利基型存储深度报告：供需拐点已至，国产厂商百花齐放

利基型存储深度报告 供需拐点已至，国产厂商百花齐放2024年11月23日 利基型存储：专注特定应用需求场景。利基型存储指相对于主流存储产品占据较小市场份额的存储产品，主要包括利基型DRAM、SLCNAND和NORFlash等。产品属性上，利基型DRAM在制程和容量上落后主流存储若干代际，适用于较小容量存储场景。 从终端用途上看，利基型DRAM通常用于消费电子、通信、物联网、工控、车规等市场，产品生命周期较标准型更长；SLCNAND存储密度最小，但使用寿命更长，终端应用多为可靠性要求高的领域，如工业自动化设备、通信基站等；NORFlash则能够在芯片内直接运行小型程序，响应速度快，性能比NAND更稳定，且小容量下更具成本优势。 供需好转，利基型存储涨价拐点向上。存储芯片标准化程度高，可替代性强，具备大宗商品属性，其价格对供需敏感，价格呈强周期性。自23H2以来，受益于存储大厂收缩供给、数据中心等下游需求持续旺盛，NAND和DRAM价格逐渐回升。而利基型存储价格仍在底部，涨幅不及标准型。未来海外大厂持续退出利基市场+消费市场复苏有望成为利基存储的回升动力。 解读三大主要利基型产品的市场空间和成长路径。利基型存储有广阔市场空间，2024年全球利基型DRAM/SLCNAND/NORFlash市场规模预计分别为 95.7亿美元/23亿美元/26.9亿美元。各类型的供需格局如下： 1）利基型DRAM：利基型产品占DRAM份额稳定10%，制程升级、产品差异化是厂商竞争核心。国内厂商兆易创新、北京君正、东芯股份等布局了利基型DRAM产品，供需两侧均有积极变化：DDR5和HBM需求挤占产能，海力士、三星相继宣布退出DDR3，而AI终端有望带来利基型DRAM容量升级。2）SLCNAND：网通等传统应用中设备升级换代SLC增长逻辑，大容量下SLC比NOR更具成本优势。供给端，国内厂商主要有兆易创新、东芯股份、江波龙等，海外龙头三星在逐步退出SLC市场。 3）NORFlash：行业龙头多为台系厂商，本土厂商兆易创新2023年市占率跃居全球第二，此外普冉、恒烁、聚辰亦快速成长。制程迭代、容量升级为NOR的主要发展路径，车规NOR是国产厂商主要发力的增量市场。 投资建议：受益于高端存储供应紧张，原厂转移产能，利基型存储供需改善；叠加下游需求稳定增长，建议关注：兆易创新（NORFlash/DRAM/SLCNAND）、东芯股份（SLCNAND/DRAM/NORFlash）、北京君正（DRAM/SLCNAND/NORFlash）、普冉股份（NORFlash）、恒烁股份（NORFlash）。 风险提示：终端需求增长不及预期风险；存储行业供给超预期增长风险；行业竞争加剧风险 代码 简称 股价 EPS（元） PE（倍） 评级 重点公司盈利预测、估值与评级 603986.SH 兆易创新 （元） 84.38 2023A 0.24 2024E 1.74 2025E 2.55 2023A348 2024E48 2025E33 推荐 688766.SH 普冉股份 79.10 -0.46 2.85 3.51 / 28 23 推荐 300223.SZ 北京君正 68.10 1.12 0.93 1.24 61 73 55 推荐 688110.SH 东芯股份 22.17 -0.69 -0.03 0.32 / / 69 - 688416.SH 恒烁股份 33.01 -2.09 / / / / / - 资料来源：Wind，民生证券研究院预测;（注：股价为2024年11月22日收盘价，未覆盖公司盈利预测采用wind一致预期） 推荐维持评级 分析师方竞 执业证书：S0100521120004 邮箱：fangjing@mszq.com 分析师张文雨 执业证书：S0100524060002 邮箱：zhangwenyu@mszq.com 相关研究 1.电子行业动态：体验之AppleIntelligenceVS智谱GLM-2024/11/20 2.半导体行业周报：国产替代的脊梁-2024/1 1/11 3.电子行业点评：云商资本开支稳步增长，算力需求持续旺盛-2024/11/08 4.电子行业点评：小米15系列首发AIOS，SU7Ultra定义高端电动超跑-2024/10/315.电子行业点评：安卓OS重塑交互，小米+荣耀新机齐发-2024/10/30 目录 1利基型存储：专注特定应用需求场景3 1.1存储器的主要类型3 1.2利基型存储针对特定细分应用6 2供需好转，利基型存储涨价拐点向上10 2.1标准型存储价格周期向上，利基型价格仍处于周期底部10 2.2复盘NORFlash涨价周期，供需矛盾如何演绎13 3三大主要利基型产品的市场空间和成长路径16 3.1利基型DRAM：主流原厂退出，利基型价格有望上行16 3.2SLCNAND：网通/工控为主力需求，大容量成本优势凸显20 3.3NORFlash：汽车智能化和AR助力需求向上22 4投资建议29 4.1行业投资建议29 4.2利基型存储相关公司梳理29 5风险提示39 插图目录41 表格目录42 1利基型存储：专注特定应用需求场景 1.1存储器的主要类型 半导体存储器按照断电后数据是否继续保存，可分为易失性存储器和非易失性存储器。 易失性存储器主要为RAM（随机存储器），分为SRAM（静态随机存储器）与DRAM（动态随机存储器），SRAM速度较快但成本较高，市场规模较小，一般用于主存和CPU之间的高速缓存；DRAM速度略慢但成本较低，一般较SRAM容量更大，广泛用于电子设备的主存。 非易失性存储器可分为闪存（Flash）和只读存储器（ROM），ROM是指数据一旦被写入后难以更改，但可以多次读取的存储设备。闪存则是一种允许多次擦写的存储器。闪存主要包括NANDFlash和NORFlash，NANDFlash成本更低，擦除和写入速度更快，NORFlash读取速度快但成本较高。 图1：半导体存储器分类 资料来源：民生证券研究院整理 市场规模方面，存储芯片有可观的市场容量，但也具有周期性波动特征。据Gartner预测，2024年全球DRAM市场规模将达835亿美元，NAND市场规模将达678亿美元，存储市场总规模同比增长70.5%，实现周期反转，市场规模底部回升。此前一轮的上行周期为2019-2021年，下行周期为2021-2023年。 图2：存储芯片市场规模（十亿美元） 120 100 80 60 40 20 0 DRAMNANDtotalYOY 80% 60% 40% 20% 0% -20% -40% -60% 资料来源：Gartner，民生证券研究院 由于不同存储器的特性差异，在智能设备中通常承担不同的功能： DRAM是一种断电后无法保存数据的易失性存储器，主要利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于实际晶体管中存在漏电流现象，导致电容上存储的电荷数量并不足以正确判别数据，从而毁损数据，因此DRAM需要周期性充电，维持数据不丢失。DRAM因具备需要定时刷新的特性，也被称为“动态”存储器。 图3：DRAM结构原理 资料来源：CSDN，民生证券研究院 Flash则是一种具有记忆功能的存储芯片。闪存的存储单元采用了三端器件，分别为源极、漏极和栅极。其中，栅极与硅衬底之间有一层二氧化硅绝缘层，防止浮置栅极中的电荷泄漏。这种结构使得闪存存储单元具有电荷保持能力，一旦注入电荷，就会一直保持下去，直到被再次注入或释放，因此闪存具备记忆功能。 图4：Flash存储原理图 资料来源：CSDN，民生证券研究院 Flash可按照位线架构不同，分为NANDFlash和NORFlash。NAND和 NORFlash的存储单元工作原理相同，但排列方式不同。 NAND型Flash各存储单元之间是串联的，全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是512字节。这种串联结构决定了NAND无法进行位读取，也就无法实现存储单元的独立寻址，因此程序不可以直接在NAND中运行。NAND是以页为读取单位和写入单位，以块为擦除单位。基本存储单元的串联结构减少了金属导线占用的面积，因此NAND的存储密度更高，适用于需要大容量存储的应用场合。NAND的写入采用F-N隧道效应方式，效率较高，适用于频繁擦除/写入场合。 NORFlash的结构中每个存储单元是并联的，可以实现按位读取。这种并联结构决定了其具有存储单元可独立寻址，因此适合储存代码，且程序可以直接在NOR中运行。存储单元的并联结构还决定了金属导线占用很大的面积，因此NORFlash的存储密度较低，无法适用于需要大容量存储的应用场合。NORFlash的写入采用了热电子注入方式，效率较低，因此NOR写入速率较低，不适用于频繁擦除/写入场合。 图5：NANDFlash存储架构图6：NORFlash存储架构 资料来源：CSDN，民生证券研究院资料来源：CSDN，民生证券研究院 存储单元间串行与并行架构的差异导致了NAND与NOR间性能、功耗、存储密度以及制造成本的不同： NOR NAND 单元密度 低 高 读取速度 很快 快 擦除速度 很慢 快 写入速度 慢 快 理论擦除次数 10000-100000 100000-1000000 可靠性 高 中 访问方式 随机访问 块访问 XIP 支持 不支持 ECC 不需要 需要 单位容量价格 高 低 表1：NOR读取速度更快，NAND单位容量价格更低 资料来源：立创商城，民生证券研究院 综上，由于以上特性，闪存通常用于长期保存数据，其中NORFlash是低存储容量、代码执行和高可靠性应用的绝佳选择；NAND则适合高存储容量和频繁写入/擦除操作的应用。而DRAM则因其读取速度快和断电后无法保存数据的特点，广泛应用于需要实时计算的场景。 1.2利基型存储针对特定细分应用 利基型存储主要指相对于主流存储产品（DRAM和NAND）占据较小市场份额的存储产品。这些产品通常有特定的应用需求，或是在特定的市场细分中有竞争优势。当前应用较为广泛的品类主要包括利基型DRAM、NORFlash和SLCNANDFlash。 1.2.1利基型DRAM用于终端设备，客制化程度高 利基型DRAM包括8Gb以下，DDR4/LPDDR4及以下代际产品。DRAM根据内存技术及应用领域，主要划分为DDR、LPDDR、GDDR和HBM系列产品。其中利基型DRAM品类主要集中于DDR和LPDDR。DDR系列产品历经20余年，从2000年推出第一款产品DDR1到2021年推出DDR5，产品迭代方向为高存储密度，高传输速率和低功耗。目前主流DRAM产品下游应用为数据中心、PC、手机和图形显示卡，而利基型产品为DDR2及以下产品、4Gb以下的DDR3、8Gb以下的DDR4。LPDDR由DDR产品演变而来，具备低功耗、小体积的特点，可提供更窄的通道宽度和支持多种低功耗运行状态，主要应用于智能手机、平板电脑、超轻薄型电脑、智能穿戴等领域。从2009年发布的第一代LPDDR发展至2022年最新发布的LPDDR5X产品，利基型LPDDR主要集中在LPDDR4及之前代际的产品，适用于可穿戴/遥控设备等便携式产品。 终端客户多追求成本效益，或产品生命周期较长。利基型DRAM厂商下游客户包含主控芯片厂商和模组厂商，终端应用涵盖消费电子、通信、物联网、工控、 车规等广泛领域。当主流DRAM厂商推出新一代产品时，存储容量升级的同时售价也会更高，而TV、电子游戏机等消费电子终端产品面临消费者的价格压力，会采用较为便宜但功能符合需求的材料，因此在DRAM的选择上不会倾向使用最新一代的产品。对于工控和车规客户来说，一些产品的生命周期长达十年左右，长久且稳定的DRAM供货是利基型厂商的制胜关键。 MB/台 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 HDLEDTV