2025存储技术趋势与展望报告：聚焦DRAM和NAND技术

DRAM 部分

• 市场与技术趋势：分析 DRAM 市场格局，包括三星、SK 海力士、美光等主要厂商，以及台南、华邦、PSMC 等其他厂商。涵盖 DDR/LPDDR/GDDR/HBM 等不同类型 DRAM 的技术节点（D/R, F）、线距（WL, BL）发展趋势。
• DRAM 单元设计：对比三星、SK 海力士、美光在 D1b(D1β) DRAM 单元设计上的差异。
• CXMT DRAM：重点关注 G4 DRAM 技术。
• HBM 应用：探讨混合键合技术在 HBM 应用的需求，由于 HBM 模块高度限制，需要更薄的芯片结构。

3D NAND 部分

• 市场与技术趋势：分析 NAND 市场格局，包括三星、SK 海力士/Solidigm、美光、铠侠、闪迪、YMTC 等主要厂商。关注 2xxL/2yyL 技术、混合键合等发展趋势。
• 市场份额：提供 NAND 市场按收入的份额数据。
• 芯片设计：详细分析 3D NAND 芯片设计要点。
• 存储密度趋势：探讨 TLC、QLC 技术 的存储密度发展趋势。
• 垂直栅极线距：分析 3D NAND 最小垂直栅极线距（VCP）的变化趋势。
• 模具厚度：提供模具厚度工程测量数据。
• 垂直通道孔设计：对比铠侠、YMTC、美光的垂直通道孔设计（OPS 设计），包括孔数和是否使用虚拟 VC。
• 具体案例：列举美光 276L、铠侠 218L、YMTC 267L 的详细设计参数，如主动 VC 数量、狭缝线距、VCP 等。
• 无阶 WLC 技术：介绍 YMTC 276L 的无阶 WLC 技术。
• 混合键合应用：探讨混合键合技术在 NAND 中的应用，包括 W2W 格式（YMTC Xtacking 1.0/2.0/3.0/4.0、铠侠 BiCS8 CBA 218L）的优势和挑战，如对齐、局部均匀性、机械应力、CMP 腐蚀空洞、清洁度、更小线距等问题。