电子行业周报：美光财报超预期，存储周期拐点已近

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美光发布财报，公司于FY3Q23（财年）实现营收37.52亿美金，同比下降56.58%，环比增长1.60%，毛利率-16.07%，相较FY2Q23的-31.44%已有提升15.37pct，也高于此前预期的最大值-18.50%；净利润为-15.65亿美金，亏损明显收窄。展望FY4Q23，公司指引预期营收37-42亿美金，综合毛利率范围为-8%到-13%，相比于FY3Q23营业情况预将持续好转。从产品结构看，DRAM Bit出货量环比增长10%，价格环比下降10%；NAND Bit出货量环比增长30%以上，价格环比下降15%左右。虽然产品价格还有下降，但相较第二财季（DRAM和NAND价格分别环比下降20%、25%）已有明显收缩。美光等海外龙头削减资本开支，存储周期拐点已现。美光资本开支于23年Q1开始出现明显下降，2023年全年资本开支计划为70亿美元，同比将下降40%以上，并且预计到24年WFE支出仍将继续同比下降。从产量看，DRAM与NAND产量相比于Q2（减产25%）将进一步减产30%，同时减产将持续到24年。此前海力士也发布23年Q1财报，资本开支在22年Q2后保持下降趋势，且库存也望迎来拐点。AI算力需求拉动存储技术升级、容量攀升，成为美光出货量增长重要推动力。美光财报披露，AI服务器对DRAM容量需求是普通服务器的六到八倍，对NAND容量需求是普通服务器的三倍。受益AI服务器对HBM高带宽显存需求强劲，公司也正密切与客户合作，并开始提供行业领先的HBM3样品，该产品预计将于2024年初开始量产，后续有望快速放量。此外，美光也持续推动DDR5升级，公司DDR5出货量Q3（23财年）同比Q2增加超过100%，预计2024Q1末DDR5出货量赶超DDR