长鑫科技（688825.SH）：打破DRAM海外垄断的本土破局者，存储大周期下驶入成长快车道

长鑫科技是国内最大、全球第四大DRAM原厂，产品包括DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5/5X等，已达到国际先进水平。公司目前拥有合肥、北京两地共3座12英寸DRAM晶圆厂，预计2026年全部达产，第四代工艺技术平台销量占比也将快速提升。长鑫科技与阿里云、字节跳动、腾讯等国内核心终端客户深度合作，并得到清辉集电、长鑫集成、国家大基金二期等国资股东资本赋能。

AI驱动DRAM需求爆发，长鑫引领大陆自制浪潮。服务器是DRAM市场快速增长的重要驱动力，AI推理驱动存储需求指数级爆发，KVCache多层缓存（HBM+DRAM+SSD）成为“标配”。目前DRAM市场由三星、美光、海力士三大原厂寡头垄断，长鑫全球份额逐步提高，2026Q1份额已攀升至7.7%，位列全球第四位，中国第一位。

DRAM价格持续暴涨，长鑫26年盈利爆发。本轮存储涨价大周期于25Q2开始，预计26年DRAM供需仍持续紧张，价格有望继续上涨。受益涨价，长鑫26Q1营收扭亏为盈，26H1业绩爆发式增长，预计收入1100-1200亿元，净利润660~750亿元。

长鑫科技加速提升性能和扩产，逐步缩小差距。目前长鑫量产的主力制程是G4（约16-17nm），落后国际原厂1-2代，但公司正加速研发G5工艺。长鑫产能距离三大原厂仍有差距，但伴随快速扩产，26年产能差距预计进一步缩小。长鑫LPDDR迭代差距已明显收窄，DDR5量产进度落后三大原厂3年，但目前性能已与三大厂相近，HBM落后三大厂2个代际，预计加速追赶。4F²+CBA是国产DRAM大趋势，长鑫布局领先，23年底发布采用VCT和4F²布局的18nmDRAM方案，积极通过存储架构创新尽可能减少对关键先进设备的依赖。