业绩短期承压，多款新品量产在即成长可期

事件：公司发布2023年半年度报告，2023年H1公司实现营收26.25亿元，同比下降11.07%；归母净利润4.11亿元，同比下降30.05%；扣非净利润4.10亿元，同比下降28.51%。分季度看，2023年Q2实现营收13.14亿元，同比下降14.31%，环比增长0.29%；归母净利润2.29亿元，同比下降26.33%， 环比增长25.86%； 扣非净利润2.30亿元 ，同比下降23.25%，环比增长27.23%。 市场持续低迷影响H1营收，毛利率承压：公司坚持国际化发展战略，海外市场营收占比较高，海外市场利润率也高于国内市场。但目前海外市场总体处于去库存阶段，海外业务订单同比下滑30%以上，虽然环比22年下半年会有一定回暖，但与22年同期比还是处于低位。因全球半导体行业市场景气度总体处于低谷，尤其消费类电子和工业等领域对比22年同期均为负增长，导致订单和价格的结构性下滑，整体毛利率水平下滑。23年H1公司毛利率为30.11%，同比-6.46pcts；净利率为15.44%，同比-5.34pcts。Q2毛利率为29.52%，同比-6.9pcts，环比-1.19pcts；净利率为17.36%，同比-3.69pcts，环比+3.84pcts。费用方面，23年H1公司销售、管理、研发、财务费用率分别为4.19%/4.81%/6.30%/-4.16%，同比变动分别为+1.00/+1.05/+0.87/-3.71pcts，财务费用变动主要系23年外汇汇率波动，汇兑收益增加。 聚焦汽车电子&新能源领域，第三代半导体新品研发进展顺利：在消费电子市场需求疲软的背景下，公司积极调整产品结构，聚焦新能源汽车和清洁能源领域的市场增长机会，重点拓展汽车电子、光伏、储能、风能客户。公司新能源汽车PTC用1200V系列单管通过车规认证，大批量交付客户。同时着手开发下一代950V/600A三电平IGBT模块:针对新能源汽车控制器应用，重点解决了低电感封装、多芯片均流、铜线互连、银烧结等关键技术，研制了750V/820A IGBT、750V400A SiC三相桥大电流、高可靠功率模块。 公司瞄准清洁能源市场，利用Trench Field Stop型IGBT技术,通过采用高密度器件结构设计以及先进的背面加工工艺，显著降低器件饱和压降和关断损耗，成功推出1200V系列、650V系列T0220、T0247、T0247PLUS封装产品，性能对标国外主流标杆。同时，公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，基于Fabless模式的8寸平台的Trench1200VIGBT芯片完成了10A-200A全系列的开发工作，对应的IGBT系列模块也同步投放市场，市场份额快速提升。SiC MOSFET方面，成功陆续完成1200V 17-240mohm、650V 20-120mohm SiC MOSFET产品开发上市，产品性能对标国际标杆SiC MOS平面栅企业的第三代水平，1200V MOS平台的比导通电阻（RSP）做到 3.5m Ω.cm2以下，FOM值达到 3300m Ω.nC以下，在国内已上市的平面栅器件中表现优异受到多家光伏储能以及充电模块客户的青睐，目前累计出货量已突破1kk。 产品结构持续优化，多款新品量产在即：公司积极推进重点研发项目的管理实施。基于8寸平台和全新寿命控制技术的新一代续流FRED已在研发中，预计2024年实现量产；TSBD芯片在清洁能源领域获得大规模应用，并持续扩展产品规格，生产线覆盖6寸和8寸平台，产品性能即将全面提升；普通电容单向、双向ESD芯片实现量产，多通道低电容ESD芯片、多通道低电容回扫的ESD芯片研发中，预计2024年实现量产。同时，全面提升TVS芯片的产品性能，有助于进一步提升公司在细分市场的领先地位。车载模块方面，公司自主开发的HPD以及DCM全碳化硅主驱模块将在2023年完成A样试制，目前已经获得多家Tier1和终端车企的测试及合作意向，计划于2025年完成全国产主驱碳化硅模块的批量上车。第三代半导体产品的持续推出，为公司实现半导体功率器件全系列产品的一站式供应奠定了坚实的基础。 上调盈利预测，维持“买入”评级：公司作为国内领先的IDM功率器件厂商，积极开拓海外市场，产品结构不断优化，MOSFET、IGBT等业务占比不断提升，下游应用向新能源领域加速转型，有望持续受益于新能源赛道高景气。预计公司2023-2025年归母净利润为11.56/14.17/16.89亿元，对应EPS为2.14/2.62/3.12元，对应PE为16/13/11倍。 风险提示：宏观经济波动风险、下游需求不及预期、技术开发和迭代升级风险、市场竞争加剧。