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这份研报主要讲了什么内容？
这份研报分析了AI算力升级如何驱动800V供电演进，以及SiC和GaN功率半导体价值量的倍增。报告指出AI后训练算力占比提升推动机柜功耗增大，从400V向800V架构演进，使每kW半导体价值量提升50%。800V架构简化链路提升效率，新增固态变压器等器件占价值量24%-26%，VRM仍是核心环节。技术路径切换使单机柜SiC价值量增长近7倍至4.6万元，GaN价值量增长42倍至2.7万元。
功率半导体赛道未来发展趋势如何？
功率半导体赛道正经历从400V向800V架构的演进，AI算力需求推动单机柜功耗达220kW，GPU功耗占比75%。800V架构通过三级变换提升3%-5%效率，SiC和GaN价值量显著增长。全球市场欧美日IDM主导，技术壁垒高，中国市场经历外商主导、本土分工、新能源汽车驱动国产化三阶段，车规级IGBT国产化率超50%，本土厂商份额加速提升。借鉴韩国经验，中国企业在碳化硅技术路径切换中存在反超机会。
研报重点分析了哪些方向？
研报重点分析了AI算力对功率半导体价值量的影响，对比400V与800V架构的效率与价值量差异，以及SiC和GaN器件的价值量增长。报告还梳理了全球和中国功率半导体市场格局，指出全球CR10>80%，中国市场车规级IGBT国产化超50%，并探讨了中国企业通过碳化硅技术路径切换实现反超的机遇。
当前功率半导体市场现状如何？
当前功率半导体市场正由AI算力需求驱动向800V架构升级，SiC和GaN价值量显著提升。全球市场以欧美日IDM为主，技术壁垒高，中国市场经历外商主导、本土分工、新能源汽车驱动国产化三阶段，车规级IGBT国产化超50%，本土厂商份额加速提升。技术路径切换使SiC价值量增长近7倍，GaN价值量增长42倍，市场潜力巨大。
研报是否存在风险提示？
研报提示功率半导体技术路径切换存在不确定性，全球市场CR10>80%技术壁垒高，中国企业需关注技术代差缩短至1-2代的可能性。同时，中国市场虽车规级IGBT国产化超50%，但英飞凌仍占主导地位，本土厂商份额加速提升但面临激烈竞争。此外，功率半导体供应链受国际环境等因素影响，需关注技术迭代和市场竞争风险。