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半导体:三大存储原厂多措并举,加快存储供需回归平衡

电子设备2024-01-10孙远峰、王海维华金证券有***
半导体:三大存储原厂多措并举,加快存储供需回归平衡

2024年01月10日 行业研究●证券研究报告 半导体 行业动态分析 三大存储原厂多措并举,加快存储供需回归平衡投资要点 三大存储原厂多措并举,加快存储供需回归平衡 2022Q3以来,三星电子、SK海力士和美光三大存储原厂相继采取了削减资本开支、减少晶圆产能等举措,加快存储市场供需关系回归平衡。1)三星电子:2023Q4公司资本开支同比减少25.53%降至14.0万亿韩元。公司计划到2024H1为止,将NAND产量削减规模扩大40%-50%。2)SK海力士:2023年公司资本开支同比减少50%降至9.5万亿韩元,并预计2024年资本开支同比小幅增长。2023年10月公司表示NAND的减产措施至少持续至2024年6月。3)美光:2023财年美光各季度资本开支呈现逐季下滑趋势,至FQ1-24公司资本开支环比大幅增长88.89%升至17亿美元。2022年11月公司首次宣布减产并逐步扩大减产幅度(20%→25%→30%),同时公司预计2024年晶圆开工率仍将显著低于2022年的水平。 多家中国台湾存储厂商Q4营收实现环比增长,对24Q1市况表示乐观 得益于需求回暖和存储价格上涨,多家中国台湾存储厂商Q4营收实现环比增长,并对24Q1市况表示乐观态度。模组厂商威刚受惠于PC市场的复苏,23Q4单营收创近13年历史新高;并表示DRAM与NANDFlash价格可望维持全年多头格局。存储封测厂商力成科技23Q4单季营收超预期,12月营收更是创近14个月新高;并表示2024H2公司稼动率有望达到80%,且动能延续至2025年。 补库需求使得淡季不淡,24Q1存储价格涨势有望延续 根据TrendForce数据,23Q4NANDFlash和DRAM合约价均环比上涨13~18%,超过此前预测;其中3DNANDWafers和MobileDRAM价格涨幅最为明显。展望24Q1,TrendForce预计NANDFlash和DRAM合约价仍将延续上涨态势,且幅度进一步扩大。对于近期存储现货市场,CFM指出,目前供需双方对24Q1存储涨价的态度基本一致,部分存储价格仍在小幅攀升,存储价格上行趋势明朗;其中嵌入式供应整体满足率偏低,价格延续强势上涨的态势。 投资建议:建议关注存储产业链相关标的:东芯股份,兆易创新,北京君正,江波龙,普冉股份等。风险提示:下游需求复苏低于预期,终端去库存效果低于预期,相关厂商研发进程不及预期,系统性风险等。 投资评级领先大市-A维持一年行业表现 资料来源:聚源 升幅%1M3M12M相对收益-8.881.674.11绝对收益-12.02-8.97-13.85 分析师孙远峰 SAC执业证书编号:S0910522120001sunyuanfeng@huajinsc.cn 分析师王海维 SAC执业证书编号:S0910523020005wanghaiwei@huajinsc.cn 相关报告晶合集成:营收逐季复苏,持续研发先进制程及多元化工艺平台-华金证券+电子+晶合集成+公司快报2024.1.8半导体:封装基板国产化迫在眉睫,FC-BGA基板国产厂商突破在即-华金证券+电子+封装基板+行业快报2024.1.4天承科技:水平沉铜产品贡献稳定营收,加大研发进军ABF载板等高端领域-华金证券+电子+天承科技+公司快报2024.1.1艾森股份:需求回暖叠加产品突破新能源领域,全年业绩有望增长-华金证券+电子+艾森股份+公司快报2023.12.26铂科新材:三大引擎协力助成长,算力下沉边缘侧刺激需求-华金证券+电子+铂科新材+公司快报2023.12.22半导体:存储有望助推全球半导体市场反弹,原厂积极布局高端存储-华金证券+电子+存储IC+行业快报2023.12.19 内容目录 一、三大存储原厂多措并举,加快存储供需关系回归平衡3 1、三星电子3 2、SK海力士4 3、美光5 二、多家中国台湾存储厂商Q4营收实现环比增长,对24Q1市况表示乐观6 三、补库需求使得淡季不淡,24Q1存储价格涨势有望延续10 四、风险提示13 中国台湾存储厂商月度营收数据14 图表目录 图1:2022年和2023年各季度三星电子DS部门资本开支情况(万亿韩元,%)3 图2:各季度美光资本开支情况(亿美元,%)5 图3:2022年以来南亚科技月度营收(亿新台币)7 图4:2022年以来威刚月度营收(亿新台币)7 图5:2022年以来十铨科技月度营收(亿新台币)8 图6:2022年以来旺宏电子月度营收(亿新台币)8 图7:2022年以来创见月度营收(亿新台币)9 图8:2022年以来爱普月度营收(亿新台币)9 图9:2022年以来力成科技月度营收(亿新台币)10 图10:2022年以来群联电子月度营收(亿新台币)14 图11:2022年以来南亚科技月度营收(亿新台币)14 图12:2022年以来旺宏电子月度营收(亿新台币)14 图13:2022年以来华邦电子月度营收(亿新台币)14 图14:2022年以来威刚月度营收(亿新台币)14 图15:2022年以来十铨科技月度营收(亿新台币)14 图16:2022年以来创见月度营收(亿新台币)15 图17:2022年以来爱普月度营收(亿新台币)15 图18:2022年以来力成科技月度营收(亿新台币)15 表1:三星电子历次减产举措具体内容3 表2:SK海力士历次资本开支举措具体内容4 表3:SK海力士历次减产举措具体内容4 表4:美光历次资本开支举措具体内容5 表5:美光历次减产举措具体内容6 表6:23Q4和24Q1各类NANDFlash产品价格涨跌幅预测(%)11 表7:23Q4和24Q1各类DRAM产品价格涨跌幅预测(%)12 表8:中国大陆存储厂商近期公开调研纪要12 一、三大存储原厂多措并举,加快存储供需关系回归平衡 2022Q3以来,三星电子、SK海力士和美光三大存储原厂相继采取了削减资本开支、减少晶圆产能等举措,加快存储市场供需关系回归平衡。 1、三星电子 在行业低迷时,三星电子通常会采用逆周期投资战略抢占市场,这也导致了其资本开支长期维持较高水平。2023年上半年存储芯片业务所属的DS部门资本开支仍处于同比上升的态势;直至2023Q3,DS部门资本开支才开始同比有所下滑,降至10.2万亿韩元;2023Q4资本开支同比减少幅度扩大至25.53%,金额降至14.0万亿韩元,但相比23Q3却实现了环比37.25%的增长。 图1:2022年和2023年各季度三星电子DS部门资本开支情况(万亿韩元,%) 资料来源:三星电子公告,华金证券研究所 相比SK海力士和美光,三星电子减产时间较晚。2023年4月,在业绩高压下公司宣布减产存储芯片,并表示减产措施将持续至2023H2。公司减产措施着重于NAND芯片,先是2023年7月表示侧重对NAND芯片的减产,后又计划到2024H1为止,将NAND产量削减规模扩大40%-50%。 表1:三星电子历次减产举措具体内容 日期具体内容 2023年4月 23Q1公司营业利润同比下滑95%降至6400亿韩元。在业绩高压下,公司正式宣布减产存储芯片,并表示减产措施将持续至2023H2。 2023年7月公司宣布2023H2延续减产策略,并侧重对NAND芯片的减产 2023年11月公司计划到2024年上半年为止,将NAND产量削减规模扩大40%-50% 资料来源:三星电子公告,Bloomberg,科创板日报,华金证券研究所 在2023年10月的业绩说明会上,公司表示由于DRAM和NAND高密度产品的采用增加以及客户库存调整的完成,PC和移动需求得到改善。尽管传统服务器需求仍然低迷,但面向生成 式AI、高密度和高端产品的服务器需求仍然强劲。展望未来,公司预计PC和移动设备换机周期的到来以及高密度趋势的持续增长会提振需求,2023Q4存储价格有望环比上涨,2024年智能手机市场需求将反弹;服务器方面,由于人工智能需求增加和客户库存水平正常化,需求将逐渐恢复。 根据CFM援引韩媒消息,三星电子DS部门设定了2024年业务目标,计划实现营业利润 11.5万亿韩元(2023年该部门营业利润为-13万亿韩元)。高营业利润目标主要系受DRAM和NANDFlash价格连续三个月上涨等因素影响,由于原厂减产和降低库存,且智能手机和PC公司的订单已经恢复,供过于求的局面已得到解决。 2、SK海力士 早在2022年10月,SK海力士就宣布2023年计划削减资本开支超50%。2023年2月公 司公布2023年资本开支具体数值,约9.5万亿韩元,并维持该规划不变。同年10月,公司预 计2024年资本开支同比微增。 日期具体内容 表2:SK海力士历次资本开支举措具体内容 2022年10月公司宣布2023年资本开支预计同比减少超50% 2023年2月公司维持2023年资本开支减少超50%的规划不变,预计降至9.5万亿韩元 2023年4月公司维持2023年2月宣布的资本开支规划 2023年7月公司维持2023年2月宣布的资本开支规划 公司维持2023年2月宣布的资本开支规划,并预计2024年资本开支同比 2023年10月 资料来源:SK海力士公告,华金证券研究所 小幅上升 三大原厂中,SK海力士率先采取减产措施。2022年10月,公司宣布减少低利润产品的产量,同时预计2023年DRAM、NAND晶圆产量同比下降。2023年4月,公司表示将尽可能减少各方面的投资;7月,公司宣布扩大NAND的减产幅度;10月公司表示NAND的减产措施至少持续至2024年6月。 表3:SK海力士历次减产举措具体内容 日期具体内容 2022年10月 公司宣布减少低利润产品的产量,同时预计2023年DRAM、NAND晶圆产量同比下降 2023年2月公司维持2022年10月宣布的减产规划 除了保持竞争力的必要投资外,公司将尽可能减少各方面的投资。此外, 2023年4月 公司将持续减少低利润产品和高库存产品的产量。 2023年7月公司宣布扩大NAND的减产幅度 2023年10月公司表示NAND的减产措施至少持续至2024年6月 资料来源:SK海力士公告,Digitimes,华金证券研究所 在2023年10月的业绩说明会上,公司表示存储行业正迈入全面复苏阶段,预计所有应用 的出货量都有望实现增长。1)PC:随着渠道库存回归正常水位,加之2024年换机需求提升, 2024年PC出货量有望增长5%。由于存储产品成本下滑以及AIPC出现,预计2024年PC单机存储容量有望实现两位数百分比的增长;2)智能手机:伴随部分换机周期来临,2024年智能手机出货量预计增长5%。由于23H2新机发售加上旗舰产品组合增加,LPDDR5需求加速。AI在手机端持续渗透有望推动16GB以上DRAM和512GB以上NAND的加速应用。3)服务器:随着云服务提供商投资增加,改善型需求提升,预计2024年整体服务器市场将逐渐复苏。 3、美光 美光2023财年各季度的资本开支呈现逐季下滑趋势。FQ1-24(2023.09.01~2023.11.30)资本开支经历了FQ4-23的低点后环比大幅增长88.89%升至17亿美元,但同比仍下滑32%。 图2:各季度美光资本开支情况(亿美元,%) 资料来源:美光公告,华金证券研究所 针对FY2023资本开支规划,美光进行了数次下调,最终确定为70亿美元,同比减少41.67%。为了支持HBM3E生产,公司于2023年12月表示FY2024年资本开支预计为75~80亿美元,同比实现小幅上涨,前端晶圆设备(WaferFabEquipment,WFE)支出仍将延续同比减少趋势。 日期具体内容 表4:美光历次资本开支举措具体内容 2022年9月公司宣布FY2023资本开支预计下降33.33%降至80亿美元,WFE支出同比下降50% 公司下调FY2023资本开支至70-75亿美元,维持WFE支出同比下降50%的规划不变,同时预 2022年12月 计FY2024资本开支大幅减少、WFE