核心观点与关键数据
- PLP面板级封装:日月光开发出业界首条自动化310mm×310mm面板级封装(FOPLP)产线,预计2027年上半年量产,兼容FOCoS及FOCoS-Bridge先进封装平台,线宽/间距分别达到2/2μm和8/8μm,满足AI/HPC高算力芯片需求。相较传统300mm圆晶圆封装,310mm×310mm矩形面板提供约96,100mm²有效加工面积,提升单次封装芯片数量、材料利用率和生产效率。
- CoPoS技术:本质是面板级封装的延伸,以大尺寸RDLPanel及玻璃基板替代传统CoWoS硅中介层,实现更大封装面积和更高互连密度,提升平整度、尺寸稳定性及翘曲控制能力。台积电CoPoS、日月光FOPLP及力成PanelFan-Out等技术路径虽不同,但底层逻辑一致。
- 产业链受益环节:
- 曝光:载体向大尺寸Panel升级后,设备需升级光学成像系统、高精度运动平台及对位补偿技术,带动曝光设备价值量提升。
- 电镀:面板尺寸扩大后,需升级电镀槽体设计、流场控制及工艺稳定性,解决铜层厚度均匀性、边缘效应及缺陷控制难题。
- 检测:面板面积增加及良率要求提升,带动AOI、AVI、3D量测、翘曲检测及Overlay量测等检测需求增长。
- 键合:封装对高精度贴装与键合能力要求提升。
mSAP工艺升级
- 光模块应用:800G是PCB工艺升级关键点,1.6T进入mSAP主导阶段。400G光模块采用高阶HDI工艺,800G需mSAP实现更细线宽线距和更高互连密度,1.6T采用6-7阶HDI、16层以上高层数设计,集成挖槽、埋孔等特殊工艺。
- 产业链受益环节:
- 电镀:图形电镀产线需求增长,垂直连续电镀(VCP)为核心增量设备。
- 曝光设备:线路精度向25μm及以下演进,高精度激光直接成像设备为关键。
- 激光钻孔设备:孔径需控制在60μm左右,对精度和效率要求较高。
- 显影设备:图形电镀前需通过显影工艺形成待镀线路图形,对均匀性和工艺稳定性要求提升。
- 检测:线路精细化推动AOI等检测设备向更高解析度升级。
投资建议
- LDI直接成像环节:芯碁微装(688630.SH)
- 电镀环节:东威科技(688700.SH)
- 激光钻孔环节:大族数控(301200.SZ)、芯碁微装(688630.SH)
- 显影/蚀刻/去膜线环节:盛美上海(688082.SH)
- 真空压合环节:大族数控(301200.SZ)
风险提示
- 先进封装与PCB技术迭代与量产不及预期风险
- 设备研发适配不及预期风险
- 下游需求波动风险