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存储行业拐点已现,看好需求、控产共同驱动增长

2023-11-01樊志远国金证券罗***
存储行业拐点已现,看好需求、控产共同驱动增长

公司简介 公司是存储行业龙头企业之一,根据Statista,23Q2公司DRAM销售额市占率为25.8%,NAND销售额市占率为13.0%。受存储下行 美元(元)成交金额(百万元) 周期影响,23财年(2022.9~2023.8)公司营业收入为155.40亿 美元,同比-49.5%,净利润为-58.33亿美元,同比-167.1%。目前存储拐点已现,我们看好公司未来业绩弹性。 投资逻辑: 存储行业同时具备大宗商品与科技属性,是半导体各细分领域当中波动性最大的细分领域。根据WSTS,22、23年全球存储市场同比-15.65%/-35.24%,预计24年同比+43.18%。存储市场集中度高,根据Statista,23Q2全球DRAMCR3超95%,NANDCR3超68%。随着原厂控产,存储供需改善,23Q3DRAM、NAND合约价已经止跌,预计23Q4开始涨价。未来原厂资本开支收缩,叠加终端需求增长,看好控产与需求对存储价格共同驱动,开启下一轮存储上行周期。根据TrendForce,预计24年DRAM供给端、需求端分别增长11.1%/13.0%,NAND供给端、需求端分别增长3.6%/16.0%。 我们认为公司在未来上行周期当中,产品端有望量价齐升,估值端也具弹性,有望迎来戴维斯双击时刻。上轮存储周期,公司净利率、毛利率都较三星、海力士以及西部数据更高,同时公司PE、PS估值在上轮周期当中也较三星、海力士更具弹性。23Q4公司移动、嵌入式业务营收同比降幅明显收窄,从Q3的-58.4%/-53.2%提升至-19.9%/-17.1%。公司毛利从23Q3的-16.1%提升至-9.1%。 79.00 74.00 69.0064.0059.0054.0049.00 221031 成交金额美光科技 3,500 3,000 2,500 2,000 1,500 1,000 500 231030 0 公司基本情况(美元) 项目 FY22 FY23 FY24E FY25E FY26E 营业收入(百万元) 30,758 15,540 20,457 26,300 28,628 增长率(%) 11.0% -49.5% 31.6% 28.6% 8.9% EBITDA 16,784 2,020 5,907 12,007 13,566 归母净利润 8,687 -5,833 -2,664 3,281 4,227 增长率(%) 48.2% -167.1% 54.3% 223.2% 28.8% 每股收益-期末股本摊薄 7.94 -5.31 -2.43 2.99 3.85 每股净资产 45.62 40.18 37.41 40.06 43.47 市盈率(P/E) 7.22 -13.17 -27.23 22.11 17.16 市净率(P/B) 1.26 1.74 1.77 1.65 1.52 我们认为随着存储价格反弹、下游需求回暖,有望使公司产品单价与出货量提升,同时公司制程继续演进以及高毛利产品HBM3E已经推出送样,未来盈利能力有望改善。在估值弹性、盈利增长共同驱动下,我们认为公司有望充分受益未来上行周期。 盈利预测、估值和评级 预测24~26财年公司归母净利润分别为-26.64、32.81、42.27亿美元,EPS分别为-2.43、2.99、3.85美元。考虑公司业绩具备较大弹性,给予公司25财年27倍PE,对应目标价80.68美元,首次覆盖,予以“买入”评级。 风险提示 下游需求不及预期;原厂减产不及预期;行业竞争加剧风险;存货减值风险;产品迭代不及预期;产品禁售风险。 来源:公司年报、国金证券研究所 内容目录 一、存储市场周期性强弹性大,看好价格端控产与需求共同拉动4 1.1存储市场周期性明显、波动剧烈,24年反弹幅度有望大于半导体大盘4 1.2DRAM:CR3超95%,制程演进引入EUV加大壁垒,23Q4有望价格回弹6 1.3NAND:行业竞争格局较DRAM分散,23Q4价格回弹弹性较大8 1.4HBM受益AI芯片异军突起,三巨头鼎立之势有望长期保持9 1.5手机、PC、服务器需求回暖,看好价格段控产与需求共同驱动11 二、公司产品量价齐升+估值优势,有望迎来戴维斯双击13 2.1行业上行周期公司净利率、估值更具优势,有望充分受益未来上行周期13 2.2手机端、存储类营收已见改善,看好未来各应用共同驱动增长17 三、盈利预测与投资建议18 3.1盈利预测18 3.2投资建议20 四、风险提示20 图表目录 图表1:存储市场随半导体周期共振,但波动性大于整体半导体市场(单位:百万美元)4 图表2:销售额增速来看,存储芯片在细分领域当中弹性明显,每轮下跌周期1~2年,看好24年存储芯片复苏力度5 图表3:存储芯片销售额1999~2022年CAGR为6.23%,与整体半导体市场增速基本一致5 图表4:NAND、DRAM主要厂商加速减产6 图表5:DRAM市场行业集中度高,23Q2三星、海力士与美光合计DRAM营收占比95.5%6 图表6:DRAM三大原厂已经从1-α制程向1-β制程演进,先进制程需要EUV进行生产,行业壁垒进一步加大7图表7:全球DRAM产出在23Q3见底(单位:等价4Gb容量点百万颗)7 图表8:DRAM有望在23Q4进入供需紧平衡,价格基本企稳7 图表9:23Q4DRAM合约价有望上涨3~8%,其中PC、手机和利基型DRAM(GDDR、ConsumerDRAM)涨价幅度较大8 图表10:NAND行业除三星销售额占比超30%以外,其他国外主要原厂占比在10~20%8 图表11:NAND已经进入供需紧平衡,价格数月企稳有望四季度回升9 图表12:23Q4NAND合约价有望上涨8~13%,eMMC、UFS受益手机需求带动涨价幅度最大9 图表13:HBM是DRAM堆叠而成,可以与CPU或GPU通过中阶层快速连接10 图表14:HBM较GDDR5每瓦带宽提升三倍以上,能耗可以降低三倍以上10 图表15:英伟达、AMD目前主流AI训练芯片都采用HBM以增加带宽10 图表16:HBM难点在于TSV硅穿孔技术11 图表17:TSV技术未来有望引入混合键合,进一步提升技术壁垒11 图表18:目前全球仅海力士、三星、美光可以生产HBM产品11 图表19:24年全球手机出货量有望增长4.5%12 图表20:24年全球PC出货量有望增长3.7%12 图表21:服务器BMC芯片厂商信骅9月份营收环比增长32.1%,同比降幅收窄(单位:百万新台币)12 图表22:全球服务器出货量2024年有望同比增长2.3%(单位:千台)12 图表23:DRAM位元容量供给端23、24年增速均落后于需求端13 图表24:NAND位元容量供给端23、24年增速均落后于需求端13 图表25:NAND24年有望长期供小于求,价格弹性更大(2023年8月预测)13 图表26:DRAM24年有望长期供小于求,价格弹性小于NAND(2023年8月预测)13 图表27:17~18年上行周期中公司单季度收入同比增速最高超90%14 图表28:17~18年上行周期中,公司单季度毛利率最高达到61.03%,较最低点增长43.85pcts14 图表29:20~21年上行周期中,公司单季度收入同比增速最高位36.62%14 图表30:20~21年上行周期中,公司单季度毛利率最高达到47.28%,较最低点增长20.73pcts14 图表31:公司PS估值上一轮上行周期时较三星和海力士更高15 图表32:公司PE估值上一轮上行周期时较三星和海力士更高15 图表33:公司毛利率较无DRAM产品的NAND厂商西部数据毛利率在半导体上行周期更具优势(单位:%)15 图表34:公司净利率较无DRAM产品的NAND厂商西部数据净利率在半导体上行周期更具优势(单位:%)15 图表35:公司股价在上一轮半导体上行周期比西部数据弹性更大(单位:美元)16 图表36:公司在1-γ制程将引入EUV生产DRAM,预计2025年量产16 图表37:公司推出全球首个数据中心主流232层NAND17 图表38:公司率先推出HBM3E,预计24年初开始量产17 图表39:公司营收按下游分类变化情况(单位:百万美元)17 图表40:公司各下游业务non-GAAP营业利润率变化情况17 图表41:公司移动、存储业务营收同比降幅已经收窄(单位:%)18 图表42:公司毛利率与营业利润率已经有回升迹象(单位:%)18 图表43:公司各业务线营收与毛利率预测19 图表44:公司费用率测算(单位:百万美元)20 图表45:可比公司估值比较20 一、存储市场周期性强弹性大,看好价格端控产与需求共同拉动 1.1存储市场周期性明显、波动剧烈,24年反弹幅度有望大于半导体大盘 存储行业是半导体行业第二大细分市场,根据WSTS数据,2022年全球存储行业销售额达到1298亿美元,同比减少15.65%,22年全球半导体销售额5741亿美元,同比增长3.27%,存储行业销售额占半导体销售额的22.60%,2023年全球存储行业销售额预计为840.41亿美元同比减少35.24%,全球半导体销售额预计为5150.95亿美元,同比减少10.28%,存储行业销售额预计占比16.37%。WSTS预测,2024年全球半导体销售额预计增长11.82%,达到5759.97亿美元,而存储市场销售额预计增长43.18%,达到1203.26亿美元。 从历史数据来看,存储市场与半导体市场共振,但波动性大于整体半导体市场。由于相较于其他半导体细分领域如逻辑芯片、模拟芯片等,存储产品更类似大宗商品。存储芯片标准化程度高,不同厂商产品差异性较小,相互可替代性较高,因此更容易受到下游需求影响。当供需错配时,各厂商产品由于差异化低,且主要存储芯片厂商覆盖的下游行业也基本重合,因此容易产生价格的剧烈涨跌。当下游需求大于供给时,存储芯片进入价格上涨通道,存储芯片厂商盈利能力较强,会加大资本开支规模,通过扩产达到更大规模效应,以及技术迭代等方式,进一步压缩生产成本并扩大生产规模以期获得更大市占率。而在厂商持续扩产或下游需求收缩导致功供给大于需求时,厂商会不断降价保证市占率,直到某一厂商出清(如09年DRAM厂商奇梦达破产、12年DRAM厂商尔必达破产),或各主要厂商无法承担继续亏损共同控产,或下游需求提振重回供需平衡或供给紧张。因此存储市场较整体半导体市场具备更强波动性。 图表1:存储市场随半导体周期共振,但波动性大于整体半导体市场(单位:百万美元) 全球半导体销售额全球存储芯片销售额全球YoY存储YoY 700,00080% 600,00060% 500,00040% 400,00020% 300,0000% 200,000-20% 100,000-40% 0 来源:WSTS,国金证券研究所 -60% 从历史来看,每一轮存储周期从见顶到见底通常为1~2年:2000~2002年、2004年~2005年、2006年~2008年、2010年~2011年、2014~2016年、2017~2019年。而过去几个周期重回上升渠道后销售额增速大于前一轮的跌幅,主要由于下游需求长期看都处于增长状态,除了终端设备销量的回暖以外,单机存储容量也由于数据量的提升需要不断扩大,因此对存储芯片的整体规模也在扩大。一旦存储市场供需改善后,下游市场更大需求将拉动存储销售额提升。 由于存储行业相较于其他半导体市场大宗商品特性更加明显,因此波动性也更大,在进入上涨周期时,整体行业销售额具备更大弹性。长期看,存储行业增速与整体半导体市场增速基本一致,根据WSTS数据计算,1999~2022年全球半导体销售额CAGR为6.03%,而1999~2022年全球存储芯片销售额CAGR为6.23%。 图表2:销售额增速来看,存储芯片在细分领域当中弹性明显,每轮下跌周期1~2年,看好24年存储芯片复苏力度 分立器件光电子模拟芯片微处理器逻辑芯片存储芯片 80% 2000