核心观点:供需错配逻辑由“周期复苏”向“长期结构性短缺”切换
产业趋势:从“短期补库”到“十年长效短缺”
- 供给侧硬约束:SK集团高层指出,全球内存缺口已超30%,受AI需求激增与生产系统性瓶颈叠加影响,短缺态势或将持续至2030年。
- 产能结构性挪位:英伟达Blackwell/Rubin系列芯片对HBM的极度渴求,挤压传统DRAM与NAND产能,形成“产能虹吸”效应,确保通用存储价格具备极强的抗波动性与上行势能。
- 剪刀差效应放大:中游厂商经营数据显示,前期低价库存与当前报价上行形成的利差正转化为扎实的报表利润。
- 激励目标背书:核心标的高标准的股权激励目标,为行业景气度跨越2026年提供底层逻辑支撑。
本周催化:全球共振,关注“美光时刻”
- 美光财报(北京时间3.19):股价新高,重点关注其对HBM3E产能释放及下一季度合约价的积极指引。
- GTC大会反馈:AI高发展下,存储高速+高容量需求为确定趋势。
建议关注标的
- 模组/分销:德明利、江波龙、佰维存储、朗科科技、香农芯创、协创数据、中电港等
- 存储设计:兆易创新、澜起科技、普冉股份、北京君正、聚辰股份、东芯股份、联芸科技等