【德邦电子】东芯股份:SLCNAND龙头,DRAM与NOR进展顺利,存储纯正标的 SLCNAND:国产龙头具强α+β属性,制程迭代至1Xnm 公司在SLCNAND产品布局完备,量产产品以中芯国际38/24nm;力积电28nm制程为主,容量覆盖512Mb至32Gb。目前,公司部分产品通过车规认证,且1Xnm产品已完成首轮流片与功能性验证,公司在该市场具备强α属性 【德邦电子】东芯股份:SLCNAND龙头,DRAM与NOR进展顺利,存储纯正标的 SLCNAND:国产龙头具强α+β属性,制程迭代至1Xnm 公司在SLCNAND产品布局完备,量产产品以中芯国际38/24nm;力积电28nm制程为主,容量覆盖512Mb至32Gb。目前,公司部分产品通过车规认证,且1Xnm产品已完成首轮流片与功能性验证,公司在该市场具备强α属性。 同时,国际龙头退出SLC市场,价格周期筑底+国产替代的β属性亦将助力成长。 DRAM与NOR:DRAM与NOR进展顺利,补全业务布局 公司DRAM产品包括DDR3(L)/LPDDR1/LPDDR2,在研的LPDDR4x以及PSRAM产品均已送样;同时公司512Mb/1Gb大容量NORFlash产品送样,且48nm产品通过车规认证。 更高制程与更高容量的产品持续开发,进一步补全产品业务布局。 投资建议:周期拐点+错位竞争助力公司成长 我们认为目前存储行业库存逐渐出清,供给端改善明显,23Q3望迎来拐点。公司业务覆盖NAND、DRAM、NOR,有望深度受益。 同时,公司聚焦利基产品(SLC、LPDDR2、DDR3等),有效与国际龙头错位竞争。 周期拐点在即,持续推荐! 风险提示:需求、技术迭代和贸易摩擦风险。