中信证券前瞻美光科技MUFY26Q2业绩速评业绩及指引继续大超预期F

业绩概览

• 当季营收239亿美元，同比增长196%，环比增长75%，超出公司指引（183-191亿美元）和彭博一致预期（197亿美元）。
• 当季Non-GAAP毛利率74.9%，同比增长37个百分点，环比增长18.1个百分点，超出公司指引（67%-69%）和彭博一致预期（69.1%）。
• 当季Non-GAAP净利润140亿美元，同比增长686%，环比增长156%，对应EPS为12.20美元，超出公司指引（8.22-8.62美元）和彭博一致预期（9.00美元）。

业绩指引

• 预计FY26Q3营业收入327.5-342.5亿美元，高于彭博一致预期（236.6亿美元）。
• 预计FY26Q3 Non-GAAP毛利率约81%，高于彭博一致预期（72.4%）。
• 预计FY26Q3 Non-GAAP EPS为18.75-19.55美元，高于彭博一致预期（11.22美元）。

业务概况

• DRAM：当季营收188亿美元，占总营收79%，bit出货量环比增长中个位数，ASPs环比增长中60s。
• NAND：当季营收50亿美元，占总营收21%，bit出货量环比增长低个位数，ASPs环比增长高70s。

HBM业务

• HBM4：已开始批量出货36GB 12H HBM4产品（英伟达Vera Rubin设计），预计良率将快于HBM3E；已sample 48GB 16H HBM4产品。
• HBM4E：开发顺利，预计2027年量产。

供需&其他

• 需求：预计FY26行业DRAM和NAND bit需求受供应限制，供不应求态势延续至FY26之后。
• 供给：预计FY26行业DRAM和NAND bit出货量分别增长低20s和约20%，公司自身出货量增长与行业保持一致。
• 资本开支：预计FY26资本开支超250亿美元（此前200亿美元），主要来自洁净室设施支出；预计FY27资本支出大幅增加，支持HBM和DRAM投资。
• 工厂进度：
  • 铜锣厂收购：交易提前完成，FY2028起支持产品出货，FY2026末前建第二个洁净室。
  • Idaho：预计2027年中首批晶圆产出，第二个晶圆厂场地准备工作已开始。
  • New York：首个晶圆厂已破土动工，场地准备工作提前。
  • Hiroshima：洁净室扩建场地准备工作进展良好。
  • 新加坡：决定建新NAND晶圆厂，预计2028年H2首批晶圆产出。