利基型存储深度报告：供需拐点已至，国产厂商百花齐放

供需拐点已至，国产厂商百花齐放 2024年11月23日 ➢利基型存储：专注特定应用需求场景。利基型存储指相对于主流存储产品占据较小市场份额的存储产品，主要包括利基型DRAM、SLC NAND和NOR Flash等。产品属性上，利基型DRAM在制程和容量上落后主流存储若干代际，适用于较小容量存储场景。 推荐 维持评级 从终端用途上看，利基型DRAM通常用于消费电子、通信、物联网、工控、车规等市场，产品生命周期较标准型更长；SLC NAND存储密度最小，但使用寿命更长，终端应用多为可靠性要求高的领域，如工业自动化设备、通信基站等；NOR Flash则能够在芯片内直接运行小型程序，响应速度快，性能比NAND更稳定，且小容量下更具成本优势。 ➢供需好转，利基型存储涨价拐点向上。存储芯片标准化程度高，可替代性强，具备大宗商品属性，其价格对供需敏感，价格呈强周期性。自23H2以来，受益于存储大厂收缩供给、数据中心等下游需求持续旺盛，NAND和DRAM价格逐渐回升。而利基型存储价格仍在底部，涨幅不及标准型。未来海外大厂持续退出利基市场+消费市场复苏有望成为利基存储的回升动力。 分析师方竞执业证书：S0100521120004邮箱：fangjing@mszq.com 分析师张文雨执业证书：S0100524060002邮箱：zhangwenyu@mszq.com ➢解读三大主要利基型产品的市场空间和成长路径。利基型存储有广阔市场空间，2024年全球利基型DRAM/SLC NAND/NOR Flash市场规模预计分别为95.7亿美元/23亿美元/26.9亿美元。各类型的供需格局如下： 相关研究 1.电子行业动态：体验之Apple Intelligence VS智谱GLM-2024/11/202.半导体行业周报：国产替代的脊梁-2024/11/113.电子行业点评：云商资本开支稳步增长，算力需求持续旺盛-2024/11/084.电子行业点评：小米15系列首发AI OS，SU7 Ultra定义高端电动超跑-2024/10/315.电子行业点评：安卓OS重塑交互，小米+荣耀新机齐发-2024/10/30 1）利基型DRAM：利基型产品占DRAM份额稳定10%，制程升级、产品差异化是厂商竞争核心。国内厂商兆易创新、北京君正、东芯股份等布局了利基型DRAM产品，供需两侧均有积极变化：DDR5和HBM需求挤占产能，海力士、三星相继宣布退出DDR3，而AI终端有望带来利基型DRAM容量升级。 2）SLC NAND：网通等传统应用中设备升级换代SLC增长逻辑，大容量下SLC比NOR更具成本优势。供给端，国内厂商主要有兆易创新、东芯股份、江波龙等，海外龙头三星在逐步退出SLC市场。 3）NOR Flash：行业龙头多为台系厂商，本土厂商兆易创新2023年市占率跃居全球第二，此外普冉、恒烁、聚辰亦快速成长。制程迭代、容量升级为NOR的主要发展路径，车规NOR是国产厂商主要发力的增量市场。 ➢投资建议：受益于高端存储供应紧张，原厂转移产能，利基型存储供需改善；叠加下游需求稳定增长，建议关注：兆易创新（NOR Flash/DRAM/SLC NAND）、东 芯 股 份 （SLC NAND/DRAM/NOR Flash）、 北 京 君 正 （DRAM/SLCNAND/NOR Flash）、普冉股份（NOR Flash）、恒烁股份（NOR Flash）。 ➢风险提示：终端需求增长不及预期风险；存储行业供给超预期增长风险；行业竞争加剧风险 目录 1利基型存储：专注特定应用需求场景........................................................................................................................3 1.1存储器的主要类型.............................................................................................................................................................................31.2利基型存储针对特定细分应用.........................................................................................................................................................6 2.1标准型存储价格周期向上，利基型价格仍处于周期底部.........................................................................................................102.2复盘NOR Flash涨价周期，供需矛盾如何演绎.......................................................................................................................13 3三大主要利基型产品的市场空间和成长路径..........................................................................................................16 3.1利基型DRAM：主流原厂退出，利基型价格有望上行............................................................................................................163.2 SLC NAND：网通/工控为主力需求，大容量成本优势凸显...................................................................................................203.3 NOR Flash：汽车智能化和AR助力需求向上...........................................................................................................................22 4.1行业投资建议....................................................................................................................................................................................294.2利基型存储相关公司梳理...............................................................................................................................................................29 表格目录..................................................................................................................................................................42 1利基型存储：专注特定应用需求场景 1.1存储器的主要类型 半导体存储器按照断电后数据是否继续保存，可分为易失性存储器和非易失性存储器。 易失性存储器主要为RAM（随机存储器），分为SRAM（静态随机存储器）与DRAM（动态随机存储器），SRAM速度较快但成本较高，市场规模较小，一般用于主存和CPU之间的高速缓存；DRAM速度略慢但成本较低，一般较SRAM容量更大，广泛用于电子设备的主存。 非易失性存储器可分为闪存（Flash）和只读存储器（ROM），ROM是指数据一旦被写入后难以更改，但可以多次读取的存储设备。闪存则是一种允许多次擦写的存储器。闪存主要包括NANDFlash和NORFlash，NANDFlash成本更低，擦除和写入速度更快，NORFlash读取速度快但成本较高。 资料来源：民生证券研究院整理 市场规模方面，存储芯片有可观的市场容量，但也具有周期性波动特征。据Gartner预测，2024年全球DRAM市场规模将达835亿美元，NAND市场规模将达678亿美元，存储市场总规模同比增长70.5%，实现周期反转，市场规模底部回升。此前一轮的上行周期为2019-2021年，下行周期为2021-2023年。 资料来源：Gartner，民生证券研究院 由于不同存储器的特性差异，在智能设备中通常承担不同的功能： DRAM是一种断电后无法保存数据的易失性存储器，主要利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于实际晶体管中存在漏电流现象，导致电容上存储的电荷数量并不足以正确判别数据，从而毁损数据，因此DRAM需要周期性充电，维持数据不丢失。DRAM因具备需要定时刷新的特性，也被称为“动态”存储器。 资料来源：CSDN，民生证券研究院 Flash则是一种具有记忆功能的存储芯片。闪存的存储单元采用了三端器件，分别为源极、漏极和栅极。其中，栅极与硅衬底之间有一层二氧化硅绝缘层，防止浮置栅极中的电荷泄漏。这种结构使得闪存存储单元具有电荷保持能力，一旦注入电荷，就会一直保持下去，直到被再次注入或释放，因此闪存具备记忆功能。 资料来源：CSDN，民生证券研究院 Flash可按照位线架构不同，分为NANDFlash和NOR Flash。NAND和NOR Flash的存储单元工作原理相同，但排列方式不同。 NAND型Flash各存储单元之间是串联的，全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是512字节。这种串联结构决定了NAND无法进行位读取，也就无法实现存储单元的独立寻址，因此程序不可以直接在NAND中运行。NAND是以页为读取单位和写入单位，以块为擦除单位。基本存储单元的串联结构减少了金属导线占用的面积，因此NAND的存储密度更高，适用于需要大容量存储的应用场合。NAND的写入采用F-N隧道效应方式，效率较高，适用于频繁擦除/写入场合。 NORFlash的结构中每个存储单元是并联的，可以实现按位读取。这种并联结构决定了其具有存储单元可独立寻址，因此适合储存代码，且程序可以直接在NOR中运行。存储单元的并联结构还决定了金属导线占用很大的面积，因此NORFlash的存储密度较低，无法适用于需要大容量存储的应用场合。NORFlash的写入采用了热电子注入方式，效率较低，因此NOR写入速率较低，不适用于频繁擦除/写入场合。 资料来源：CSDN，民生证券研究院 资料来源：CSDN，民生证券研究院 存储单元间串行与并行架构的差异导致了NAND与NOR间性能、功耗、存储密度以及制造成本的不同： 综上，由于以上特性，闪存通常用于长期保存数据，其中NORFlash是低存储容量、代码执行和高可靠性应用的绝佳选择；NAND则适合高存储容量和频繁写入/擦除操作的应用。而DRAM则因其读取速度快和断电后无法保存数据的特点，广泛应用于需要实时计算的场景。 1.2利基型存