碳化硅衬底切割行业首次覆盖报告：8英寸碳化硅衬底的历史机遇

总结：

报告指出，碳化硅衬底扩径至8英寸是国产设备商的重要机遇期。参考硅晶圆的发展历程，使用12英寸硅晶圆可以实现近50%的半导体芯片单位成本降低。然而，将晶圆扩径至18英寸需要巨大的研发成本和高昂的单厂投入，仅能实现8%左右的半导体芯片单位成本降低，厂商对此动力有限。因此，8英寸可能成为碳化硅衬底的主流尺寸。

衬底成本在碳化硅器件成本中占比高达47%，是价值量最高的原材料。衬底成本高主要是由于综合良率仅为40%左右。长晶环节对工艺要求高，国内领先企业的良率也仅为50%左右；加工环节中，碳化硅的硬度大且脆性高，加工难度大，良率约为70%。

切割环节成本占比较髙，是衬底制备的主要降本环节。金刚线切割技术是目前的主流迭代方案，而激光切割技术具有损耗小、效率高和产品质量高等优势，将是未来的主流技术。然而，国内厂商在激光切割技术上仍处于研发阶段。

报告强调了风险提示，包括碳化硅渗透率不及预期以及国内厂商突破激光切割技术进度的不确定性。

在碳化硅衬底发展趋势方面，报告认为8英寸将成为主流尺寸，而6英寸向8英寸的过渡将是国产设备商的机遇。报告还提到，衬底成本的降低将主要通过尺寸扩径、厂商扩产以及制备技术更新来实现。此外，报告分析了碳化硅材料在新能源、光伏、充电桩等领域的广泛应用，预计2027年全球碳化硅器件市场规模将增长至63亿美元。

报告还详细介绍了碳化硅衬底制备的关键步骤，包括晶体生长、晶锭加工、切割、研磨和抛光等，并指出设备国产化仍有提升空间。特别是切割环节，金刚线切割技术正在逐步替代砂浆切割，激光切割技术是未来发展方向，但目前仍面临较高的技术门槛和成本问题。

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