半导体行业跟踪报告之十四：利基型存储市场拐点已现，关注兆易创新等存储设计公司

1、利基型存储市场拐点已现 1.1利基型DRAM价格领涨，SLC NAND和NOR Flash触底反弹 原厂控产效果显著，带动存储行业高速增长。据TrendForce集邦咨询研究显示，受惠于备货动能回温，以及三大原厂控产效益显现，主流产品的合约价格走扬，带动2023年第四季全球DRAM产业营收达174.6亿美元，季增29.6%。 NAND产业方面，2023年第四季NAND Flash产业营收达114.9亿美元，季增 24.5%。主要受惠于终端需求因年终促销回温，加上零部件市场因追价而扩大订单动能，位元出货较去年同期旺盛；同时企业方面持续释出2024年需求表现优于2023年的看法，且启动策略备货。 利基存储市场中，DRAM价格率先反弹。受益于原厂减产、大宗存储价格增长以及原厂对HBM、DDR5产能切换，利基型DRAM价格在23Q3触底后开始持续反弹，领涨利基型存储市场。 价格方面，DDR3与利基型DDR4在23Q3已经触底，并且持续反弹。根据DRAMeXchange数据，DDR3的2Gb与4Gb现货价格均在23年7月-8月之间触底，截止2024年4月12日，其现货价格相比最低点的价格分别上涨了17.3%与11.6%，相比2024年1月1日的价格分别上涨了7.1%与3.8%。利基型DDR4方面，根据DRAMeXchange数据，DDR4的4Gb与8Gb均在2023年9月触底，截止2024年4月12日，其现货价格相比最低点的价格分别上涨了21.4%与22.7%，相比2024年1月1日的价格分别上涨了6.6%与6.3%。 图1：23年6月至24年4月DDR3典型料号现货价格走势 图2：23年6月至24年4月DDR4典型料号现货价格走势 产能规划方面，三星2023Q4DRAM大幅减产，在库存压力改善后，2024Q1投片开始回升，稼动率约为80%。2024年下半年旺季，需求预期将较2024年上半年明显增温，产能会持续拉高至第四季。SK海力士则积极扩张HBM产能，投片量缓步增加，随着HBM3e量产后，相关先进制程投片亦持续上升。美光投片量有回温趋势，后续将积极增加其先进制程1beta nm比重，用于生产HBM、DDR5与LPDDR5(X)产品，因先进制程的设备增加，届时产能将较为收敛。原厂DRAM产能的减产以及HBM、DDR5等芯片占比的提升，将持续挤压利基型存储的产能，改善供需结构，为价格上涨提供支撑。 SLC NAND与NOR Flash价格触底，AI服务器、PC与手机拉动行业需求。SLC NAND方面，根据DRAMeXchange数据，以2Gb容量为例，其产品价格在23年9月触底企稳，截止2024年4月12日，其价格相比最低点增长3.9%。NOR Flash方面，中大容量产品价格已经处于底部，随着需求的拉动，价格有望提升。 生成式AI为当前电子行业带来诸多机遇，NOR flash在AI服务器中的应用大幅上升，例如GPU的增加将带动终端设备增长40-60颗NOR Flash，其搭配的网卡等周边设备也将采用NOR Flash存储。此外，边缘侧的AI应用例如AI PC与AI手机也需要额外的NOR Flash资源，将有望带动NOR Flash市场需求提升。 1.2台湾利基型存储厂商业绩回暖 图3：华邦电子、旺宏和南亚科2019-2023年季度毛利率 华邦电子：连续四个月营收同比增长，2024年存储业务资本开支大幅度提升。 华邦电子2024年一季度实现营收201.21亿元新台币，同比增长15%。华邦电子连续四个月营收同比增长，2024年1-3月分别实现营收64.03、62.07和74.11亿元新台币，同比增长31%、8%和9%，环比-2%、-3%和+21%。在资本开支方面，公司预估2024年在存储方面的资本开支为174亿元新台币，对比2023年已支出的资本开支127亿元新台币，同比增长37%。 华邦电子认为存储行业处于周期上升阶段。Flash方面，公司认为终端需求增长约为5%，单机容量（content per box）增加；其中SLC NAND有望于2024年下半年达到供需平衡，2025年可能供给紧张。DRAM方面，公司认为DRAM行业有望于2024年达到供需平衡，IoT、网络、安防和电视行业需求强劲；高阶市场会因为库存调整完成及产能控制迎来价格反弹，利基型产品价格有望提升。此外，公司认为边缘AI会是下一个关注重点。 图4：华邦电子2017-2024Q1营收及同比增速 图5：华邦电子2017-2023年归母净利润及同比增速 图6：华邦电子2017-2024年3月月度营收及同环比增速 旺宏：2024年3月营收环比增长。旺宏2024Q1实现营收57.60亿元新台币； 2024年1-3月分别实现营收19.14、17.33和21.13亿元新台币，环比+4%、-9%和+22%，2024年3月营收环比增长显著。 图7：旺宏2017-2024Q1营收及同比增速 图8：旺宏2017-2023年归母净利润及同比增速 图9：旺宏2017-2024年3月月度营收及同环比增速 南亚科：24年一季度营收同比大幅提升。公司已经公布2024年一季度业绩，单季度营业收入为95.03亿元新台币，环比增长9.2%，同比增长48%。公司毛利率改善至-2.9%。从月度营收看，南亚科2024年1-3月营收同比增长分别为35.9%、50.5%、58.0%，呈现加速趋势。公司预期2024年DRAM市场稳步复苏。 图10：南亚科2017-2024Q1营收及同比增速 图11：南亚科2017-2024Q1归母净利润及同比增速 南亚科2024Q1资本开支为29亿元新台币，预计2024年全年资本开支会达到260亿元新台币，其中WFE领域的资本开支大约占50%。在出货量方面，南亚科2024Q1出货量环比低个位数增长，公司预计2024年全年出货量将会同比增长超过20%。 图12：南亚科2017-2024年3月月度营收及同环比增速 2、兆易创新：中国利基型存储龙头，积极布局利基型DRAM 兆易创新：NOR Flash国内龙头，利基型存储多赛道全面布局。公司业务是多赛道多产品线的组合布局，目前主要是存储器、微控制器和传感器三大类。在NOR Flash产品，据Web-Feet Research报告显示，公司2022年Serial NOR Flash市占率增长至20%，市场排名全球第三，前二名是华邦电子和旺宏电子； 在SLC Nand Flash产品，供应商主要为海外厂商，铠侠、华邦电子、旺宏电子占据了较高的市场份额。 表1：兆易创新产品介绍 业绩有望随着存储行业回暖逐步复苏。根据公司2023年业绩预告，预计2023年实现营收57.66亿元，同比下降29.08%；实现归母净利润1.55亿元，同比下降92.45%；实现归母扣非净利润0.22亿元，同比下降98.85%。公司2023年计提资产减值损失，全年商誉、存货等资产减值损失预计6.12亿元左右。其中商誉减值损失预计3.8亿元左右，存货减值损失预计2.32亿元左右。公司23Q4实现营收13.71亿元，同比增长0.73%，实现归母净利润-2.79亿元。考虑存储价格已至底部位置叠加去库存接近尾声，公司业绩有望随着存储行业回暖逐步复苏。 图13：兆易创新2019-2023年季度营收及同比增速 图14：兆易创新2019-2023年季度归母净利润及同比增速 增资长鑫科技，DRAM业务发展空间进一步打开。公司2021年以来，陆续推出DDR4、DDR3等多款DRAM产品。公司2024年3月29号公告，拟以自有资金15亿元人民币参与长鑫科技集团股份有限公司新一轮融资。公司本次增资完成后，将持有长鑫科技约1.88%股权。长鑫科技是国内DRAM存储产品IDM龙头企业，是兆易创新在DRAM业务领域重要的合作伙伴。基于双方战略合作关系，长鑫科技开放部分产能为兆易创新DRAM业务提供代工服务。公司与长鑫科技开展DRAM产品采购代工等业务，2024年截至3月28日交易额已超过1.8亿元。增资长鑫科技有助于公司增强产业协同，进一步打开DRAM业务发展空间。 3、北京君正：车规工控利基存储龙头企业 北京君正全资子公司北京矽成在存储器领域深耕三十多年，形成完整的技术体系和工程保障体系。北京矽成能够面向汽车电子、工业与医疗等领域提供高品质、高可靠性的各类存储器产品，同时提供面向通讯产业和高端消费电子产业的芯片。公司存储芯片分为SRAM、DRAM和Flash三大类别。 公司SRAM产品品类丰富，包括了不同容量的同步SRAM、异步SRAM、高速QDR SRAM等产品。 公司DRAM产品开发主要针对具有较高技术壁垒的专业级应用领域，可向客户提供不同容量、不同界面和不同功耗规格的产品，能够满足工业、医疗、主干通讯和车规等级产品的要求，具备在极端环境下稳定工作、节能降耗等特点。2023年，公司进行了不同容量、不同类别的高速DRAM、MobileDRAM等存储芯片的产品研发，包括了从SDR、DDR1、DDR2、LPDDR2、DDR3到DDR4、LPDDR4等各类产品，其中公司的8G LPDDR4已开始量产。 针对利基型市场对DRAM产品的需求趋势，公司展开了下一代工艺的DRAM技术与产品研发，新一代工艺可支持公司开发更大容量的DRAM产品，以满足汽车智能化不断发展带来的对更高容量DRAM产品的需求。公司Flash产品线包括了目前全球主流的NOR Flash存储芯片和部分NAND Flash存储芯片。 2023Q4毛利率同环比提升，归母净利润同比增长。公司2023年实现营收45.31亿元，同比下降16.28%；实现归母净利润5.37亿元，同比下降31.93%；其中2023Q4实现营收11.11亿元，同比下降6.85%，实现归母净利润1.69亿元，同比增长193.57%。公司2023Q4毛利率为38.38%，同比增长0.14pct，环比增长1.27pct。 图15：北京君正2019-2023年季度营收及同比增速 图16：北京君正2019-2023年季度归母净利润及同比增速 4、东芯股份：国内SLC NAND巨头企业 东芯股份是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司设计研发的1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。 公司的NOR Flash主要使用ETOX技术，涵盖64Mb到1Gb的中高容量的产品。 公司自主设计的SPI NOR Flash存储容量覆盖64Mb至1Gb，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式，普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端等领域。 公司NANDFlash产品属于SLC NAND Flash，凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，可以满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。SLC NAND Flash领域其他同类厂商主要包括海外大厂如三星、海力士、美光，以及中国台湾地区的华邦电子、旺宏。公司的SLC NAND Flash制程在国内较为领先，该产品可提供3.3V /1.8V两种电压，具备WSON、BGA多种封装形式，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。 公司SLC NAND Flash产品凭借高可靠性被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域，通过了联发科、瑞芯微、国科微、博通等行业内主流平台厂商的认证。长期来看，海外大厂可能会会逐步退出SLC NAND Flash市场，加上国产替代的需求，公司的市场占有率将有较大的提升空间。 2023Q4归母净利润对比2022年同期亏损