核心观点
- 价格中枢上移驱动利润修复,板块进入盈利质量验证期。
- 涨价延续,产业链中游正迎来显著的业绩增厚。
价格端分析
- 原厂议价能力增强:三星计划Q2大幅上调NAND Flash报价,意图“利润收复”。
- 大缺货持续:AI算力需求驱动下,HBM对常规DRAM产能挤压效应显著(产能消耗约为普通DRAM的3倍以上),推升DDR5及服务器存储产品价格。
- 现货与合约共振:现货价格节后持续走高,Q2合约价预期涨幅具备超预期空间。
- 标杆效应:参考威刚等模组厂净利率水平,当前低价库存与高价销售的“剪刀差”环境下,产业链中游业绩显著增厚。
- 增长信心:德明利最新股权激励计划给出营收增长底线,反映核心标的对存储大周期持续性的底层信心。
逻辑端分析
- 产品位阶提升:国产模组厂(江波龙、佰维等)加速渗透头部品牌旗舰机型供应链,产品结构由中低端向高端持续进阶。
- 企业级存储:企业级存储相关固态硬盘+内存条收入近年倍增,卡位AI产业链。
本周重要催化
- 美光财报(3.19):关注其对下一季度指引的修整及资本开支变化。
- NVIDIA GTC:关注LPU及高性能存储方案对产业链的技术拉动。