这份研报的核心内容是分析国产算力板块的反转机会。报告指出最大空头已离场,核心fab厂如华虹、SMIC等反弹力度相对较小,后续反弹空间较大。Q2业绩预计良好,9月底访美事件被视为重要催化,华为“韬芯片”或成筹码,标志里程碑意义。在DUV光刻机限制下,国产算力寻求另辟蹊径。报告还推荐核心fab厂作为投资方向,认为其受益于国产算力需求增长及政策支持。
国产算力赛道的发展趋势向好。随着国产算力需求增长和政策支持,核心fab厂受益匪浅。最大空头已离场,市场信心逐步恢复,后续反弹空间较大。Q2业绩预计良好,9月底访美事件为重要催化,华为“韬芯片”或成筹码,标志里程碑意义。在DUV光刻机限制下,国产算力寻求技术突破,另辟蹊径。HBM缺货利好算力租赁板块,长鑫科技HBM进展良好,明年国产AI芯片放量将依赖长鑫HBM放量,持续利好算力租赁板块。
研报重点分析了国产算力板块的反转机会和核心fab厂的投资价值。报告指出最大空头已离场,核心fab厂反弹力度相对较小,后续反弹空间较大。Q2业绩预计良好,9月底访美事件为重要催化,华为“韬芯片”或成筹码,标志里程碑意义。报告还推荐核心fab厂作为投资方向,认为其受益于国产算力需求增长及政策支持。此外,HBM缺货利好算力租赁板块,长鑫科技HBM进展良好,明年国产AI芯片放量将依赖长鑫HBM放量,持续利好算力租赁板块。
当前国产算力市场处于反转机会阶段。最大空头已离场,市场信心逐步恢复,核心fab厂反弹力度相对较小,后续反弹空间较大。Q2业绩预计良好,9月底访美事件被视为重要催化,华为“韬芯片”或成筹码,标志里程碑意义。在DUV光刻机限制下,国产算力寻求技术突破,另辟蹊径。HBM缺货利好算力租赁板块,长鑫科技HBM进展良好,明年国产AI芯片放量将依赖长鑫HBM放量,持续利好算力租赁板块。国产算力板块成长逻辑明确,Dram核心逻辑为成长,北美HBM谈判进一步验证板块价值。
研报提示的风险主要集中在技术突破和外部环境变化方面。尽管国产算力市场处于反转机会阶段,但技术突破仍需时间,DUV光刻机限制下另辟蹊径的路径尚不明确。此外,9月底访美事件虽被视为重要催化,但也存在不确定性,可能影响市场情绪和后续发展。HBM缺货虽利好算力租赁板块,但长鑫科技HBM的放量仍需时间,存在技术风险。总体而言,国产算力板块成长逻辑明确,但仍需关注技术突破和外部环境变化带来的风险。