利基型存储包括利基型DRAM、NOR Flash和SLC NAND Flash,主要应用于消费电子、通信、物联网、工控、车规等市场,产品生命周期较标准型更长。2023年下半年以来,存储大厂收缩供给,数据中心等下游需求持续旺盛,NAND和DRAM价格逐渐回升,利基型存储价格仍在底部,涨幅不及标准型。未来海外大厂持续退出利基市场+消费市场复苏有望成为利基存储的回升动力。
利基型DRAM占DRAM份额稳定10%,制程升级、产品差异化是厂商竞争核心。国内厂商兆易创新、北京君正、东芯股份等布局了利基型DRAM产品,供需两侧均有积极变化:DDR5和HBM需求挤占产能,海力士、三星相继宣布退出DDR3,而AI终端有望带来利基型DRAM容量升级。
SLC NAND存储密度最小,但使用寿命更长。供给端,国内厂商主要有兆易创新、东芯股份、江波龙等,海外龙头三星在逐步退出SLC市场。传统网通工控设备升级换代SLC增长逻辑,大容量下SLC比NOR更具成本优势。AI终端渗透提升存储量需求,SLC大容量成本优势显著。
NOR Flash性能稳定,小容量场景下具成本优势。行业厂商三足鼎立,兆易创新跃居全球第二,此外普冉、恒烁、聚辰亦快速成长。制程迭代、容量升级为NOR的主要发展路径,车规NOR是国产厂商主要发力的增量市场。
全球利基型存储市场空间广阔,国产替代大有可为。2024年全球利基型DRAM/SLC NAND/NOR Flash市场规模预计分别为95.7亿美元/23亿美元/26.9亿美元。建议关注:兆易创新(NOR Flash/DRAM/SLC NAND)、东芯股份(SLC NAND/DRAM/NOR Flash)、北京君正(DRAM/SLC NAND/NOR Flash)、普冉股份(NOR Flash)、恒烁股份(NOR Flash)。