成功研发出8英寸SiC衬底，设备+材料平台化布局

事件：据公司微信公众号2022年8月成功研发出8英寸N型碳化硅晶体。 SiC研发自此迈入8英寸时代，大尺寸方向取得重大突破：（1）SiC衬底成本占比约47%，是SiC器件的主要成本来源，其制作的关键难点在于长晶，包括对气流、温度等的精确控制，长晶炉是衬底生长品质把控的关键，know-how多掌握在设备端+工艺调试端。（2）此次晶盛利用自主开发的设备成功研发8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。成功解决8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛应用打下基础。 海外龙头8英寸领先优势明显，国内厂商有待突破：Cree等龙头对于8英寸碳化硅衬底的量产已提上日程，国产厂商多处于8英寸碳化硅衬底的研发阶段：Wolfspeed（Cree全资子公司）投入10亿美元建设的8英寸新工厂2022年4月已经投产；Soitec2022年3月启动新晶圆厂建设计划，将用于6英寸、8英寸晶圆制造，预计2023年下半年建成投产，2022年5月发布8英寸碳化硅衬底产品；罗姆（SiCrystal）预计2023年左右开始量产8英寸衬底、2025年量产8英寸SiC器件；II-VI 2021年4月表示未来5年内将SiC衬底的生产能力提高5至10倍，其中包括量产8英寸衬底；英飞凌2020年9月表示8英寸SiC晶圆生产线已建成。 晶盛拟以自有资金布局SiC衬底，设备端延伸至材料端：（1）公司于2017年涉足碳化硅领域，于2021年组建了原料合成-晶体生长-切磨抛加工的中试线，已经成功生长出有效厚度25mm-30mm的6英寸导电型碳化硅晶体，2021H2开始向客户送样，目前已通过了下游客户和第三方检测机构的验证，且已取得客户A意向性合同，2022年-2025年公司将优先向其提供碳化硅衬底合计不低于23万片。（2）公司定增项目剔除碳化硅衬底片后，拟以自有资金进行布局，达产后将形成40万片6英寸及以上尺寸的导电型和半绝缘型碳化硅衬底片的年产能，该碳化硅项目2021年12月3日落址银川。 盈利预测与投资评级：光伏设备是晶盛机电的第一曲线，第二曲线是半导体大硅片设备放量，第三曲线是蓝宝石材料和碳化硅材料的完全放量。暂未考虑碳化硅业务对盈利的增厚，我们维持公司2022-2024年的归母净利润为25.95/35.87/43.44亿元，对应PE38/28/23倍，维持“买入”评级。 风险提示：新品拓展不及预期。