核心观点与关键数据
- 三星与长存合作:三星确认从V10开始采用长存的混合键合工艺,实现420-430层堆叠。
- 技术对比:此前三星采用COP工艺,长存采用X-tacking工艺(分别制造再键合),混合键合在400层以上3D NAND具有优势。
- 行业趋势:海力士亦宣布400层以上NAND将采用类似键合工艺,混合键合已成技术大势所趋。
研究结论
- 键合设备需求增长:龙头存储厂转向混合键合工艺,键合设备需求空间可期。
- 重点推荐:推荐国产混合键合设备龙头拓荆科技,公司供应长存及国内多家先进封装厂商,三星有潜在突破预期。