东吴电子陈海进 DrMOS 8英寸BCD产能结构性收缩 GPU核心电源物料

DrMOS产能收缩主要由于海外晶圆产能结构性迁移，台积电将8英寸BCD产能转向利润更高的CoWoS先进封装，导致海外DrMOS供应缺口。代工厂短期内无扩产规划，产能刚性收缩并非周期波动，而是结构性的不可逆转移。海外MPS、英飞凌交期延长，后续或成为继HBM之后，GPU放量的关键物料。

AI服务器拉动DrMOS用量扩容，服务器功率升级对应电流规格/颗数提升，国内服务器厂商主动导入国产方案。增量场景上，1.6/3.2T光模块DSP供电已出现DrMOS应用趋势。海外涨价叠加产能紧张，行业整体涨价趋势预计维持1.5-2年。AI算力放量是推动DrMOS需求增长的重要驱动力。

报告重点分析了DrMOS供给端的产能结构性收缩原因，包括海外晶圆产能迁移和代工厂扩产规划缺失；需求端则关注AI算力放量、服务器功率升级和光模块场景新增量对DrMOS需求的拉动作用。同时，报告也探讨了行业整体涨价趋势和潜在的风险因素。

当前DrMOS市场呈现供给紧张、需求旺盛的态势。海外产能结构性收缩导致供应缺口，而AI算力发展和服务器升级推动需求持续增长。海外MPS、英飞凌等主要供应商交期延长，行业整体价格预计将维持高位。国内厂商正积极导入国产方案，以应对供应短缺。

研报提示的主要风险包括行业竞争加剧、宏观经济波动导致需求不及预期，以及地缘政治风险可能对供应链造成冲击。此外，产能刚性收缩的不可逆性也可能导致长期供应紧张，需要关注主要供应商的产能规划和市场策略变化。