需求端：存储行业处于扩产周期，同时工艺迭代导致单耗提升，全球WF₆需求持续增长。产业在线数据显示，全球WF₆消费量2020-2025年复合增速14%，预计2030年达15050吨（年复合增速11%）。增长驱动因素包括：
1）海内外晶圆厂大规模资本开支：①海外，三星扩建平泽P4、光州NAND基地；SK海力士新建清州NAND工厂（目标30年DRAM月产能近100万片）；美光扩建日本广岛HBM产线（预计28年出货）；美国、新加坡产线持续落地。②国内，长江存储武汉三期预计26年投产；长鑫科技募资扩建DRAM与HBM产线；中芯国际、华虹无锡九厂等持续扩产（26-28年国内产能集中释放）。
2）工艺迭代抬升单耗：①3D NAND，从128层向300层以上迭代，单片WF₆用量大幅提升；②HBM高带宽存储，互连密度、接触孔数量远超普通DRAM，单耗显著高于标准存储；③先进逻辑芯片，7/5/3nm制程晶体管密度提升，单片耗材稳步上行。
供给端：日系高端产能刚性收缩，国产替代迎来黄金窗口。
1）国内钨出口管制导致日系减产：全球WF₆总产能约10000吨，日系（关东电化+中央硝子）占比超20%，韩系（SK Specialty+Foosung）占比25%-30%。中国钨资源占全球80%以上，但受两用物项出口管制，26年2-4月对日钨粉出口归零，日本两大供应商已停止向台积电、三星、SK海力士供货。电子特气供应商导入周期长达2-5年，技术壁垒高，预计缺口中期难被补齐。
2）国产企业迎份额提升机遇：中船特气（2000吨）、昊华科技（600吨）、中巨芯（600吨）已具备供货能力。中船特气覆盖台积电、美光等海外大厂；中巨芯突破国内中芯、华虹；昊华科技已给国内主流厂商批量供货并推进海外认证。国产企业将受益于日系产能降低，迎来份额提升+享受国际定价的窗口期。
供需错配+钨粉价上涨双重驱动，WF₆价格大幅上行：26年1-5月WF₆出口单价同比涨幅达312%（5月涨幅312%）。国内现货市场6月5N级WF₆报价同比上涨232.7%，6N产品报价较4月初涨幅超190%，7N长协价上涨超190%。韩国SKS、Foosung产品涨价70%-90%。行业调价机制已从年度长协调价切换为季度、月度联动，原料上涨可快速传导；部分海外客户以长协锁定订单，价格让步换取增量供应，国产产品盈利空间持续拓宽。
投资建议：重点关注兼具产能+全球客户供应能力的中船特气、昊华科技、中巨芯。
1）中船特气：国内WF₆龙头，当前/27年产能2000/3000吨，已完成台积电、美光、海力士等头部晶圆厂认证。
2）昊华科技：现有600吨产能，产品已通过国内多家晶圆厂验证，电子特气业务预计贡献增量。
3）中巨芯：拥有600吨高纯六氟化钨产能，深度绑定中芯、华虹等本土核心晶圆，未来海外市场也将寻求更大突破。
风险提示：日系厂商供给修复；国内新增产能过大；晶圆厂扩产不及预期；上游钨价波动；客户认证不及预期；以钼代钨风险。
