基础化工行业周报：AI扩张驱动先进封装，混合键合有望加速，上游材料机会几何？

AI扩张驱动先进封装应用，混合键合是实现2.5D/3D先进封装的关键。生成式AI加速发展，超级云厂商保持大规模资本开支，对算力需求快速增长。摩尔定律面临瓶颈，每先进制程节点成本攀升，未来2.5D/3D先进封装及Chiplet结构成为提升芯片性能的关键路径，混合键合技术有望快速发展。

混合键合优势明显，相较于传统C2W热压键合：

1. 互联密度跃升15倍，凸点间距小于10μm；
2. 传输路径缩短，速度提升近12倍；
3. 精度达亚微米级，甚至50-100nm；
4. 带宽密度提高191倍；
5. 能效提高超过100倍，降低功耗；
6. 单次连接成本降低10倍。

混合键合近期加速应用领域：

1. AI逻辑芯片：AMD MI325 GPU、Zen5 EPYC CPU、英特尔Clearwater Forest CPU采用Chiplet架构及混合键合；
2. HBM芯片：HBM4开始使用更高节点基底芯片，混合键合有望从HBM 4e加速应用；
3. CPO：替代铜缆实现更高带宽，英伟达新型交换机Spectrum-X CPO将使用混合键合；
4. 消费电子：AI手机APU升级及AR眼镜Micro-LED推动技术发展。

介质材料（SiO₂、SiCN及高分子PI、COP、BCB）是混合键合技术的基石，提供机械支撑和键合强度，有机聚合物材料能更好吸收热膨胀系数不匹配产生的应力，减少芯片翘曲。

风险提示：技术路线迭代、下游需求波动、竞争格局恶化。

投资建议：增持（维持）。重点标的：

• 东阳光（600673.SH）：买入
• 晶泰控股（02228.HK）：买入
• 道氏技术（300409.SZ）：买入

预计到2030年，混合键合设备市场规模约100亿元。