拓荆科技2026年H1业绩高速增长,主要得益于先进产品持续放量、规模效应释放、新产品及新工艺设备量产应用,推动盈利能力显著提升。薄膜沉积设备(PECVD、ALD)及先进封装设备加速放量,市场拓展顺利。营收29.13亿元,同比+49.1%;净利润13.43亿元,同比+1324.1%。毛利率41.0%,同比+9.0pct;销售净利率45.4%,同比+41.2pct。研发投入4.23亿元,同比+21.1%。
半导体设备赛道中,薄膜沉积设备(PECVD、ALD)和先进封装设备是关键增长领域。PECVD设备持续扩产,累计出货超480个反应腔;ALD设备量产规模快速攀升,并拓展AlN、Al2O3等新工艺。先进封装设备如熔融键合、键合界面空洞修复等产品不断拓展,新一代高速高精度混合键合产品验证顺利。国产化率提升和先进工艺需求推动该赛道持续发展。
研报重点分析了拓荆科技在薄膜沉积设备(PECVD、ALD)和先进封装设备领域的业务亮点。PECVD方面,多款先进工艺设备持续扩产,新平台PF-300L已出货验证;ALD方面,多台设备通过客户验证,量产规模快速攀升,并拓展新工艺。先进封装方面,拓展芯片对晶圆熔融键合等产品,新一代混合键合产品验证顺利。这些亮点显示公司技术领先和客户认可。
当前半导体设备市场呈现国产化加速和高端产品放量的趋势。薄膜沉积设备(PECVD、ALD)和先进封装设备需求旺盛,市场拓展顺利。拓荆科技在相关领域产品持续放量,营收和利润高速增长,毛利率和净利率显著提升。但市场竞争加剧,技术迭代快,企业需持续加大研发投入以保持领先地位。
研报提示的主要风险包括下游需求波动和国产化率提升不及预期。半导体行业周期性波动可能影响设备需求,而国产化率提升过程中若技术或良率问题导致替代进度缓慢,可能影响公司市场份额和业绩增长。此外,新产品的市场接受度和客户验证进度也存在不确定性。