国产AI芯片与先进制程产业情况专家交流纪要

研报总结

一、核心要点

1. 国产七纳米产能分配：海思、森腾占据近一半产能，其中5G相关占比超10%；剩余不足40%由国内十几家CPU、GPU、AI芯片厂商共享。产能优先保障国家队项目，中小企业多退至14纳米、12纳米生产推理芯片，性能受限。
2. 海外先进制成产能：台积电N3明年月产将破20万片，2028年增至25万片；N2已量产，年底爬坡至月产超10万片，2028年达月产超20万片，二者合计月产近340万片。三星SF4、SF3合计月产超20万片，良率和客户规模弱于台积电。英特尔18纳米已量产，短期仅自用，月产仅几万片，大规模释放待观察。

二、投资线索

1. 国产先进制成供需平衡：分为三层——供给满足需求但不考虑性能成本（需光刻机突破或多重曝光，预计2030年后实现）、良率、成本接近国际水平具备商业竞争力（高度依赖设备突破，不确定性高）、短期国内七纳米严重供需不足（现有新建晶圆厂建设周期超三年，设备交付周期更长，短期无法填平缺口）。
2. 国产芯片成本差距：国产七纳米芯片成本是台积电同等工艺的两倍以上，因良率仅50%左右，台积电七纳米及更先进工艺良率达90%以上，无商业竞争力。
3. 先进制成用途分配：全球先进制成优先用于高利润、商业需求旺的AI芯片（AI加速卡、AI服务器芯片），民用PC消费级芯片退用老旧产品，未来两三年普通消费者或面临高价、低性能电子设备情况。

三、风险与关注

1. 核心技术风险：先进制程依赖的光刻机等关键设备被海外封锁，多重曝光技术难度大；先进封装技术仍薄弱，国内无对标台积电CoWoS的先进封装产能，仅能做类似英特尔Foveros的2.3D封装。
2. 上游环节薄弱点：除设备外，晶圆厂基建（洁净厂房、选址、施工周期）制约产能扩张；物料供应短缺，Q3仍缺载板、基板、HBM等，短期内无法缓解。
3. 生态与适配风险：国产芯片迁移需从底层代码到应用层全适配，测试环节需大量人力，存在专利、兼容性问题，是替代进口的最大障碍；国产RISC-V架构生态建设难度大，全环节适配需投入大量人力物力，仅适合小众领域推广。
4. 国产替代进度：封装测试环节替代率高，测试机、分选机、烤炉等接近100%，但性能略逊于海外；晶圆制造核心设备（光刻机、光刻胶）完全依赖进口，国内仅一两家厂商布局，产量极低，需3-5年达阿斯麦DUV光刻机20%产能才不被“掐脖子”；接口协议国产难以形成统一生态，国内厂商各自为战，缺乏带头企业。

四、其他补充

1. CPU架构竞争：X86与ARM架构竞争将长期共存，未来或融合，当前核心竞争因素为软件生态；RISC-V架构适合数据中心但经济成本较高，暂不适用。
2. 芯片出货判断：芯片公司能否完成出货取决于与代工厂的关系，先进制成产能多被英伟达等头部企业包圆，中小厂商难以获得。
3. 会议合规提示：专家交流内容仅代表专家自身研究成果。