美光在10nm级DRAM领域取得领先,已向Intel和AMD交付1γ DDR5样品,并宣布出货该级别产品。其1γ DRAM基于1α和1β技术,采用11-12nm线宽,预计今年量产,属于第6代10nm级DRAM。美光通过高K金属栅极CMOS技术降低功耗,利用EUV光刻和设计优化将位密度提高30%,16Gb DDR5产品速度可达9200MT/s,较前代提升15%,功耗降低20%以上。目前美光主要在日本工厂生产1γ DRAM,计划扩大生产规模并增加EUV设备。三星和SK海力士也正推进第6代10nm级DRAM(韩称1c)的商业化,SK海力士已完成1c DDR5量产认证,计划最早在2月量产;三星预计在2025年6月前完成1c DRAM设计调整。