这份研报指出,兆易创新2Q26扣非归母净利润环比增长146%,主要产品包括存储器(NORFlash、SLCNANDFlash、DRAM)、微控制器(ARM核和RISC-V内核MCU)、传感器(触控和指纹识别芯片)及模拟产品。受益于存储价格上涨,单季度营收73.78亿元(YoY+229.18%,QoQ+76.16%),扣非归母净利润34.73亿元(YoY+983.35%,QoQ+146.3%),综合毛利率66.57%(YoY+29.55pct,QoQ+9.49pct)。
利基存储赛道景气度持续,产能缺口较大,量价齐升。DDR4产品全面量产,LPDDR4X新产品进展顺利,定制化存储在AI手机、AIPC、汽车、机器人等领域拓展顺利。SLCNANDFlash方面,国际大厂削减2DNAND产能形成供给缺口,1H26产品量价齐升,毛利率显著提升,推出4Gb/8Gb新产品,容量范围覆盖1Gb-8Gb,MLC产品开启研发。NORFlash各应用领域销量增长,价格温和上涨。
研报重点分析了兆易创新的利基型DRAM、SLCNANDFlash、NORFlash、MCU及模拟产品业务。利基型DRAM景气度持续,产能缺口较大,量价齐升;SLCNANDFlash受益于供给缺口,量价齐升,毛利率提升;NORFlash各应用领域销量增长;MCU成功量产79个系列、超过800款产品,工业领域为第一大营收来源;模拟产品控股子公司苏州赛芯营收及出货量同比增长,产品覆盖多个细分市场。
当前利基存储市场呈现景气度持续、产能缺口较大、量价齐升的特点。兆易创新主要产品如DRAM、SLCNANDFlash、NORFlash均受益于此,营收和利润大幅增长。MCU业务稳步发展,工业领域营收占比高。模拟产品子公司营收和出货量同比增长。整体来看,利基存储市场供需关系紧张,企业盈利能力提升。
研报提示的风险因素包括下游需求不及预期、新产品开发不及预期、国际关系恶化等。下游需求波动可能影响产品销售和盈利;新产品研发失败可能导致市场竞争力下降;国际关系恶化可能带来供应链或市场拓展风险。这些因素需关注,但研报未涉及具体影响程度或应对措施。