中国存储 专家电话会议要点 产能 产品 价格 买入中国半导体设备

本次研讨会围绕中国DRAM产能扩张、产品开发及价格趋势展开，核心观点如下：

1. 产能持续扩张
   专家对本土DRAM供应商未来数年产能扩张持乐观态度，预计到2030年，行业头部公司年产能将翻倍以上。合肥、上海、北京三地的扩建项目计划于2028年前全面投产，2028年后超大型生产基地将逐步释放产能，推动本土DRAM供给规模持续提升。新增产线将批量导入本土半导体设备，部分工厂除光刻机外其余设备以国产为主。

2. 产品迭代开发
   本土DRAM供应商芯片产品将持续迭代升级，以国内龙头为例，其研发取得突破，但自研产品性能仍落后于全球同行（如芯片运行速度存在差距）。2026年核心目标是实现HBM3、HBM3E产品量产。受限于高端设备（如EUV光刻机）供给，本土供应商将依赖DUV或创新工艺推进3D DRAM研发，预计2027年迎来技术突破。

3. 存储芯片价格走势
   尽管本土DRAM良率仍有劣势，但产品定价已与全球一线厂商接近。预计2026年Q3/Q4价格涨幅将低于上半年，主要因手机厂商压制采购报价。但AI算力需求强劲，将支撑2027年价格上行。全球头部厂商短期内不会削减HBM产能，存储芯片供应商与下游客户将签订更多长期合约，有利于市场价格稳定。