该研报指出兆易创新定制化DRAM在AI时代的重要性,强调3DDRAM是确定性技术路径,高通AI250芯片将采用此方案。兆易存储客户项目进展顺利,云+端持续推进,今年催化密集,预计将迎来业绩弹性。
AI时代DRAM行业趋势明显,3DDRAM成为关键技术方向。小米玄戒O100芯片采用6nm晶圆级垂直堆叠和HybridBonding工艺,实现超高带宽和推理速度。兆易创新定制化DRAM方案将受益于云和端侧AI需求增长,市场持续缺货涨价,客群带上移,大消费和大工业客群份额提升。
研报重点分析了兆易创新定制化DRAM的技术进展与市场应用,包括其在云和端侧AI场景的布局。同时关注了Flash和SLCNAND市场动态,如NOR AI敞口提升、MLCNAND布局等,以及DRAM市场客群变化和服务器需求增长对市场格局的影响。
当前DRAM市场持续缺货涨价,客群带上移,大客户客群稳定。大消费和大工业领域份额提升,服务器需求逐渐增加并挤占其他领域需求。兆易创新定制化DRAM受益于这一趋势,其客户项目进展顺利,预计将迎来业绩弹性。
研报提示的主要风险包括需求不及预期可能影响市场表现。此外,技术路线变化或竞争加剧也可能对兆易创新定制化DRAM的市场地位产生影响。需要关注行业动态和客户需求变化,以应对潜在的市场风险。