电子行业周报：美光财报超预期，存储周期拐点已近

美光Q3业绩优于预期，预计FY4Q23情况继续向好。2023年6月28日，美光发布财报，公司于FY3Q23（财年）实现营收37.52亿美金，同比下降56.58%，环比增长1.60%，毛利率-16.07%，相较FY2Q23的-31.44%已有提升15.37pct，也高于此前预期的最大值-18.50%；净利润为-15.65亿美金，亏损明显收窄。展望FY4Q23，公司指引预期营收37-42亿美金，综合毛利率范围为-8%到-13%，相比于FY3Q23营业情况预将持续好转。 从产品结构看，DRAMBit出货量环比增长10%，价格环比下降10%；NAND Bit出货量环比增长30%以上，价格环比下降15%左右。虽然产品价格还有下降，但相较第二财季（DRAM和NAND价格分别环比下降20%、25%）已有明显收缩。 美光等海外龙头削减资本开支，存储周期拐点已现。美光资本开支于23年Q1开始出现明显下降，2023年全年资本开支计划为70亿美元，同比将下降40%以上，并且预计到24年WFE支出仍将继续同比下降。从产量看，DRAM与NAND产量相比于Q2（减产25%）将进一步减产30%，同时减产将持续到24年。此前海力士也发布23年Q1财报，资本开支在22年Q2后保持下降趋势，且库存也望迎来拐点。 AI算力需求拉动存储技术升级、容量攀升，成为美光出货量增长重要推动力。美光财报披露，AI服务器对DRAM容量需求是普通服务器的六到八倍，对NAND容量需求是普通服务器的三倍。受益AI服务器对HBM高带宽显存需求强劲，公司也正密切与客户合作，并开始提供行业领先的HBM3样品，该产品预计将于2024年初开始量产，后续有望快速放量。此外，美光也持续推动DDR5升级，公司DDR5出货量Q3（23财年）同比Q2增加超过100%，预计2024Q1末DDR5出货量赶超DDR4。NAND方面，目前美光也已推出232层3D NAND，在AI服务器存储需求拉动下，产品出货量有望增加，助力美光营收提升。 美光“被禁”加速国产存储替代。美光于业绩会上对5月21日中国网信办“禁售令”作出回应，“禁售令”对美光业务的影响仍具不确定性，部分中国关键基础设施运营商或政府代表已和包括移动设备制造商在内的美光客户，就未来美光产品的使用问题取得联系。美光表示预计约有50%在华业务将受到影响。此次美光“被禁”，我们认为标志国产存储厂商在部分细分领域已有一定替代空间，将实际加速国产存储替代进程，利好直面美光竞争的存储细分环节。 投资建议：美光财报显示存储周期底部拐点渐行渐近，近期诸多原厂提价动向也表明价格进入底部博弈状态。长期看，AI驱动存储技术升级、容量提升，尤其HBM需求快速增长。重点关注：1）存储芯片：东芯股份、恒烁股份、普冉股份、北京君正、兆易创新等；2）存储模组：江波龙、德明利等；3）存储封测：深科技等。 风险提示：下游市场复苏不及预期；存储原厂减产不及预期 重点公司盈利预测、估值与评级 1美光FY3Q23财报：业绩环比向好，存储周期反转渐明 1.1Q3业绩优于预期，预计FY4Q23情况继续向好 2023年6月28日，美光发布财报，公司于FY3Q23（2023财年Q3，自然年为Q2）实现营收37.52亿美金，同比下降56.58%，环比增长1.60%，达到此前指引的营收范围（35-39亿美金），毛利率方面因价格依旧低位，且受4亿美元库存减值影响（约影响11%左右），依旧处于低位，FY3Q23为-16.07%，但相较FY2Q23的-31.44%已有提升15.37pct，也高于此前预期的最大值-18.50%。公司受益于下游AI和汽车保持较高景气度，且工业市场出现复苏态势，净利润为-15.65亿美金，相比上季度净利润的-20.81亿美金，亏损明显收窄。 展望FY4Q23，公司指引预期营收37-42亿美金，综合毛利率范围为-8%到-13%，相比于FY3Q23营业情况预将持续好转。 图1：美光营收和净利润（时间按财年划分，百万美元） 图2：美光毛利率变化（时间按财年划分，%） 分业务营收来看，计算和网络业务部门营收14亿美元，环比增长1%，增速较低主要由于服务器和图形领域收入的强势增长被消费级固态硬盘（Client）的低迷所抵消；嵌入式业务部门营收9.12亿美元，环比增长5%，系因汽车和消费市场环比收入强劲；移动业务部门营收8.19亿美元，环比下降13%，主要由于产品发货原因，但公司预计移动收入将于第四财季实现环比增长；存储业务部门营收6.27亿美元，环比增长24%。 按产品结构来看，公司DRAM营收27亿美元（占总营收71%），环比下降2%，其中Bit出货量环比增长10%，价格环比下降10%；NAND营收10亿美元（占总营收27%），环比增长14%，其中Bit出货量环比增长30%以上，价格环比下降15%左右。 总体来看，DRAM和NAND的出货量均实现增长，体现下游需求呈现恢复迹象，此外，虽然产品价格还有下降，但相比于第二财季（DRAM和NAND价格环比下降20%、25%）下降幅度明显收缩，价格逐步趋近底部，拐点降至。 图3：美光各季度业务组成（时间按财年划分，百万美元） 图4：美光产品营收结构（时间按财年划分） 1.2美光等海外龙头削减资本开支，存储周期拐点已现 从资本开支来看，根据彭博数据显示，美光资本开支于23年Q1开始出现明显下降。美光在Q3业绩说明会表示23年资本开支计划为70亿美元，同比将下降40%以上，其中WFE（晶圆制造设备）支出下降50%以上，并且预计到24年，WFE支出仍将继续同比下降。同时，自23年Q1以来，美光的库存也开始呈现下降苗头。 此外，此前海力士也发布23年Q1财报，数据显示海力士的资本开支在22年Q2后保持下降趋势，且库存也在23年Q1呈现缓慢增长，预计即将迎来库存下降的拐点。 从供给来看，根据美光Q3财季业绩说明会显示，美光的DRAM与NAND产量相比于Q2（减产25%）将进一步减产30%，同时减产将持续到24年。因此，未来的DRAM与NAND的供应量会持续减少，将有助于缓解存储行业供需失衡的局面。 以美光为代表的海外龙头厂商下调资本开支，减少晶圆供给，标志着存储行业正进入减产周期，后续存储周期拐点将至。 图5：美光库存及资本开支（时间按财年划分，百万美元） 图6：海力士库存及资本开支（百万美元） 1.3AI算力需求拉动存储技术升级、容量攀升，成为美光出货量增长重要推动力 数据中心业务量强势增长，AI服务器存储需求成为美光营收增量的核心支撑。 AIGC大时代来临，ChatGPT等大语言模型的推出，带动AI服务器需求增量，AI服务器由GPU、DRAM、SSD、CPU等组成，对DRAM容量需求是普通服务器的六到八倍，对NAND容量需求是普通服务器的三倍。在主流数据中心传统服务器需求低迷的情况下，AI服务器需求高于预期，Q2收入强势增长，现已成为美光营收增量的强力支撑。 3D NAND助力满足AI海量存储需求，成为美光存储器出货量增长点。3D NAND闪存通过将内存颗粒堆叠在一起，从而解决2D NAND存储密度限制，具有更高密度、写入速度和擦除速度更快的特点，存储容量可以比普通NAND提高3倍，未来有望成为NAND flash主流解决方案。美光目前已推出232层3D NAND，技术突破快，受益于AI服务器存储需求，美光3D NAND出货量有望增加，助力美光营收提升。 AI芯片将同样驱动美光HBM和DDR5营收增加。HBM基于TSV和芯片堆叠技术的堆叠DRAM架构，可实现高于256GBps的突破性带宽，替代GDDR，可为GPU提供更高的带宽，而DDR5标准的最高速率可达DDR4的两倍。 英伟达于5月29日推出GH200超级芯片，其搭载144TB内存。美光深入参与其中的大部分内存项目，将公司在低功耗DRAM领域的领先地位扩展到服务器级应用，显著降低数据中心功耗。由于HBM高带宽显存需求强劲，美光也正密切与客户合作，并开始提供行业领先的HBM3样品，该产品预计将于2024年初开始量产，后续有望快速放量，增厚2024年财年业绩。此外，美光也持续推动DDR5升级，公司DDR5出货量Q3（23财年Q3）同比Q2（23财年Q2）增加超过100%，预计2024财年Q1末DDR5出货量赶超DDR4，而全行业来看预计将于2024年年中达成这一水平。 图7：AI服务器带动存储增量 消费电子、汽车、工业等下游领域整体偏疲软，但汽车、工业复苏可期。受下游消费低迷影响，美光预计2023年PC销量同比下滑两位数百分比以上，手机销量同比下降个位数，PC端、手机等下游支撑力度弱。汽车、工业方面，客户端库存均有所改善，向正常水位回归，此外，汽车端单车存储容量上升，工业端整体已有复苏迹象。得益于美光在汽车领域的领先地位以及美光的工业客户在AI、物联网等领域的持续拓展，美光存储器出货量有望进一步提升。 1.4美光在华“禁售”，国产替代迎加速契机 美光“被禁”加速国产存储替代。美光于业绩会上对5月21日中国网信办发布的“禁售令”作出回应，“禁售令”对美光业务的影响仍具不确定性，部分中国关键基础设施运营商或政府代表已和包括移动设备制造商在内的美光客户就未来美光产品的使用问题取得联系。同时美光表示，预计约有50%在华业务将受到影响。 回溯来看，自网信办3月31日宣布对美光公司在华销售的产品实施网络安全审查，并于5月21日公告国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品起，我们了解到国内模组厂便已作出应对，如参考江波龙投资者关系活动记录表，公司正实现供应链多元化，根据市场需求适时调整备货策略。 从美光财报来看，2022财年在中国大陆营收33.11亿美元，中国香港营收16.65亿美元，合计占美光全球营收的16.18%。美光作为全球存储器龙头之一，在DRAM和NAND市场份额分别占25%、13%，在全球汽车DRAM份额45%。 此次美光“被禁”，我们认为标志国产存储厂商在部分细分领域已有一定替代空间，将实际加速国产存储替代进程，利好直面美光竞争的存储细分环节。 图8：2022财年美光分地区营收结构（亿美元） 我们梳理国内存储产业各环节厂商来看，目前国内存储Fabless公司中，兆易创新NOR Flash全球市场份额第三，同时布局利基型DRAM和SLC NAND产品；北京君正在SRAM全球市场份额第二；东芯股份SLC NAND为行业领军者。 国内模组厂中，江波龙作为国内存储模组品牌龙头，全面布局Flash和DRAM存储器，产品包括内存条、固态硬盘、嵌入式存储和移动存储等各领域；德明利开发以主控芯片为核心的存储管理应用方案，目前已覆盖闪存产品全类型。 国内晶圆厂中，长江存储3D NAND技术已开始进入世界领先水平；长鑫存储DDR4产品已经量产，目前正在突破 17nm DDR5技术。总体来看，国内存储厂商在部分细分领域已达到国际水平，此次美光“禁令”将加速存储芯片国产替代的脚步。 表1：中国大陆存储Fabless公司产品分布 表2：中国大陆存储模组厂产品分布 表3：中国大陆存储晶圆厂产品分布晶圆厂SRAM 2存储产品价格步入筑底阶段，美光等原厂着力推动价格回升 根据CFM数据显示，存储市场目前处于供需博弈阶段，DRAM和NAND价格触底已逐步明确。具体分析本周（6.20-6.27）各类产品价格变化情况： NAND晶圆方面，128Gb～1TbTLCNAND晶圆价格已经连续半个月维持不变； DDR颗粒方面，DDR416Gb eTT/8Gb3200价格虽仍处于下跌趋势，但跌幅逐渐收缩； 渠道市场方面，SSD上周价格普遍下调，但本周价格保持稳定，内存条产品价格小幅下调； 行业市场方面，SSD本周价格持平，DDR4 SODIMM 4GB/8GB产品价格小幅下降，16GB产品价格保持稳定。 存储原厂有意推动产品价格回暖。据台湾电子时报消息，美光消费零部件相关部门已正式通知经销商，自5月起，DRAM及NAND F