核心观点与市场趋势
IGBT 市场已见底，预计 2026 年下半年明确回暖，2027 年迎来周期性反转。高端车规级与 IDM 模式企业更具弹性。新能源汽车为最大单一市场，预计 2026 年规模达 330 亿元；光伏储能受 1,500V 产品驱动，规模可达 570 亿元。2026Q2 订单预计环比增长 8%-15%，下半年增幅扩大至 20%；高端车规级、高压（>1,200V）产品存在结构性短缺。
需求表现与增长预期
截至 2026 年 3 月，IGBT 下游各领域需求分化：新能源汽车需求强劲，占整体市场 56%，单车价值量 600-3,900 元；光伏储能规模预计 570 亿元，1,500V 产品需求突出；工业控制领域稳定增长，占比 20%。行业周期底部回暖，2026 年下半年回暖，2027 年反转。结构性机会存在于高端车规级、低损耗 IGBT 产品及 IDM 模式企业。
订单与客户反馈
客户拿货意愿迫切，尤其大功率产品，市场供不应求，但大量备货仍持谨慎态度。订单量增加集中在新能源汽车、光伏逆变器（1,500V）、AI 算力、储能等领域。预计 2026 年 Q2 订单环比增长 8%-15%，下半年增幅 20%，爆发性增长需等到 2027 年。客户关注价格走势，原材料价格（如钨钼）上涨，地缘政治推高价格但难以回落。
涨价与供需情况
国内厂商发布涨价函，下游客户接受度有限，实际涨幅约 5%。涨价驱动因素包括原材料成本、AI/新能源汽车需求强度、供给端事件（如台积电退出 8 英寸产线）。整体产能供需均衡，仅少数特定产品（车规级、高压）短缺（约 10%）。涨价为结构性，主要在 8 英寸产线产品。
竞争与产能扩张
竞争激烈程度较 2023-2024 年缓和，头部厂商主导市场。斯达、士兰微、时代电气可能继续扩产，比亚迪增速放缓。比亚迪车规级竞争力第一，斯达其次，士兰微第三；未来潜力排序为斯达、比亚迪、士兰微。士兰微 IDM 模式成本优势优于 Fabless 模式斯达，但客户更看重产品性能。
SiC 应用与价格趋势
SiC 在光储渗透率达 40%，车用领域受特斯拉转向硅基影响，预计 2026 年价格持平或下降，用量线性增长。国内厂商产品差异不大，士兰微性能稍优，部分高端产品使用进口衬底。
斯达半导发展
第七代 IGBT 芯片已量产，对标英飞凌，技术差距约一年。与华虹半导体合作双平台量产，通过 IATF 16,949 认证。产能方面，与深蓝汽车合资工厂投产，一期 50 万片，二期 180 万片，模块项目 11.5 亿元。业务向 AI 渗透，新增低空飞行器等客户。
