内铟出口影响存在减产风险,国内受日本电子级红磷出口限制,扩产原料也受限。目前6英寸扩产难点在于原材料采购渠道少、现货少,生产技术难度大、良率难以提升,客户认证周期长。
根据研报,全球能量产6英寸衬底的企业很少,海外主流厂商日本住友受国内铟出口影响存在减产风险,国内受日本电子级红磷出口限制,扩产原料也受限。MOCVD设备和InP长晶炉交期长达2-3年,厂房建设周期长。目前6英寸扩产难点在于原材料高纯铟和高纯红磷采购渠道少、现货少,生产磷化铟技术难度大、良率难以提升,客户认证周期长。目前产业尚未充分认知到需求爆发和供给短缺的风险。