长江电子杨洋团队 供给刚性叠加需求跃迁 重视功率半导体量价齐升

本报告分析功率半导体行业供需格局变化，指出AI算力扩张推动需求跃迁，机柜功率密度提升，SiC/GaN加速渗透。供给端刚性超预期，8英寸制程产能萎缩，设备受限，MOSFET交期超30周。国产厂商技术产能提升，份额加速迁移，如士兰微跻身全球前五。量价份额共振，板块配置价值凸显。

功率半导体赛道受益AI算力扩张，需求曲线重构，机柜功率密度向兆瓦级发展。英伟达主导800V高压直流架构，SiC/GaN渗透加速，单台AI服务器功率器件价值量提升。供给端受限，8英寸制程产能萎缩，设备优先满足存储与先进制程，扩产周期长。国产厂商技术产能提升，份额加速迁移，行业格局持续优化。

研报重点分析供需两端变化及国产厂商崛起。需求端关注AI算力推动的功率密度提升和800V架构应用，SiC/GaN渗透加速。供给端关注8英寸制程产能瓶颈，设备受限及扩产周期，MOSFET交期超30周。国产厂商技术产能提升，份额加速迁移，如士兰微跻身全球前五，天岳先进SiC衬底市占率全球第一。

当前功率半导体市场呈现供需紧张格局。供给端刚性超预期，8英寸制程产能萎缩，设备受限，扩产周期长，MOSFET交期超30周。需求端AI算力扩张推动需求跃迁，SiC/GaN加速渗透。国产厂商技术产能提升，份额加速迁移，但整体供给仍受限，市场处于紧张状态。

本报告提示功率半导体行业风险：供给端扩产受限，8英寸制程产能瓶颈，设备受限，扩产周期长；需求端技术快速迭代可能带来产品生命周期变化；国产厂商虽然份额加速迁移，但技术成熟度和客户粘性仍需持续提升。此外，全球宏观经济波动可能影响下游需求。