国金电子海力士首次覆盖HBMLTAAI存储核心受

核心观点：
本轮存储周期与历史周期的关键差异在于需求端HBM（高带宽内存）定制化属性增强，Token消耗量提升拉动HBM、DRAM、NAND需求共同增长；供给端存储厂因23年下行周期亏损严重，CAPEX投入有限，AI建设高景气度下设备产能或成为扩产瓶颈。LTA（长期协议）的签订有望加强客户绑定、维持高利润率并减少存储厂商的强周期性。

关键数据：

• 市场地位： 海力士是HBM领先厂商，26Q1市占率58%；整体DRAM与NAND市占率均为第二，仅次于三星。
• 技术领先： 自HBM2E持续强化产品性能，HBM4/HBM4E技术领先，并与英伟达合作推进下一代存储（覆盖数据中心、PC、机器人等平台）。
• 扩产计划： SK集团会长预计海力士DRAM产能到2030年翻倍。
• 估值对比： 美光forwardPE高于三星、海力士。

研究结论：
海力士作为HBM市占率第一、三大原厂之一，LTA占比有望持续提升，高盈利能力可通过分红、回购实现股东回报。公司持续布局SOCAMM、HBF等新兴存储技术。本次1.78亿ADR发行（对应265亿美元）有望带动估值折价修复。