基础化工行业周报：SiC价格触底，SST贡献新增长引擎

SiC价格触底，SST贡献新增长引擎。2024年由于行业产能扩张，4英寸和6英寸SiC外延片供应过剩，价格大幅下降，行业进入洗牌阶段；预计2026年6英寸SiC外延片价格维稳。8英寸SiC外延片生产效率大幅提升，可用面积增加78%，可切割芯片数量增加90%，但生产难度高，平均单价较高，截至2024年底全球具备成熟量产能力的不超过10家，供需格局相对改善。

SiC作为SST关键电子电力器件，SST架构有望为其贡献新增长动力。随着服务器功率密度提升趋近1MW，AIDC电源管理架构开始向800V HVDC过渡，SST架构具有高效率、高集成化，适配绿电直连，支持功率双向流动，有望取代柴发，成为880V HVDC终极实现方式。SiC器件在SST中的应用包括柜内电源管理模块（PSU）的PFC和DC-DC阶段，以及柜外整流侧（如级联H桥）和DC-DC隔离侧（如双向谐振转换器）。预计到2030年，全球800V数据中心潜在市场规模约11.5亿美元。

先进封装散热材料和AR眼镜有望成为SiC增长的潜在动力。AI芯片功率密度提升推动SiC在中介层和载板的应用；AR眼镜中SiC的高折射率特性使其在光波导中实现全彩显示，更轻薄且视野更广阔。

SiC存量市场双雄：新能源车与光储持续增长。新能源车领域800V高压平台渗透率有望从2025年的11%提升至2030年的35%以上；光伏+储能领域SiC器件推动光储迈向高效化与轻量化。

风险提示：技术路线迭代、商业化进展不及预期、竞争格局恶化。