GSDZ 存储接下来的确定性机会 SCM及配套芯片

SCM定义：存储级内存（SCM）融合了内存的低延迟、高带宽特性和闪存的大容量、持久化特性，其存储颗粒特性位于传统内存介质与闪存介质之间，旨在弥合两者之间的性能与成本鸿沟。

推广背景：随着向量数据库、GNN等负载的数据规模从1B向10B–100B甚至1T发展（来源：NV 2026 GTC PPT），存储需求激增。传统HBM/DRAM产能不足且昂贵，而TLC/QLC闪存存在擦写次数和IOPS瓶颈，因此SCM成为解决方案。

主要推动者：英特尔（傲腾+3D XPOINT）、NV（Storage-Next、CMX上下文存储层）、铠侠（XL-FLASH）、三星（Z-NAND）、长存、江波龙、大普微、新存科技（PCM）等企业积极推动SCM技术发展。

利好环节及国产化机会：

• 利好SLC NAND、MLC NAND、PCM及配套芯片（SSD controller、VPD）。
• 未来e SSD controller需集成安全加密、数据预处理/向量检索加速及轻量级AI加速模块。
• 重点看好SSD controller及VPD的国产化机会，推荐联芸科技、聚辰股份、大普微。