美对华半导体出口管制范围扩大，国产化有望再加速

节前一周（9/26-9/30）行情概览： 节前一周（9/26-9/30）半导体行情跑输主要指数。申万半导体行业指数下跌3.51%，同期创业板指数下跌0.65%，上证综指下跌2.07%，深证综指下跌2.07%，中小板指下跌2.51%，万得全A下跌2.52%。半导体行业指数跑输主要指数。 半导体各细分板块中半导体材料板块表现较为平稳。半导体细分板块中，半导体材料板块下跌0.9%，半导体制造板块下跌1.5%，半导体设备板块下跌2.9%，封测板块下跌3.3%，IC设计板块下跌3.3%，分立器件板块下跌4.3%。 10月7日，美国商务部下属的工业和安全局（BIS）发布多项对华出口管制措施，其中包括在美国国外生产的产品，旨在限制中国获得先进计算芯片、开发和维护超级计算机以及制造先进半导体的能力。 本次出口管制新规主要影响为三点： 1）进一步限制中国半导体制造产业发展 从历史上的制裁看，针对半导体制造，2020年8月，中芯国际被美列入实体名单，而后并对其从限制半导体制造产业范围看，本次制裁从限制先进芯片制造设备和相关零部件入手，遏制中国本土先进制程芯片及存储芯片制造，限制范围从逻辑芯片扩展到存储芯片。 2）进一步加大先进计算芯片管制 从历次制裁看，美方从拉入实体名单到禁售双精度计算能力的高端GPU产品，限制范围层层加码，本次制裁限制范围从先进计算芯片的设计端涉及到了生产端，进一步扩大了对先进计算芯片的限制范围。 3）新增北方华创磁电科技、长江存储等“未核实名单”（UVL）实体 美国商务部新增31家中国实体列入“未经核实清单”（UVL清单），有9家中国企业从未经核实清单中移除。其中北方华创磁电科技有限公司（北方华创间接控股子公司）、长江存储等被列入UVL名单。从本次制裁看，UVL相对实体清单相关的限制更小，但是这也意味着美方的执法权，检察权已经延伸到这些企业。增加了经营的不确定性。 半导体产业链国产化有望再次加速。我们认为半导体产业的发展逻辑发生了重大转变，全球化分工合作在逐渐降低，在外部环境不确定性增加的情况下，全产业链自主可控预计会超越产业周期，成为未来国产半导体产业的发展主线。目前我国在半导体设备零部件/设备/材料领域已逐渐走出一批优秀的领军企业，产品陆续通过国内产线如中芯/华虹/长存/长鑫的产线验证，考虑到本次出口管制的影响，预计产业链国产化会再次加速，相关国产厂商有望迎来发展机遇。 建议关注： 1）半导体材料设备：正帆科技/雅克科技/沪硅产业/华峰测控/北方华创/上海新阳/中微公司/精测电子/长川科技/鼎龙股份/安集科技/拓荆科技/盛美上海/多氟多/中巨芯/清溢光电/有研新材； 2）代工封测：华虹半导体/中芯国际/长电科技/通富微电； 3）IDM:闻泰科技/三安光电/时代电气/士兰微/扬杰科技； 4）半导体设计：纳芯微/东微半导/海光信息/圣邦股份/思瑞浦/澜起科技/晶晨股份/瑞芯微/中颖电子/斯达半导/宏微科技/新洁能/全志科技/恒玄科技/富瀚微/兆易创新/韦尔股份/卓胜微/晶丰明源/紫光国微/艾为电子/龙芯中科/普冉股份； 风险提示：宏观不确定性，疫情继续恶化；贸易战影响；需求不及预期 1.美国BIS发布新集成电路相关出口管制规定 事件：10月7日，美国商务部下属的工业和安全局（BIS）正在修改《出口管理规定》(EAR)，以便对先进计算集成电路(ic)和含有该集成电路的计算机产品、半导体制造产品等实施必要的管制。此外，BIS正在扩大对涉及超级计算机和半导体制造终端用途项目的交易的控制，例如，该规则扩大了实体清单上28个位于中国的现有实体需要许可证的外国生产项目的范围。BIS还向公众宣布了“美国“支持”在中国“开发”或“生产”某些集成电路的人”需要许可证。最后，为了将这一规定对半导体供应链的短期影响降至最低，BIS正在建立一个临时通用许可证，以允许在中国境内进行特定的、有限的制造活动。 美方主要在两个领域对《出口管理条例》(EAR)进行了重大修改，以解决美国的国家安全和外交政策担忧。首先，BIS对某些高级计算半导体芯片(芯片、高级计算芯片、集成电路或IC)、超级计算机终端用途交易以及涉及实体清单上某些实体的交易施加了额外的出口控制。其次，BIS对某些半导体制造项目和某些IC终端用途的交易采取了额外的控制。 具体包括：将某些高端的和高性能计算芯片和包含这些芯片的计算机商品加入商业管制清单（CCL）；对运往中国的超级计算机或半导体开发或生产终端用途的物品增加了新的许可要求；扩大《出口管理条例》（EAR）对某些外国生产的先进计算项目和外国生产的用于超级计算机最终用途的项目适用范围；扩大外国生产物品的范围，要求其符合许可证的要求，包括实体清单上位于中国的28个现有实体；在商业管制清单（CCL）中增加了某些半导体制造设备和相关项目；对在中国制造的符合规定的半导体制造工厂的设备增加新的许可证要求。中国公司拥有的设施许可证将面临“推定拒绝”，跨国公司拥有的设施将根据具体情况做出决定。具体涉及范畴：具有 16nm 或14nm 以下制程的非平面晶体管结构（FinFET或GAAFET）的逻辑芯片；半间距为 18nm 或更小的DRAM存储芯片；128层或更多层的NAND闪存芯片；限制美国人在没有许可证的情况下支持在某些位于中国的半导体制造“设施”开发或生产集成电路的能力； 对开发或生产半导体制造设备和相关物品的出口项目增加了新的许可证要求；设立了临时通用许可证（TGL），通过允许与中国境外使用物品有关的特定、有限的制造活动，将对半导体供应链的短期影响降到最低。 生效时间： 针对半导体制造项目限制规则在提交公众检查时生效（2022年10月7日）； 限制美国人支持在某些位于中国的半导体制造“设施”开发、生产或使用集成电路的规则将在2022年10月12日生效； 限制高级计算和超级计算机的规则以及其他的规则变更将在2022年10月21日生效。 具体举措包括： 一、对先进计算芯片及超算计算机施加了额外的出口控制 A.将3A090和4A090加入商业控制清单 美国宣布将某些先进计算芯片，以及保护先进计算芯片的计算机商品添加到商业控制清单（CCL）中。在CCL中，此规则为指定的高性能集成电路3A090和4A090(计算机、“电子组件”和“组件”。） 其中：3A090规定的先进计算芯片定义：满足输入输出（I/O）双向传输速度高于600GB/s，同时每次操作的比特长度乘以TOPS计算出的处理性能合计为4800或更多算力的产品； 计算机部分：超级计算机指的是在41,600立方英尺或者更小的体积内，具有100或以上双精度(64位)千万亿次浮点运算能力或200或以上单精度(32位)千万亿次浮点运算能力的计算“系统”。 其他产品相关参数达到了3A090或4A090的指标，将视同按照3A090和4A090这两个编码下的货物进行管理，其中包括晶圆(成品或未完成)的控制。 B. 对运往中国的超级计算机或半导体开发或生产终端用途的物品增加了新的许可要求。 对向中国或在中国境内出口、再出口和转移(在美国内)已确定的物品规定了许可证要求。 此外，对从中国向世界任何目的地出口先进计算芯片(即3E001用于3A090)的设计、开发或生产技术施加许可证要求，该技术由总部位于中国的实体开发，是受EAR约束的某些软件的“直接产品”，用于“生产”某些先进计算集成电路和计算机或包含这些芯片的组件。 从中国获得3A090技术3E001的中国境外实体应考虑确认从中国出口此类技术的许可证。 如果没有获得这样的许可证，禁止任何人对没有BIS许可证的出口技术采取任何进一步的行动。 C. 扩大《出口管理条例》（EAR）对某些外国生产的先进计算项目和外国生产的用于超级计算机最终用途的项目适用范围。 创建两个新的外国直接产品(FDP)规则，即对于超算最终用户和最终用途的外国直接产品规则的限制。任何外国生产的产品，如果符合禁运的产品范围和目的地范围，则受EAR约束。 范围限制：与CCL标准一致。 用途限制：任何外国生产的产品，只要符合禁止出口的产品范围，以及之前规定的禁止出口的最终用途和国家范围，就受《EAR》的约束。新的超级计算机终端使用FDP规则：如果外国生产的项目符合前确定的条件，即，意味着外国生产的项目是受EAR约束的特定“技术”或“软件”的“直接产品”，则该项目符合产品范围。产品范围还包括外国生产的产品，即一个完整工厂的产品或工厂的“主要部件”，无论是在美国制造的还是在外国制造的，其本身是某种特定的美国原产地“技术”或“软件”的“直接产品”。 如果“知道”外国生产的项目将用于位于或运往中国的“超级计算机”的设计、“开发”、“生产”、操作、安装(包括现场安装)、维护(检查)、修理、大修或翻新，则外国生产的项目符合国家和最终用途范围;或并入或使用于“开发”或“生产”任何“部件”、“组件”或“设备”，将用于位于或运往中国的“超级计算机”。 产品范围还包括ECCN 3A090或4A090中指定的外国生产的产品，或作为一个完整工厂或“主要”产品的其他指定的产品工厂的部件，无论是在美国制造的还是在外国制造的，其本身是某种特定的美国原产地“技术”或“软件”的“直接产品”。 最终用户规定：如果“知道”该外国生产的产品正被出口、再出口或转移(在国内)到中国或中国境内，或被纳入目的地为中国的任何“部件”、“组件”、“计算机”或“设备”，则该外国生产的产品符合目的地范围。 D.扩大外国生产物品的范围，要求其符合许可证的要求，包括实体清单上位于中国的28个现有实体。 二、针对半导体制造项目和集成电路的最终用途作出限制 A.在商业管制清单（CCL）中增加了某些半导体制造设备和相关项目，增加控制清单ECCN 3B090 对在中国制造的符合规定的半导体制造工厂的设备增加新的许可证要求。具体涉及范畴：具有 16nm 或 14nm 以下制程的非平面晶体管结构（FinFET或GAAFET）的逻辑芯片；半间距为 18nm 或更小的DRAM存储芯片；128层或更多层的NAND闪存芯片。 B.限制美国人在没有许可证的情况下支持在某些位于中国的半导体制造“设施”开发或生产集成电路的能力。 美国人（美国公民、持有美国绿卡的外国永久居民、位于美国的外国人、美国设立的公司单位法人组织，包括外国公司在美国的分公司）在已知的情况下，BIS禁止。列明的几种限制性的活动： i.(在美国内)装运、传输或转让，目的是为了在中国发展相关半导体制造，包括16或14纳米以下制程的逻辑芯片，或用于开发制造半间距超过18纳米的DRAM芯片，或用于开发制造128层或更高层级以上的NAND芯片。 ii.协助(在美国内)装运、传输或转让任何不受EAR约束的物品，这些物品将在位于中国的半导体制造“设施”用于“开发”或“生产”集成电路或提供服务，该设施制造的集成电路符合用于16或14纳米以下制程的逻辑芯片，或用于开发制造半间距超过18纳米的DRAM芯片，或用于开发制造128层或更高层级以上的NAND芯片的标准; iii.协助运输、传输或转移(在美国内)将不受EAR约束且符合CCL第3类产品B、C、D或E中任何ECCN参数的任何项目或者提供服务到中国或中国境内，该项目为任何半导体制造“设施”用于集成电路的“开发”或“生产”的项目； iv.将任何符合ECCN 3B090、3D001(适用于3B090)或3E001(适用于3B090)参数的任何物品运输、传送或转移(在美国内)到中国或在中国境内，无论其最终用途或最终用户; v.为任何不受EAR约束且符合ECCN3B090、3D001(适用于3B090)或3E001(适用于3B090)参数的物品的装运、传输或转移(在美国内)到中国或中国境内提供便利，而不论其最终用途或最终用户;或 vi.为位于中国境内的不受EAR约束的任何项目提供服务，该项目将在位于中国的半导体制造“设施”用于“开发”或“生产”集成电路，并符合ECCN