光刻胶国产替代分层推进。上游原料中,电子级溶剂和部分配套试剂已基本实现本土供应,但高端树脂、PAC及PAG等感光组分仍较依赖进口,原料纯度、批次稳定性及深度提纯能力构成主要瓶颈。成品制造方面,G/I线产品已基本实现国产替代,KrF光刻胶部分型号进入量产供货阶段,ArF光刻胶总体处于送样验证及少量导入阶段,EUV光刻胶仍以研发储备为主。
光刻胶行业发展趋势向好。政策与供应链安全强化国产导入,晶圆扩产与技术突破推动需求释放。国家产业基金、关键材料攻关及新材料政策持续支持光刻胶研发、扩产与验证,海外供应集中及区域供应扰动推动晶圆厂加快建立国产备份体系。全球市场稳步扩容,KrF与ArF成为境内市场主要增量,预计2021—2024年中国集成电路晶圆制造用光刻胶市场规模将保持增长。
报告重点分析了光刻胶国产替代的进展与挑战,以及中高端光刻胶的成长空间。在国产替代方面,报告详细梳理了上游原料与成品制造的现状,指出高端感光组分和EUV光刻胶仍是主要瓶颈。在成长空间方面,报告强调政策支持、晶圆扩产和技术突破是核心驱动,并预测KrF与ArF将成为境内市场主要增量。此外,报告还建议关注北交所相关标的佳先股份,及其子公司英特美在光刻胶单体领域的布局。
当前光刻胶市场呈现国产替代加速推进与中高端产品需求增长的态势。从国产替代来看,G/I线产品已基本实现自主可控,KrF光刻胶部分型号已量产,ArF光刻胶处于验证导入阶段,EUV光刻胶仍需持续研发。从市场需求来看,全球光刻胶市场规模稳步扩大,中国集成电路晶圆制造用光刻胶市场规模预计2024年将达53.54亿元,成熟制程扩产和先进工艺升级带动G/I线与KrF需求增长,ArF干式及浸没式产品潜力巨大。
研报提示的主要风险包括:下游需求与晶圆厂扩产不及预期,可能导致光刻胶需求下降;技术研发、客户验证及国产替代进度不及预期,可能延缓产业链自主可控进程;高端原料供应及标的公司经营不及预期,可能影响光刻胶成品制造与市场竞争力。这些风险需关注,但需结合行业长期发展趋势综合判断。