前三季度研发投入同比增加65.7%，产品矩阵持续丰富

公司3Q23归母净利润环比增长8.62%，毛利率筑底。1-3Q23公司营收7.7亿元(YoY-2.55%)，归母净利润1.32亿元(YoY-34.2%)，扣非归母净利润1.18亿元(YoY-37.81%)，毛利率24.69%(YoY-9.03pct)。3Q23单季度营收2.37亿元(YoY-26.84%，QoQ+2.59%)， 归母净利润0.32亿元(YoY-62.15%，QoQ+8.62%)，扣非归母净利润0.26亿(YoY-67.41%，QoQ+3.51%)，毛利率18.07%(YoY-16.01pct，QoQ-2.51pct)，受海外龙头竞争、周期下行等因素影响，毛利率回落，预计随代工成本优化，公司毛利率有望企稳后改善。 超结MOS基本盘稳健，TGBT模块产品快速推进。此前1H23公司高压超级结MOSFET营收占比为82.7%，中低压屏蔽栅MOSFET占13.2%，TGBT占2.6%； 3Q23超结MOS比例有所增加，中低压MOS占比略有下降。超结MOS作为公司基本盘，性能与规格丰富度行业领先，目前已完成8英寸转12英寸制造平台拓展，成本与性能持续优化；中低压MOS聚焦极限规格进行开发；TGBT产品目前以单管为主，300KW以上的大功率储能IGBT模块进入认证阶段，明年随储能加速渗透有望取得突破性进展。 汽车与工业产品保持增长，户储微逆处去库存阶段静待需求回暖。此前1H23公司光伏领域收入占19%，车载充电机占约23%，直流充电桩占17%，工业及通信占15%，消费、同步整流等其余领域占比为26%；在此基础上3Q23消费电子需求回暖；直流充电桩出货量持续增长，终端客户增速维持在20%-30%左右；车载电子终端客户比亚迪、联合电子、麦格米特等需求稳定，预计未来将随头部客户销量同步提升；此外，9月逆变器出口量环比降幅收窄，欧洲出口量增长，预期明年随库存去化，终端对功率产品需求有望逐步恢复。 1-3Q23研发投入同比增长65.7%，极限规格与新结构产品性能持续优化。基于第四、第五代高压超级结技术，晶圆产出芯片颗数进一步提高，超结MOS性能大幅提升；12英寸TGBT研发及扩产顺利进行，核心规格料号具备量产能力；Si2CMOSFET进入小批量供货阶段；第一代SiCMOSFET研发稳步推进中且自主开发的SiCJBS/MPS产品已实现小批量量产。当前行业竞争加剧，公司高性能产品通过积累有望在长期竞争中逐步脱颖而出。 投资建议：我们看好器件设计与工艺实现的技术能力、高性能产品的多维成长，预计23-25年公司有望实现归母净利润1.64/2.42/3.08亿元(YoY-42.3%/47.6%/27.4%)，对应23-25年PE分别为52/35/28倍，维持“买入”评级。 风险提示：下游需求不及预期，新产品推进不及预期等。 盈利预测和财务指标 图1：公司近5年营业收入及增速（单位：亿元、%） 图2：公司近年营收结构情况 图3：公司近5年扣非净利润及增速（单位：亿元、%） 图4：公司近五年毛利率与净利率情况（单位：%、%） 图5：公司近五年费用率（%） 图6：公司近五年研发投入及占营收比例（亿元，%） 财务预测与估值 资产负债表（百万元） 利润表（百万元） 现金流量表（百万元）