- 价格:预计DRAM/NAND价格持续上涨。9月以来,闪迪、西部数据、三星电子相继宣布提价,预计25Q4延续涨价趋势,TrendForce预估25Q4一般型DRAM价格季增8-13%(含HBM为13-18%),NAND Flash合约价平均涨幅5-10%。
- 供给:海外原厂产能调整,存在产能短缺问题。受NAND Flash需求疲软、价格压力影响,Micron、三星、SK海力士等启动减产计划,主要通过降低稼动率和延后制程升级达成;同时,原厂将部分DRAM产能转至DDR5、HBM等高利润产品,并停产DDR4、LPDDR4X等旧制程产品,导致产能短缺。
- 需求:AI推动存储需求持续增长,看好本轮周期的持续性。HDD短缺推动SSD需求增长,AI推理应用推升实时存取、高速处理数据需求,导致NLHDD交期延长至52周以上;DRAM需求有望快速增长,ServerDRAM因CSP建置动能回温,DDR5需求持续增强,HBM需求扩张,YoleGroup预测2030年前HBM市场年复合增长率33%,营收将超DRAM市场50%。
- 投资建议:看好AI需求旺盛推动存储需求增长,同时海外原厂产能限制导致25Q4存储涨价趋势持续,看好本轮存储大周期。建议关注:兆易创新、德明利、佰维存储、普冉股份等。
- 风险提示:宏观经济波动风险;行业周期波动风险;市场需求不及预期风险;上游晶圆等原材料紧缺和价格波动风险;技术升级迭代和研发失败风险等。