一、2026年第二季度财务回顾与业绩指引
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Q2财务核心数据：
- 总净销售额：93亿欧元（超出指引上限），主要因安装基数管理销售额高于预期。
- 净系统销售额：66亿欧元（EUV系统38亿欧元，非EUV系统28亿欧元），逻辑与存储业务占比分别为51%和49%。
- 安装基数管理销售额：28亿欧元（高出指引近3亿欧元），受额外升级业务推动。
- 毛利率：54%（超预期），因安装基数管理业务中高毛利组件贡献。
- 运营费用：高于指引，因确认了技术和IT转型预估成本，研发费用13亿欧元，销售及管理费用3亿欧元。
- 净利润：29亿欧元（占总净销售额31.3%），每股收益7.59欧元，有效税率17.5%。
- 现金流与股东回报：季末现金及短期投资76亿欧元，自由现金流13亿欧元；支付2025年最终股息每股2.70欧元，Q2回购股份约11亿欧元，2026年Q1中期股息1.88欧元/股将于8月5日支付。
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Q3及全年业绩指引：
- 2026年Q3指引：总净销售额110亿至120亿欧元，安装基数管理销售额约29亿欧元，毛利率55%-57%，研发费用约12亿欧元，销售及管理费用约4亿欧元。
- 2026年全年指引（上调）：总净销售额430亿至450亿欧元，毛利率54%-56%，年化有效税率约17%。
二、需求驱动与各业务板块展望
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全年指引上调原因：
- 客户需求强劲，ASML产能提升能力满足客户扩充先进制程节点产能的需求。
- 多家客户上调年度资本支出。
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逻辑芯片领域：
- 支持AI加速器的3纳米、5纳米、4纳米节点持续投入，2纳米产能快速提升，1.4纳米节点研发投资启动。
- 预计今年先进逻辑晶圆代工相关的系统净销售额增长超25%。
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DRAM/存储领域：
- 供应紧张推高DDR和HBM价格，客户大幅投资晶圆厂扩建，DRAM光刻强度持续提升（EUV和DUV浸没式技术，单次曝光EUV替代多重曝光）。
- 预计今年存储相关的系统净销售额增长75%以上。
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系统交付与装机基数：
- EUV业务：预计今年交付约65台低数值孔径EUV系统，EUV系统净销售额同比增长45%以上。
- DUV业务：预计今年交付约130台浸没式DUV系统，干式DUV出货显著增长，非EUV系统净销售额预计增长约25%。
- 安装基数管理：今年预计增长超30%，受EUV装机量扩大服务收入及生产力升级驱动。
- 中国业务：预计全年净销售额占比约20%，与整体业务同步增长。
三、产能规划与技术路线图
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2027-2028年产能规划：
- 2027年：低数值孔径EUV光刻机订单已近完全覆盖，计划产能提高约30%（隐含约85台），浸没式系统产能亦计划提高30%。
- 2028年：已收到大量Low-NA EUV订单，正研究产能再扩大30%（隐含约110台）的方案，浸没式系统同样研究扩产30%。
- 产能实现途径：扩产目标基于现有场地布局，无需新建洁净室，可通过合理优化现有空间和缩短生产周期实现（新园区建设2028年后才投入使用）。
- 效率提升：设备数量增30%带来的晶圆产能提升实际约为45%（产品组合向E和F型号转移及设备升级）。
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High-NA极紫外技术路线：
- High-NA技术持续取得进展，平台成熟度向大规模量产要求提升。
- 里程碑：英特尔晶圆厂采用ASML High-NA EUV技术在Intel 18A节点生产Intel CoreUltra系列3处理器。
- 2026年High-NA设备交付预期维持45台不变，未来将成为产能补充的潜在选项。
四、问答环节核心要点
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定价策略与ASP：
- Low-NA定价：目前无讨论降价，ASML遵循价值定价，Low-NA设备生产效率提升为未来潜在价格优化提供空间。
- 产品组合与ASP提升：下半年EUV产品组合中E型号占比增加，下半年将推出230配置机型，浸没式光刻机下半年出货量显著高于上半年，这些因素将推高ASP。2027年产品组合（E和F系列）将优于2026年。
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设备型号过渡与毛利率驱动：
- D机型停产：因蔡司特定QOB组件耗尽，D机型预计于今年内基本售罄停产，2027年将生产E和F机型，F系列将匹配1.4纳米工艺研发，2纳米工艺可E/F混搭。
- 毛利率提升驱动（下半年优于上半年）：浸没式和Low-NA EUV设备占比提升，高定价EUV设备占比增加，装机业务保持强劲，下半年产量大幅提升带来规模效应。
- 2027年毛利率虽不提供指引，但若市场延续乐观态势，产品组合优化、设备销量增长30%及升级需求旺盛等驱动因素将保持强劲。
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产能扩张与供应链可见度：
- ASML无需等待正式订单确认即提前布局产能，因客户需求信号强烈且提前两年提供，供需匹配存在张力但持续推进。
- High-NA与Low-NA光学元件完全不通用，无法互换生产。
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装机量升级与客户需求：
- 客户受限于现有洁净室，迫切需要提升现有晶圆厂产能，为系统升级创造了极有利条件。
- ASML提供覆盖所有版本EUV和浸没式系统的升级产品，市场接受度高，客户甚至要求加快交付并开发新产品（计划2027-2028年推出）。
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存储业务增长构成：
- 75%的内存增长主要来自HBM和DDR量能提升，HBM需要更多晶圆带来额外量能效应，同时1C和1B等节点使用了更多EUV层，推高了光刻强度。
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运营杠杆与成本控制：
- 营收大幅增长而运营支出增长温和（重组后研发团队效率提升），公司将继续良好管理研发和销售及管理费用，运营杠杆在未来几个季度、几年内将进一步改善。
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其他声明：
