ASML2026年第二季度业绩电话会纪要整理 20260

2026-07-16 未知机构 Lee

核心数据：总净销售额 93 亿欧元（超指引上限），净系统销售额 66 亿欧元（EUV 系统 38 亿欧元，非 EUV 系统 28 亿欧元），逻辑与存储业务占比分别为 51% 和 49%。
安装基数管理销售额：28 亿欧元（超指引近 3 亿欧元），毛利率 54%（超预期）。
运营费用：高于指引，因确认技术和 IT 转型预估成本。
净利润：29 亿欧元（占总净销售额 31.3%），每股收益 7.59 欧元。
现金流与股东回报：季末现金及短期投资 76 亿欧元，自由现金流 13 亿欧元；支付 2025 年最终股息每股 2.70 欧元，回购股份约 11 亿欧元；2026 年 Q1 中期股息 1.88 欧元/股将于 8 月 5 日支付。

全年指引上调原因：客户需求强劲，ASML 产能提升能力满足客户扩充先进制程节点产能的需求；多家客户上调年度资本支出。
逻辑芯片领域：支持 AI 加速器的 3 纳米、5 纳米、4 纳米节点持续投入；2 纳米产能快速提升，1.4 纳米节点研发投资启动。预计今年先进逻辑晶圆代工相关的系统净销售额增长超 25%。
DRAM / 存储领域：供应紧张推高 DDR 和 HBM 价格，客户大幅投资晶圆厂扩建，DRAM 光刻强度持续提升。预计今年存储相关的系统净销售额增长 75% 以上。
系统交付与装机基数：EUV 业务：预计今年交付约 65 台低数值孔径 EUV 系统，EUV 系统净销售额同比增长 45% 以上；DUV 业务：预计今年交付约 130 台浸没式 DUV 系统，干式 DUV 出货显著增长；非 EUV 系统净销售额预计增长约 25%；安装基数管理：今年预计增长超 30%。
中国业务：预计全年净销售额占比约 20%，与整体业务同步增长。

2027-2028 年产能规划：
- 2027 年：低数值孔径 EUV 光刻机订单已近完全覆盖，计划产能提高约 30%（隐含约 85 台），浸没式系统产能亦计划提高 30%。
- 2028 年：已收到大量 Low-NA EUV 订单，正研究产能再扩大 30%（隐含约 110 台）的方案，浸没式系统同样研究扩产 30%。
产能实现途径：扩产目标基于现有场地布局，无需新建洁净室，通过优化现有空间和缩短生产周期实现。
效率提升：设备数量增 30% 带来的晶圆产能提升实际约为 45%。
High-NA 极紫外技术路线：
- High-NA 技术持续取得进展，平台成熟度向大规模量产要求提升。
- 里程碑：英特尔晶圆厂采用 ASML High-NA EUV 技术在 Intel 18A 节点生产 Intel Core Ultra 系列 3 处理器。
- 2026 年 High-NA 设备交付预期维持 45 台不变，未来将成为产能补充的潜在选项。

定价策略与 ASP：Low-NA 定价无降价讨论，ASML 遵循价值定价，未来潜在价格优化空间来自生产效率提升。产品组合优化（E 型号占比增加）和下半年浸没式光刻机出货量增加将推高 ASP。
产品组合与 ASP 提升：2027 年产品组合（E 和 F 系列）将优于 2026 年。
设备型号过渡（D 至 E/F）与毛利率驱动：D 机型预计今年内基本售罄停产，2027 年将生产 E 和 F 机型；毛利率提升驱动因素包括浸没式和 Low-NA EUV 设备占比提升、高定价 EUV 设备占比增加、装机业务强劲、下半年产量大幅提升带来的规模效应。
产能扩张与供应链可见度：ASML 无需等待正式订单确认即提前布局产能，因客户需求信号强烈；供需匹配存在张力但持续推进。
High-NA 与 Low-NA 光学元件：完全不通用，无法互换生产。
装机量升级与客户需求：客户受限于现有洁净室，迫切需要提升现有晶圆厂产能，ASML 提供覆盖所有版本 EUV 和浸没式系统的升级产品，市场接受度高。
存储业务增长：75% 的内存增长主要来自 HBM 和 DDR 量能提升，HBM 需要更多晶圆带来额外量能效应，同时 1C 和 1B 等节点使用了更多 EUV 层，推高了光刻强度。
运营杠杆与成本控制：营收大幅增长而运营支出增长温和，公司将继续良好管理研发和销售及管理费用，运营杠杆将进一步改善。