HBM系列研究5HBM技术路线大更新定制Basedie混合键合是未来关键

研报指出，三星提出三阶段HBM技术路线：cHBM4将内存控制器迁移至定制Base Die，预计释放XPU约5%-10%面积、提升10%-20%性能；AHBM2在Base Die上集成第二层内存与近存计算；ZHBM3取消2.5D中介层、将DRAM直接垂直集成在XPU上，带宽提升2.3倍以上、总DRAM功耗降低约70%

HBM赛道因AI加速器等需求旺盛而快速发展，但硅片消耗强度高，供给难快速响应。美光测算相同容量下HBM硅片消耗约标准DDR的3倍，DRAM厂商扩产周期长。海力士指出封装逼近极限，混合键合是中长期路径，可消除芯片间隙、提升导热，但预计HBM4E尚不采用

本报告重点分析了HBM技术路线的演进，特别是三星的三阶段路线，以及海力士关于混合键合作为中长期解决方案的观点。同时，探讨了硅片消耗强度、供给瓶颈、封装极限等问题，并梳理了相关产业链公司，包括原厂长鑫科技、设备精智达、封测盛合晶微等

当前HBM市场因AI需求旺盛而供不应求，Hot Chips 2026大会强调几乎所有主流AI加速器均用HBM。美光测算相同容量下HBM硅片消耗约标准DDR的3倍，但DRAM厂商扩产缓慢，新建晶圆厂需约2年，行业短期难响应需求冲击

本报告提示行业竞争加剧、宏观经济波动可能导致需求不及预期等风险。具体而言，HBM技术路线演进存在不确定性，混合键合技术成熟度待验证，且产业链各环节产能扩张需时间，市场波动可能影响投资回报